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直接凝固注模成型Si_3N_4及SiC陶瓷──基本原理及工艺过程 被引量：43
1
作者 司文捷 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期32-37,共6页
直接凝固注模成型（ｄｉｒｅｃｔｃｏａｇｕｌａｔｉｏｎｃａｓｔｉｎｇ，ＤＣＣ）是一种崭新的（准）净尺寸陶瓷成型方法。本文报道了采用此法成型Ｓｉ_３Ｎ_４及ＳｉＣ陶瓷的基本原理和工艺过程。ＤＣＣ成型工艺过程为把高固相含量低... 直接凝固注模成型（ｄｉｒｅｃｔｃｏａｇｕｌａｔｉｏｎｃａｓｔｉｎｇ，ＤＣＣ）是一种崭新的（准）净尺寸陶瓷成型方法。本文报道了采用此法成型Ｓｉ_３Ｎ_４及ＳｉＣ陶瓷的基本原理和工艺过程。ＤＣＣ成型工艺过程为把高固相含量低粘度的陶瓷浆料浇注到无孔模具中，事先加入到浆料中的生物酶及化学物质通过改变浆料的ｐＨ或电解质浓度来改变浆料的胶体化学行为，从而使浆料原位凝固，得到有足够脱模强度的陶瓷坯体。ＤＣＣ成型的特点为坯体密度高（理论密度的５５％～７０％），坯体均匀，不用或只需少量的有机添加剂（少于１％），可成型大尺寸、复杂形状、高可靠性的陶瓷部件。 展开更多
关键词 陶瓷 工艺 凝固 注模成型 氮化硅 碳化硅 成型
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PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 被引量：43
2
作者 王晓泉 汪雷 +3 位作者 席珍强 徐进 崔灿 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期341-344,共4页
使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌... 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。 展开更多
关键词 太阳电池 PECVD 氮化硅
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CVD法氮化硅薄膜制备及性能 被引量：36
3
作者 杨辉 马青松 葛曼珍 《陶瓷学报》 CAS 1998年第2期91-96,共6页
氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料，具有优秀的光电性能、钝化性能和机械性能，将在微电子、光电和材料表面改性领域获得广泛应用。本文着重评述了制备氮化硅薄膜的几种化学气相沉积方法和一些性能。
关键词 氮化硅薄膜 化学气相沉积 性能
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Ti/Cu/Ti部分瞬间液相连接Si_3N_4的界面反应和连接强度 被引量：33
4
作者 周飞 李志章 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期273-278,共6页
用Ti/Cu/Ti多层中间层在 12 73K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接 ,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM ,EPMA和XRD对连接界面进行微观分析 ,并用扩散路径理论 ,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明 :在连接过程中 ,Cu与Ti... 用Ti/Cu/Ti多层中间层在 12 73K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接 ,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM ,EPMA和XRD对连接界面进行微观分析 ,并用扩散路径理论 ,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明 :在连接过程中 ,Cu与Ti相互扩散 ,形成Ti活度较高的液相 ,并与氮化硅发生反应 ,在界面形成Si3N4 /TiN/Ti5Si3+Ti5Si4 +TiSi2 /TiSi2 +Cu3Ti2 (Si) /Cu的梯度层。 展开更多
关键词 部分瞬间液相连接 氮化硅 扩散路径 界面反应 连接强度 陶瓷 钎焊
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陶瓷基复合材料天线罩制备工艺进展 被引量：44
5
作者 齐共金 张长瑞 +4 位作者 胡海峰 曹峰 王思青 曹英斌 姜勇刚 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期632-638,共7页
天线罩是高超音速寻的制导导弹前端的重要部件,必须具有防热、透波、承载等多种功能。介绍了高超音速导弹天线罩候选材料二氧化硅、氮化硼和氮化硅的基本性能,综述了颗粒增强、纤维增强和叠层结构的陶瓷基复合材料天线罩的制备工艺与力... 天线罩是高超音速寻的制导导弹前端的重要部件,必须具有防热、透波、承载等多种功能。介绍了高超音速导弹天线罩候选材料二氧化硅、氮化硼和氮化硅的基本性能,综述了颗粒增强、纤维增强和叠层结构的陶瓷基复合材料天线罩的制备工艺与力学、介电性能,分析了陶瓷基复合材料天线罩研究存在的问题,指出了发展方向。 展开更多
关键词 陶瓷基复合材料 天线罩 制备工艺 力学性能 介电性能
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氮化硅陶瓷材料的研究现状及其应用 被引量：34
6
作者 陈力 冯坚 《硬质合金》 CAS 2002年第4期226-229,共4页
综述了先进结构陶瓷材料在国内外的研究和应用现状 ,讨论了氮化硅陶瓷补强增韧的研究方法及发展方向 。
关键词 研究现状 高温结构陶瓷 氮化硅 补强增韧 自韧
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混杂填料填充导热硅橡胶性能研究 被引量：34
7
作者 周文英 齐暑华 +3 位作者 涂春潮 王彩凤 袁江龙 郭建 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期15-19,共5页
以甲基乙烯基硅橡胶为基胶,选用不同粒径氮化硅粒子和碳化硅晶须为填料制备了导热硅橡胶。研究表明:大小粒子以最佳比例进行混合填充时橡胶可获较高热导率,并采用Hasselman模型和等效粒径概念来研究混合粒子体系的热导率;将碳化硅晶须... 以甲基乙烯基硅橡胶为基胶,选用不同粒径氮化硅粒子和碳化硅晶须为填料制备了导热硅橡胶。研究表明:大小粒子以最佳比例进行混合填充时橡胶可获较高热导率,并采用Hasselman模型和等效粒径概念来研究混合粒子体系的热导率;将碳化硅晶须和氮化硅粒子并用,在较低用量下体系呈现较高热导率。此外,随混合填料用量增加橡胶热膨胀系数降低,热稳定性提高。 展开更多
关键词 硅橡胶 氮化硅 碳化硅晶须 热导率 热膨胀系数
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连续陶瓷纤维的制备、结构、性能和应用:研究现状及发展方向 被引量：37
8
作者 陈代荣 韩伟健 +8 位作者 李思维 卢振西 邱海鹏 邵长伟 王重海 王浩 张铭霞 周新贵 朱陆益 《现代技术陶瓷》 CAS 2018年第3期151-222,共72页
连续陶瓷纤维是纤维增强陶瓷基复合材料的增强体,对提高陶瓷基复合材料的强度和韧性起关键作用,高损伤容限和高强度陶瓷纤维是阻止裂纹扩展实现陶瓷基复合材料强韧化的保障。本文对碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化铝和氧化锆等几种陶瓷纤... 连续陶瓷纤维是纤维增强陶瓷基复合材料的增强体,对提高陶瓷基复合材料的强度和韧性起关键作用,高损伤容限和高强度陶瓷纤维是阻止裂纹扩展实现陶瓷基复合材料强韧化的保障。本文对碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化铝和氧化锆等几种陶瓷纤维的制备方法、结构、性能和应用等方面进行了全面的综述,指出了今后的发展方向,期望为未来陶瓷纤维的研究、开发及应用提供参考。 展开更多
关键词 陶瓷纤维 碳化硅 氮化硅 氮化硼 氧化铝 氧化锆
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离子注入超高分子量聚乙烯的摩擦磨损性能研究 被引量：23
9
作者 熊党生 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期244-248,共5页
对人工关节软骨材料——超高分子量聚乙烯(UHMWPE)进行O+和C+离子注入改性,采用销-盘式摩擦磨损试验机考察了离子注入UHMWPE试样在血浆润滑条件下同Si3N4陶瓷球对摩时的摩擦磨损性能;用扫描电子显微镜观察分析了注入和未注入试样及其磨... 对人工关节软骨材料——超高分子量聚乙烯(UHMWPE)进行O+和C+离子注入改性,采用销-盘式摩擦磨损试验机考察了离子注入UHMWPE试样在血浆润滑条件下同Si3N4陶瓷球对摩时的摩擦磨损性能;用扫描电子显微镜观察分析了注入和未注入试样及其磨痕表面形貌,用红外光谱仪(IR)分析了注入和未注入试样的化学特征.结果表明:经O+和C+离子注入处理的UHMWPE试样表面发生了碳化并形成了类金刚石结构;O+和C+注入处理均有利于增强UHMWPE的耐磨性能,而O+离子注入试样的耐磨性能优于C+离子注入试样,经450keV、5×1015/cm2的O+离子注入试样的耐磨性能最佳;未注入UHMWPE试样在血浆润滑条件下同陶瓷对摩时主要呈现粘着、塑性变形和犁沟特征,而注入UHMWPE试样在相同条件下主要呈现表面硬化层疲劳裂纹萌生、扩展、剥落及磨粒磨损特征. 展开更多
关键词 离子注入 超高分子量聚乙烯 摩擦学性能
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PECVD法生长氮化硅工艺的研究 被引量：30
10
作者 吴清鑫 陈光红 +1 位作者 于映 罗仲梓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期703-705,710,共4页
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应... 采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力 射频MEMS开关
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碳热还原法制备氮化硅粉体的反应过程分析 被引量：20
11
作者 李虹 黄莉萍 蒋薪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期241-246,共6页
对以碳热还原法制备氮化硅粉体的ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统进行化学反应热力学和动力学的分析，从而发现在氮气氛不足的条件下，这一系统的反应产物将由氮化硅变为碳化硅；在氮气充足的情况下，随着温度的升高，生成物中碳化硅的量也会逐... 对以碳热还原法制备氮化硅粉体的ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统进行化学反应热力学和动力学的分析，从而发现在氮气氛不足的条件下，这一系统的反应产物将由氮化硅变为碳化硅；在氮气充足的情况下，随着温度的升高，生成物中碳化硅的量也会逐步增加．这一分析结果通过实验得到了验证． 展开更多
关键词 碳热还原 碳化硅 粉体 氮化硅陶瓷
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单颗金刚石磨粒切削氮化硅陶瓷仿真与试验研究 被引量：31
12
作者 刘伟 邓朝晖 +2 位作者 万林林 赵小雨 皮舟 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期191-198,共8页
为探索氮化硅陶瓷单颗磨粒切削加工的机理，进行单颗金刚石磨粒切削氮化硅陶瓷的仿真与试验。选用截角八面体模拟金刚石磨粒，基于Johnson—Holmquist ceramic硬脆材料本构模型，采用有限元网格法进行单颗磨粒直线切削仿真，分析工件材... 为探索氮化硅陶瓷单颗磨粒切削加工的机理，进行单颗金刚石磨粒切削氮化硅陶瓷的仿真与试验。选用截角八面体模拟金刚石磨粒，基于Johnson—Holmquist ceramic硬脆材料本构模型，采用有限元网格法进行单颗磨粒直线切削仿真，分析工件材料的切屑去除、划痕形貌、应力动态变化与分布、切削力变化等现象，以及工艺参数对切削力的影响。制备单颗金刚石磨粒工具，在平面磨床上进行单颗磨粒切削氮化硅陶瓷的试验，进一步分析划痕形貌、切削力的变化，并验证有限元仿真的正确性。研究表明，划痕光直平整，塑性隆起很少，边缘存在较大尺寸的破碎，划痕内有局部小尺寸的破碎；划痕的深度和宽度比磨粒的切削深度和宽度尺寸略大。应力与切削力存在动态波动。随着砂轮速度的增加，切向力和法向力减小；随着切削深度的增加，切向力和法向力增大。切削力比在4～6之间变化。 展开更多
关键词 单颗磨粒 氮化硅 有限元仿真 截角八面体 Johnson—Holmquist CERAMIC
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宽禁带半导体器件研究现状与展望 被引量：31
13
作者 朱梓悦 秦海鸿 +2 位作者 董耀文 严仰光 徐华娟 《电气工程学报》 2016年第1期1-11,共11页
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究... 电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅 氮化镓
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可加工Si_3N_4/BN复相陶瓷的制备及性能研究 被引量：27
14
作者 王向东 乔冠军 金志浩 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期498-501,共4页
采用化学溶液法混料,然后用氢还原氮化法制备出具有包覆结构的Si3N4/BN纳米复合粉体,复合粉热压后获得较高强度,同时又具有良好加工性能的复相陶瓷。扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)分析表明:复相陶瓷中氮化硼以六方晶(h-BN)均匀分布于以... 采用化学溶液法混料,然后用氢还原氮化法制备出具有包覆结构的Si3N4/BN纳米复合粉体,复合粉热压后获得较高强度,同时又具有良好加工性能的复相陶瓷。扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)分析表明:复相陶瓷中氮化硼以六方晶(h-BN)均匀分布于以α-Si3N4为基体相的晶界与晶内,并抑制α-Si3N4的晶粒长大使基体晶粒细化。良好加工性能的获得是由于h-BN易沿其层间解理以及h-BN与α-Si3N4两相由于热膨胀失配产生的弱界面易在剪切方向剥层所致。 展开更多
关键词 氮化硅 氮化硼 复相陶瓷 力学性能 可加工性
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用Ti/Ni/Ti多层中间层进行Si_3N_4陶瓷的部分瞬间液相连接 被引量：26
15
作者 陈铮 赵其章 +3 位作者 楼宏青 周飞 李志章 罗启富 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期33-40,共8页
在１３２３Ｋ和０．１ＭＰａ压应力下用Ｔｉ／Ｎｉ／Ｔｉ多层中间层进行Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的部分瞬间液相连接．测定了不同连接时间的接头四点弯曲强度，对连接界面进行了ＳＥＭ，ＥＤＸ和ＸＲＤ分析．结果表明：Ｔｉ和Ｎｉ相互扩散形成的... 在１３２３Ｋ和０．１ＭＰａ压应力下用Ｔｉ／Ｎｉ／Ｔｉ多层中间层进行Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的部分瞬间液相连接．测定了不同连接时间的接头四点弯曲强度，对连接界面进行了ＳＥＭ，ＥＤＸ和ＸＲＤ分析．结果表明：Ｔｉ和Ｎｉ相互扩散形成的液态合金与Ｓｉ３Ｎ４反应并浸润；液相区等温凝固后，形成Ｓｉ３Ｎ４／反应层／ＮｉＴｉ／Ｎｉ３Ｔｉ／Ｎｉ的过渡层连接；连接时间为７．２ｋｓ时，ＮｉＴｉ层已基本消失．分析了陶瓷部分瞬间液相（ＰＴＬＰ）连接的特征，提出了陶瓷ＰＴＬＰ连接参数优化的模型． 展开更多
关键词 陶瓷 连接 中间层 瞬间液相 氮化硅陶瓷 钛 镍
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烧结助剂对氮化硅陶瓷高温性能的影响 被引量：19
16
作者 陈源 黄莉萍 +1 位作者 孙兴伟 蒋薪 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期183-187,共5页
研究了不同系统烧结添加剂及其用量对氮化硅陶瓷高温力学性能的影响。所获结果表明：添加Ｌａ２Ｏ３和Ｙ２Ｏ３的氮化硅材料具有好的高温抗弯强度，从室温至１３７０℃高温保持不变。引入Ｌａ２Ｏ３并添加Ｙ２Ｏ３和Ａｌ２Ｏ３的氮化硅... 研究了不同系统烧结添加剂及其用量对氮化硅陶瓷高温力学性能的影响。所获结果表明：添加Ｌａ２Ｏ３和Ｙ２Ｏ３的氮化硅材料具有好的高温抗弯强度，从室温至１３７０℃高温保持不变。引入Ｌａ２Ｏ３并添加Ｙ２Ｏ３和Ａｌ２Ｏ３的氮化硅材料，其高温断裂韧性得到提高。减少添加剂用量可明显改善材料的高温蠕变性能。 展开更多
关键词 高温 力学性能 助剂 氮化硅陶瓷
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层状氮化硅陶瓷的性能与结构 被引量：18
17
作者 郭海 黄勇 李建保 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期532-536,共5页
从结构设计的角度出发研究了层状复合Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料。利用轧膜工艺使层内的晶粒、晶须产生定向增韧，通过调整外部层状复合结构得到材料的两级增韧效果，并实验制备了高韧性层状复合Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷材料。主层内加入一定量的Ｓｉ... 从结构设计的角度出发研究了层状复合Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料。利用轧膜工艺使层内的晶粒、晶须产生定向增韧，通过调整外部层状复合结构得到材料的两级增韧效果，并实验制备了高韧性层状复合Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷材料。主层内加入一定量的ＳｉＣ晶须，层状氮化硅陶瓷的断裂韧性可达到２０．１１ＭＰａ·ｍ１／２。 展开更多
关键词 层状复合 氮化硅陶瓷 陶瓷 性能 结构
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氮化硅陶瓷的研究进展 被引量：21
18
作者 王正军 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期155-158,共4页
氮化硅陶瓷是一种有广阔发展前景的高温高强度结构陶瓷.其具有高性能(如强度高、抗热震稳定性好、疲劳韧性高、室温抗弯强度高、耐磨、抗氧化、耐腐蚀性好等).已广泛应用于各行各业.氮化硅的制备方法主要有反应烧结法(RS)、热压烧结法(H... 氮化硅陶瓷是一种有广阔发展前景的高温高强度结构陶瓷.其具有高性能(如强度高、抗热震稳定性好、疲劳韧性高、室温抗弯强度高、耐磨、抗氧化、耐腐蚀性好等).已广泛应用于各行各业.氮化硅的制备方法主要有反应烧结法(RS)、热压烧结法(HPS)、常压烧结法(PLS)和气压烧结法(GPS)等.目前存在的主要问题是氮化硅陶瓷产品韧性低、成本较高.今后应改善制粉、成型和烧结工艺及氮化硅与碳化硅的复合化,研制出更加优良的氮化硅陶瓷. 展开更多
关键词 氮化硅 陶瓷 反应烧结法 热压烧结法 常压烧结法 气压烧结法 进展
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氮化物结合碳化硅耐火材料的研究现状 被引量：18
19
作者 乐红志 彭达岩 文洪杰 《耐火材料》 CAS 北大核心 2004年第6期435-438,共4页
分别概述了以氮化硅、赛隆和氧氮化硅作为结合相 的SiC材料的结构特点、理化性能、生产工艺和应用情况,详细 介绍了国内这3种材料的研究现状,并对今后氮化物结合SiC 材料的研究内容提出了自己的观点。
关键词 碳化硅耐火材料 氮化硅 氮化物 理化性能 赛隆 国内 应用情况 研究现状
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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状 被引量：26
20
作者 蔡蔚 孙东阳 +2 位作者 周铭浩 郭庆波 高晗璎 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第14期42-55,共14页
近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体... 近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。 展开更多
关键词 第三代宽禁带功率半导体 碳化硅 氮化镓 芯片与封装技术 半导体应用与市场 碳化硅控制器和逆变器
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