期刊文献+
共找到527篇文章
< 1 2 27 >
每页显示 20 50 100
大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状 被引量:59
1
作者 康仁科 田业冰 +1 位作者 郭东明 金洙吉 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2003年第4期13-18,25,共7页
随着IC制造技术的飞速发展 ,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片趋向大直径化 ,原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ;与此相反 ,为了满足IC封装的要求 ,芯片的厚度却不断减小 ,需要对图形硅片进行背面减薄。硅片... 随着IC制造技术的飞速发展 ,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片趋向大直径化 ,原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ;与此相反 ,为了满足IC封装的要求 ,芯片的厚度却不断减小 ,需要对图形硅片进行背面减薄。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加以及对硅片加工精度和表面质量更高的要求 ,使已有的硅片加工技术面临严峻的挑战。本文详细分析了传统硅片加工工艺的局限性 ,介绍了几种大直径硅片超精密磨削加工工艺的原理和特点 ,评述了国内外硅片超精密磨削技术与装备研究和应用的现状及发展方向 ,强调了我国开展大直径硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性。 展开更多
关键词 IC芯片 硅片 超精密磨削 砂轮 磨床 集成电路
下载PDF
硅片清洗及最新发展 被引量:28
2
作者 刘红艳 万关良 闫志瑞 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期144-149,共6页
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,... 对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,指出了硅片清洗工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 硅片 硅片清洗 硅片表面微观状态
下载PDF
太阳能硅片制造方法研究现状 被引量:26
3
作者 邱明波 黄因慧 +2 位作者 刘志东 田宗军 汪炜 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2008年第8期1017-1020,共4页
太阳能硅片的制造工艺主要包括硅片的切割以及绒面制备两部分。本文介绍了外圆切割、内圆切割、多线切割及电火花线切割4种硅片的切割方法,综述了碱腐蚀、酸腐蚀、电化学腐蚀等9种制绒工艺,并分析其适用范围和特点。提出随着太阳能技术... 太阳能硅片的制造工艺主要包括硅片的切割以及绒面制备两部分。本文介绍了外圆切割、内圆切割、多线切割及电火花线切割4种硅片的切割方法,综述了碱腐蚀、酸腐蚀、电化学腐蚀等9种制绒工艺,并分析其适用范围和特点。提出随着太阳能技术的应用需求不断扩大和晶体硅原材料供应的短缺,大尺寸超薄硅片切割技术的发展趋势将日益明显。最后指出了电火花电解复合线切割具有切割与制绒一体化的特点,是硅片制造方法的一个发展趋势。 展开更多
关键词 太阳能电池 硅片 切割 绒面
下载PDF
激光清洗硅片表面Al_2O_3颗粒的试验和理论分析 被引量:29
4
作者 吴东江 许媛 +3 位作者 王续跃 康仁科 司马媛 胡礼中 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期764-770,共7页
以KrF准分子激光器为激光源,对目前工业上常用的硅片研磨抛光液的主要成分Al2O3颗粒进行激光清洗的试验和理论分析。建立一维热传导模型,利用有限元分析软件MSC.MarC模拟硅片表面的温度随激光作用时间和能量密度的分布。通过理论计算,... 以KrF准分子激光器为激光源,对目前工业上常用的硅片研磨抛光液的主要成分Al2O3颗粒进行激光清洗的试验和理论分析。建立一维热传导模型,利用有限元分析软件MSC.MarC模拟硅片表面的温度随激光作用时间和能量密度的分布。通过理论计算,量化了颗粒所受到的清洗力以及其与硅片表面之间的粘附力,理论预测出1μm Al2O3颗粒的激光清洗阈值为60 mJ/cm2。在理论分析的指导下,利用248 nm3、0 ns的KrF准分子激光进行单因素试验,研究激光能量密度、脉冲个数、激光束入射角度对激光干法清洗效率的影响,并且实验验证了清洗模型以及场增强效应对激光清洗结果的影响。 展开更多
关键词 激光清洗 硅片 清洗效率 AL2O3 颗粒
下载PDF
硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究 被引量:26
5
作者 刘玉岭 刘钠 曹阳 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期85-89,共5页
提出了新抛光硅片镜面吸附物吸附动力学过程和优先吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理。
关键词 硅片 单晶硅 镜面吸附物 吸附状态
下载PDF
硅片精密切割多线锯研究进展 被引量:21
6
作者 张凤林 袁慧 +1 位作者 周玉梅 王成勇 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2006年第6期14-18,共5页
随着半导体行业的发展,尤其是太阳能电池对大直径硅片的需求不断增加,对硅片的切割精度要求越来越高。传统的外圆和内圆切割已经不能满足现有硅片大尺寸、小切缝、高质量和生产效率的要求。本文对大直径硅片精密切割中最常使用的多线锯... 随着半导体行业的发展,尤其是太阳能电池对大直径硅片的需求不断增加,对硅片的切割精度要求越来越高。传统的外圆和内圆切割已经不能满足现有硅片大尺寸、小切缝、高质量和生产效率的要求。本文对大直径硅片精密切割中最常使用的多线锯切割进行介绍,对游离磨料多线锯的切割机理、浆料特性、切割工艺和固着磨料多线锯锯丝制造方法、切割工艺等方面的研究现状进行了综述。 展开更多
关键词 硅片 精密切割 游离磨料多线锯 固着磨料多线锯
下载PDF
大尺寸硅片的高效超精密加工技术 被引量:13
7
作者 郭东明 康仁科 金洙吉 《世界制造技术与装备市场》 2003年第1期35-40,共6页
本文根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了大尺寸硅片超精密加工的关键问题,介绍了工业发达国家在硅片超精密加工技术和设备方面的研究现状和最新进展,指出了大尺寸硅片高效超精密加工技术的发展趋势,... 本文根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了大尺寸硅片超精密加工的关键问题,介绍了工业发达国家在硅片超精密加工技术和设备方面的研究现状和最新进展,指出了大尺寸硅片高效超精密加工技术的发展趋势,通过对国内技术现状的分析,强调了针对大尺寸硅片超精密加工理论和关键技术开展基础研究的必要性。 展开更多
关键词 硅片 超精密加工 磨削 抛光 集成电路
下载PDF
低电阻率单晶硅电火花/电解复合切割加工表面完整性研究 被引量:19
8
作者 汪炜 刘志东 +2 位作者 田宗军 黄因慧 刘正埙 《电加工与模具》 2007年第6期6-10,共5页
电火花线切割加工方法被引入单晶硅加工技术领域,使低电阻率掺杂硅片的放电切割成为可能。以表面完整性作为突破口,采用基于复合工作液的高速走丝电火花电解复合切割方法,对低电阻率(0.01-1Ω.cm)单晶硅片的切割效率、表面质量和切割厚... 电火花线切割加工方法被引入单晶硅加工技术领域,使低电阻率掺杂硅片的放电切割成为可能。以表面完整性作为突破口,采用基于复合工作液的高速走丝电火花电解复合切割方法,对低电阻率(0.01-1Ω.cm)单晶硅片的切割效率、表面质量和切割厚度等技术指标进行了试验研究。试验结果表明,通过合理选择电规准和工作液等相关工艺参数,最大切割效率可达600 mm2/min,切割厚度可小于120μm,与低速走丝电火花线切割加工相比显著减少表面热影响区和有害金属元素残余,为该项技术的进一步推广应用提供了重要的理论和实践参考依据。 展开更多
关键词 电火花电解复合加工 切割 低电阻率 硅片 表面完整性
下载PDF
单晶硅片的制造技术 被引量:16
9
作者 吴明明 周兆忠 巫少龙 《新技术新工艺》 北大核心 2004年第5期7-10,共4页
随着 IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 ( Φ≤ 2 0 0 mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。本文主要论述了小直径硅片的... 随着 IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 ( Φ≤ 2 0 0 mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。本文主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法硅片磨削的加工原理和工艺特点。 展开更多
关键词 集成电路 单晶硅片 制造技术 研磨 抛光 磨削
下载PDF
表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用 被引量:22
10
作者 刘玉岭 檀柏梅 +1 位作者 赵之雯 郝子宇 《河北工业大学学报》 CAS 2004年第2期72-76,共5页
表面活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料.本文主要对表面活性剂的作用机理... 表面活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料.本文主要对表面活性剂的作用机理及对硅表面性能的影响进行分析讨论. 展开更多
关键词 硅片 表面活性剂 渗透 分散 清洗
下载PDF
往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片特性研究 被引量:20
11
作者 高玉飞 葛培琪 李绍杰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期372-377,共6页
通过往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片实验,分析了切片表面的微观形貌特点,研究了锯丝速度与进给速度对硅片的表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、翘曲度与亚表面损伤层厚度(SSD)的影响规律。结果表明:线锯锯切时材料以脆性模式去除,锯切表... 通过往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片实验,分析了切片表面的微观形貌特点,研究了锯丝速度与进给速度对硅片的表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、翘曲度与亚表面损伤层厚度(SSD)的影响规律。结果表明:线锯锯切时材料以脆性模式去除,锯切表面的微观形貌呈现部分沟槽与断续划痕,并存在大量凹坑;锯丝速度增大,进给速度减小,表面粗糙度与SSD减小;锯丝速度增大,进给速度增大,硅片的翘曲度也随之增大;硅片TTV值与锯丝速度和进给速度的匹配关系相关。 展开更多
关键词 金刚石线锯 单晶硅 晶片 加工质量
下载PDF
ULSI硅衬底的化学机械抛光技术 被引量:15
12
作者 狄卫国 刘玉岭 司田华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期18-22,共5页
介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺。对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛液中的有机碱和活性剂的选择作了讨论分析,另外对抛光中出现的一些问题及解决方法进行了分析研究。
关键词 化学机械抛光 抛光液 ULSI 硅片 特大规模集成电路
下载PDF
硅片自旋转磨削的运动几何学分析 被引量:15
13
作者 田业冰 金洙吉 +1 位作者 康仁科 郭东明 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第20期1798-1801,共4页
介绍了硅片自旋转磨削的原理,通过引入节点、节圆概念建立了硅片自旋转磨削的运动学模型,通过分析砂轮与硅片之间的相对运动给出了硅片自旋转磨削的运动轨迹参数方程。在运动学的基础上推导了磨纹长度、磨纹数量以及磨削稳定周期公式。... 介绍了硅片自旋转磨削的原理,通过引入节点、节圆概念建立了硅片自旋转磨削的运动学模型,通过分析砂轮与硅片之间的相对运动给出了硅片自旋转磨削的运动轨迹参数方程。在运动学的基础上推导了磨纹长度、磨纹数量以及磨削稳定周期公式。分析了磨纹间距、磨纹密度与磨削表面质量的关系。给出了选定磨削条件下的计算实例。研究结果为提高硅片加工质量及合理选择磨削工艺参数提供了理论依据。 展开更多
关键词 硅片 磨削 运动几何学 磨削纹理
下载PDF
硅片CMP抛光工艺技术研究 被引量:17
14
作者 刘玉岭 《电子工艺技术》 2010年第5期299-302,共4页
介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了... 介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案。 展开更多
关键词 硅片 化学机械抛光 去除速率 缺陷
下载PDF
单晶硅片的制造技术 被引量:10
15
作者 吴明明 周兆忠 巫少龙 《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2005年第3期72-75,共4页
随着IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 (≤ 2 0 0mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。文章主要论述了小直径硅片的制造... 随着IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 (≤ 2 0 0mm)硅片的生产 ;随着大直径硅片的应用 ,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。文章主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法的加工原理和工艺特点。 展开更多
关键词 单晶硅片 IC技术 高密度化 集成电路芯片 制造技术 大直径 集成化 小直径 超精密磨削 加工原理
下载PDF
大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究 被引量:11
16
作者 田业冰 郭东明 +1 位作者 康仁科 金洙吉 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2004年第4期1-4,共4页
利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床 ,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系。研究结果表明 ,增大砂轮轴向进给速度和减小工件... 利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床 ,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系。研究结果表明 ,增大砂轮轴向进给速度和减小工件转速 ,采用粗粒度砂轮有利于提高磨削硅片的材料去除率 ,砂轮轴向进给速度对材料去除率的影响最为显著 ;适当增大砂轮转速 ,减小砂轮轴向进给速度 ,采用细粒度砂轮可以减小磨削表面粗糙度 ;在其它条件一定的情况下 ,砂轮速度超过一定值会导致材料去除率减小 ,主轴电机电流急剧增大 ,表面粗糙度变差 ;采用比 #2 0 0 0粒度更细的砂轮磨削时 ,材料去除率减小 ,硅片表面粗糙度没有明显改善。 展开更多
关键词 硅片 金刚石砂轮 超精密磨削 集成电路
下载PDF
硅片化学机械抛光技术的研究进展 被引量:16
17
作者 徐嘉慧 康仁科 +1 位作者 董志刚 王紫光 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第4期24-33,共10页
随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性... 随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性质和硅片自身在抛光时的接触应力状态等。本文介绍了硅片化学机械抛光技术的研究进展,讨论了影响硅片抛光后表面质量和表面材料去除率的因素,如抛光液、抛光垫、抛光压力等,并对目前用于硅片化学机械抛光的先进设备进行了综述。 展开更多
关键词 硅片 化学机械抛光 抛光液 抛光垫 抛光设备
下载PDF
单晶硅片超精密加工表面\亚表面损伤检测技术 被引量:15
18
作者 张银霞 《电子质量》 2004年第7期72-75,共4页
对超精密加工的硅片的表层完整性的精密控制需要以精、准的检测技术为基础,本文概括性 的分析了用于超精密加工硅片的表面\亚表面损伤检测技术,并从破坏性和非破坏性两个角度对检测方 法的应用和发展进行了论述。
关键词 单晶硅片 超精密加工 表面\亚表面损伤 检测方法
下载PDF
超细CeO_2磨料对硅片的抛光性能研究 被引量:11
19
作者 陈建清 陈杨 +1 位作者 陈志刚 陈康敏 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期743-745,共3页
用均相沉淀法制备了不同形状和尺寸的CeO2 超细粉体 ,并配制成不同pH值的抛光液对硅片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2 磨料的抛光效果 ,结果表明 ,微米级的CeO2 磨料粒径比较大 ,切削深度比较深 ,材料的去除是以机械作用为主。... 用均相沉淀法制备了不同形状和尺寸的CeO2 超细粉体 ,并配制成不同pH值的抛光液对硅片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2 磨料的抛光效果 ,结果表明 ,微米级的CeO2 磨料粒径比较大 ,切削深度比较深 ,材料的去除是以机械作用为主。随着磨料粒径的减小 ,切削深度随之减小 ,材料以塑性流动的方式去除 ,最终在 2 μm的范围内得到了微观表面粗糙度Ra =0 1 2 0nm的超光滑表面。实验证明 ,CeO2 展开更多
关键词 CeO2磨料 化学机械抛光 硅片 粗糙度
下载PDF
硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用 被引量:6
20
作者 谢书银 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期48-50,共3页
按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程,阐述了择优与非择优腐蚀的机理,研究了一套硅片化腐新工艺。这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用。
关键词 硅片 化学腐蚀 电力半导体器件
下载PDF
上一页 1 2 27 下一页 到第
使用帮助 返回顶部