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Ti/Cu/Ti部分瞬间液相连接Si_3N_4的界面反应和连接强度 被引量:33
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作者 周飞 李志章 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期273-278,共6页
用Ti/Cu/Ti多层中间层在 12 73K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接 ,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM ,EPMA和XRD对连接界面进行微观分析 ,并用扩散路径理论 ,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明 :在连接过程中 ,Cu与Ti... 用Ti/Cu/Ti多层中间层在 12 73K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接 ,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM ,EPMA和XRD对连接界面进行微观分析 ,并用扩散路径理论 ,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明 :在连接过程中 ,Cu与Ti相互扩散 ,形成Ti活度较高的液相 ,并与氮化硅发生反应 ,在界面形成Si3N4 /TiN/Ti5Si3+Ti5Si4 +TiSi2 /TiSi2 +Cu3Ti2 (Si) /Cu的梯度层。 展开更多
关键词 部分瞬间液相连接 氮化硅 扩散路径 界面反应 连接强度 陶瓷 钎焊
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用Ti/Ni/Ti多层中间层进行Si_3N_4陶瓷的部分瞬间液相连接 被引量:26
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作者 陈铮 赵其章 +3 位作者 楼宏青 周飞 李志章 罗启富 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期33-40,共8页
在1323K和0.1MPa压应力下用Ti/Ni/Ti多层中间层进行Si3N4陶瓷的部分瞬间液相连接.测定了不同连接时间的接头四点弯曲强度,对连接界面进行了SEM,EDX和XRD分析.结果表明:Ti和Ni相互扩散形成的... 在1323K和0.1MPa压应力下用Ti/Ni/Ti多层中间层进行Si3N4陶瓷的部分瞬间液相连接.测定了不同连接时间的接头四点弯曲强度,对连接界面进行了SEM,EDX和XRD分析.结果表明:Ti和Ni相互扩散形成的液态合金与Si3N4反应并浸润;液相区等温凝固后,形成Si3N4/反应层/NiTi/Ni3Ti/Ni的过渡层连接;连接时间为7.2ks时,NiTi层已基本消失.分析了陶瓷部分瞬间液相(PTLP)连接的特征,提出了陶瓷PTLP连接参数优化的模型. 展开更多
关键词 陶瓷 连接 中间层 瞬间液相 氮化硅陶瓷
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Ti箔厚度对Si_3N_4/Ti/Cu/Ti/Si_3N_4部分瞬间液相连接界面结构及强度的影响 被引量:8
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作者 邹家生 翟建广 +1 位作者 初雅杰 陈铮 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期19-22,共4页
采用Ti/Cu/Ti中间层在1273K、180min的条件下,改变Ti箔厚度进行Si3N4陶瓷的部分瞬间液相(PTLP)连接,讨论Ti箔厚度对界面结构及连接接头强度的影响,用扫描电镜、电子探针对连接界面区域进行了分析。结果表明,在试验范围内,Ti箔厚度为10μ... 采用Ti/Cu/Ti中间层在1273K、180min的条件下,改变Ti箔厚度进行Si3N4陶瓷的部分瞬间液相(PTLP)连接,讨论Ti箔厚度对界面结构及连接接头强度的影响,用扫描电镜、电子探针对连接界面区域进行了分析。结果表明,在试验范围内,Ti箔厚度为10μm时Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4接头的室温强度最高,为210MPa。PTLP连接时,当连接温度和时间不变,且连接时间能保证等温凝固过程充分进行的条件下,Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4连接界面结构、反应层厚度、等温凝固层厚度随着Ti箔厚度改变而改变。 展开更多
关键词 部分瞬间液相连 钛箔厚度 陶瓷 界面结构 连接强度
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碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺进展 被引量:14
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作者 刘杰 孙卫和 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2008年第2期59-62,共4页
综述了碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiCp/Al基复合材料)的研究进展,重点阐述了SiCp/Al基复合材料的主要制备工艺,并在此基础上展望了其相关及后续工艺的研究方向。
关键词 SICP/AL基复合材料 碳化硅 制备工艺 界面结合
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压阻加速度计的Au-Si共晶键合 被引量:15
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作者 王翔 张大成 +5 位作者 李婷 王玮 阮勇 李修函 王小保 杜先锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期332-336,共5页
通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成C... 通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论 . 展开更多
关键词 共晶键合 压阻式加速度计 封装
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氮化硅结合碳化硅窑具材料的研制 被引量:13
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作者 王立军 高积强 +1 位作者 王永兰 金志浩 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期4-6,27,共4页
本文研究了最终氮化温度以及硅加入量对氮化硅反应结合碳化硅对材料性能的影响.通过X射线衍射仪对材料进行物相分析,发现反应温度对材料的机械性能起着重要的作用.若温度过低则反应不完全,而温度过高则生成大量β—Si_3N_4,导致强度降低... 本文研究了最终氮化温度以及硅加入量对氮化硅反应结合碳化硅对材料性能的影响.通过X射线衍射仪对材料进行物相分析,发现反应温度对材料的机械性能起着重要的作用.若温度过低则反应不完全,而温度过高则生成大量β—Si_3N_4,导致强度降低.实验结果还表明,随着硅加入量的增加。 展开更多
关键词 耐火材料 碳化硅 氮化硅 窑具
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基于SOI技术高温压力传感器的研制 被引量:11
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作者 陈勇 郭方方 +3 位作者 白晓弘 卫亚明 程小莉 赵玉龙 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第6期4-6,共3页
针对油气田等领域高温高压环境要求,介绍了一种高温压力传感器芯片的设计及研制,设计的高温压力传感器芯片解决了传统压阻式传感器在高温高压环境下的热稳定性问题。通过静电键合封装技术将耐高温SOI压阻芯片与玻璃片在真空环境下封装... 针对油气田等领域高温高压环境要求,介绍了一种高温压力传感器芯片的设计及研制,设计的高温压力传感器芯片解决了传统压阻式传感器在高温高压环境下的热稳定性问题。通过静电键合封装技术将耐高温SOI压阻芯片与玻璃片在真空环境下封装结合为一体,作为全硅结构的压力传感器的弹性敏感单元,解决高温环境下测量大量程压力的难题。同时,采用高温充硅油技术,用波纹片和高温硅油将被测量介质隔离开来,提高了传感器的适应能力。 展开更多
关键词 高温压力传感器 硅隔离 静电键合 波纹膜片 封装
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室温硫化硅橡胶胶粘剂粘接增强改性研究进展 被引量:10
8
作者 王云英 蒋颂波 《中国胶粘剂》 CAS 2008年第7期50-53,共4页
室温硫化(RTV)硅橡胶胶粘剂具有很多优异的性能,因而在电子电器、汽车、机械、建筑和医疗等行业中得到广泛应用。但由于其对各种基材的粘接性能较差,因此对其进行粘接改性的研究很多,主要包括交联剂、聚硅氧烷物理化学增强和粘接面的表... 室温硫化(RTV)硅橡胶胶粘剂具有很多优异的性能,因而在电子电器、汽车、机械、建筑和医疗等行业中得到广泛应用。但由于其对各种基材的粘接性能较差,因此对其进行粘接改性的研究很多,主要包括交联剂、聚硅氧烷物理化学增强和粘接面的表面处理等方面的改性研究。从交联剂的选择、树脂的增强改性和粘接面的表面处理方面综述了RTV硅橡胶胶粘剂的增强改性机理和国内外的研究进展,并提出了未来的研究方向。 展开更多
关键词 室温硫化 硅橡胶 胶粘剂 粘接性能 增强 改性
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光刻机用精密碳化硅陶瓷部件制备技术 被引量:8
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作者 刘海林 霍艳丽 +5 位作者 胡传奇 黄小婷 王春朋 梁海龙 唐婕 陈玉峰 《现代技术陶瓷》 CAS 2016年第3期168-178,共11页
本文介绍了光刻机用碳化硅陶瓷结构件的特点及其对材料的要求,分析了碳化硅陶瓷在光刻机中作为结构件材料使用的优势,着重介绍了中国建筑材料科学研究总院在精密碳化硅结构件的制备领域所取得的技术成果,列举了精密碳化硅结构件在光刻... 本文介绍了光刻机用碳化硅陶瓷结构件的特点及其对材料的要求,分析了碳化硅陶瓷在光刻机中作为结构件材料使用的优势,着重介绍了中国建筑材料科学研究总院在精密碳化硅结构件的制备领域所取得的技术成果,列举了精密碳化硅结构件在光刻机等集成电路制造关键装备中的应用。 展开更多
关键词 碳化硅 凝胶注模 素坯加工 反应连接 化学气相沉积 集成电路 光刻机
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Interfacial design of silicon/carbon anodes for rechargeable batteries:A review 被引量:4
10
作者 Quanyan Man Yongling An +3 位作者 Chengkai Liu Hengtao Shen Shenglin Xiong Jinkui Feng 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期576-600,I0014,共26页
Silicon(Si)has been studied as a promising alloying type anode for lithium-ion batteries due to its high specific capacity,low operating potential and abundant resources.Nevertheless,huge volume expansion during alloy... Silicon(Si)has been studied as a promising alloying type anode for lithium-ion batteries due to its high specific capacity,low operating potential and abundant resources.Nevertheless,huge volume expansion during alloying/dealloying processes and low electronic conductivity of Si anodes restrict their electrochemical performance.Thus,carbon(C)materials with special physical and chemical properties are applied in Si anodes to effectively solve these problems.This review focuses on current status in the exploration of Si/C anodes,including the lithiation mechanism and solid electrolyte interface formation,various carbon sources in Si/C anodes,such as traditional carbon sources(graphite,pitch,biomass),and novel carbon sources(MXene,graphene,MOFs-derived carbon,graphdiyne,etc.),as well as interfacial bonding modes of Si and C in the Si/C anodes.Finally,we summarize and prospect the selection of carbonaceous materials,structural design and interface control of Si/C anodes,and application of Si/C anodes in all-solid-state lithium-ion batteries and sodium-ion batteries et al.This review will help researchers in the design of novel Si/C anodes for rechargeable batteries. 展开更多
关键词 silicon/carbon anodes Lithium-ion batteries Interfacial reaction Carbon sources Interface bonding
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太阳能多晶硅铸锭用熔融石英坩埚氮化硅涂层的制备 被引量:7
11
作者 朱录涛 《襄樊学院学报》 2010年第2期79-81,共3页
熔融石英坩埚是生产太阳能多晶硅铸锭的必要容器,为脱模方便,需在其内表面喷涂一层氮化硅.采用高纯氮化硅粉在国产石英坩埚上喷涂,研究喷涂氮化硅浆液时石英基底温度和涂膜厚度对石英坩埚氮化硅涂层结合强度的影响.结果表明:采用高纯氮... 熔融石英坩埚是生产太阳能多晶硅铸锭的必要容器,为脱模方便,需在其内表面喷涂一层氮化硅.采用高纯氮化硅粉在国产石英坩埚上喷涂,研究喷涂氮化硅浆液时石英基底温度和涂膜厚度对石英坩埚氮化硅涂层结合强度的影响.结果表明:采用高纯氮化硅粉喷涂石英坩埚基底,温度应在40℃以下且喷涂涂层厚度不宜超过80μm. 展开更多
关键词 太阳能多晶硅 石英坩埚 氮化硅 结合强度 划格试验法
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一种圆片级硅三层键合的三明治加速度传感器 被引量:6
12
作者 徐玮鹤 林友玲 +3 位作者 车录锋 李玉芳 熊斌 王跃林 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期230-232,共3页
提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线... 提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线。传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.26mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.42mm。对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器灵敏度约4.15pF/g,品质因子为56,谐振频率为774Hz。 展开更多
关键词 电容式加速度传感器 硅硅键合 圆片级真空封装
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SDB-SOI制备过程中工艺控制
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作者 刘洋 《电子工业专用设备》 2024年第3期20-23,共4页
SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加... SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加工难度,最终制备出高质量的产品。 展开更多
关键词 硅晶圆 绝缘衬底上硅(SOI) 键合 磨削
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High mechanical strength Si anode synthesis with interlayer bonded expanded graphite structure for lithium-ion batteries
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作者 Wenhui Lai Jong Hak Lee +8 位作者 Lu Shi Yuqing Liu Yanhui Pu Yong Kang Ong Carlos Limpo Ting Xiong Yifan Rao Chorng Haur Sow Barbaros Ozyilmaz 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期253-263,I0007,共12页
Despite advancements in silicon-based anodes for high-capacity lithium-ion batteries,their widespread commercial adoption is still hindered by significant volume expansion during cycling,especially at high active mass... Despite advancements in silicon-based anodes for high-capacity lithium-ion batteries,their widespread commercial adoption is still hindered by significant volume expansion during cycling,especially at high active mass loadings crucial for practical use.The root of these challenges lies in the mechanical instability of the material,which subsequently leads to the structural failure of the electrode.Here,we present a novel synthesis of a composite combining expanded graphite and silicon nanoparticles.This composite features a unique interlayer-bonded graphite structure,achieved through the application of a modified spark plasma sintering method.Notably,this innovative structure not only facilitates efficient ion and electron transport but also provides exceptional mechanical strength(Vickers hardness:up to658 MPa,Young's modulus:11.6 GPa).This strength effectively accommodates silicon expansion,resulting in an impressive areal capacity of 2.9 mA h cm^(-2)(736 mA h g^(-1)) and a steady cycle life(93% after 100cycles).Such outsta nding performance is paired with features appropriate for large-scale industrial production of silicon batteries,such as active mass loading of at least 3.9 mg cm^(-2),a high-tap density electrode material of 1.68 g cm^(-3)(secondary clusters:1.12 g cm^(-3)),and a production yield of up to 1 kg per day. 展开更多
关键词 Lithium-ion battery silicon anode Spark plasma sintering Interlayer bonding Mechanical strength Tap density
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一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器 被引量:6
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作者 徐玮鹤 车录锋 +2 位作者 李玉芳 熊斌 王跃林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1620-1624,共5页
提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线... 提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线.传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.68mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.84mm.对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器漏率小于0.1×10-9cm3/s,灵敏度约为6pF/g,品质因子为35,谐振频率为489Hz. 展开更多
关键词 电容式加速度传感器 硅/硅键合 圆片级真空封装
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基于混合气体活化的硅基钽酸锂晶圆键合研究 被引量:1
16
作者 刘等等 帅垚 +2 位作者 黄诗田 吴传贵 张万里 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第6期693-698,共6页
集成在硅基衬底上的钽酸锂薄膜在新型声学器件上具有重要应用,等离子体活化键合是其主要的集成方式,相关研究报道众多但仍缺乏对等离子体活化工艺的深入研究。本文研究了LT和Si衬底晶圆在不同活化气氛、频率和时间下的亲水性接触角变化... 集成在硅基衬底上的钽酸锂薄膜在新型声学器件上具有重要应用,等离子体活化键合是其主要的集成方式,相关研究报道众多但仍缺乏对等离子体活化工艺的深入研究。本文研究了LT和Si衬底晶圆在不同活化气氛、频率和时间下的亲水性接触角变化情况,探索了一套可以显著提高键合强度的活化参数。研究结果发现,对晶圆表面采用N_(2)加O_(2)混合活化60 s后,LT和Si衬底晶圆亲水性接触角达到最小值,分别为4.244°和3.859°。键合后用SEM扫描了样片的横截面,发现键合质量良好。最后对比了用O_(2)、N_(2)和Ar活化60 s,以及N_(2)加O_(2)混合活化60 s后键合片的键合强度,发现混合气体活化后键合强度最大,达到了9.05 MPa。 展开更多
关键词 晶圆键合 亲水角 活化 钽酸锂 硅基 键合强度
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CVD制备碳化硅膜层的工艺温度影响与性能 被引量:1
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作者 王力 李靖晗 +2 位作者 李华民 包根平 张慧 《中国高新科技》 2023年第10期99-101,共3页
文章在工艺温度1150~1350℃区间对化学气相沉积(CVD)技术制备SiC薄膜的密度和硬度、沉积速率、膜层表面形貌、碳化硅微观结构,以及膜层和基体结合强度作了系统性探究,结果显示1250℃下膜层表面形貌光滑、膜层致密、与基体结合性能良好,... 文章在工艺温度1150~1350℃区间对化学气相沉积(CVD)技术制备SiC薄膜的密度和硬度、沉积速率、膜层表面形貌、碳化硅微观结构,以及膜层和基体结合强度作了系统性探究,结果显示1250℃下膜层表面形貌光滑、膜层致密、与基体结合性能良好,膜层由β-SiC组成,并具有优良的硬度与导热性。 展开更多
关键词 碳化硅 化学气相沉积 工艺温度 沉积速率 界面结合
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Integration of GaN thin films with silicon substrates by fusion bonding and laser lift-off 被引量:3
18
作者 王婷 郭霞 +2 位作者 方圆 刘斌 沈光地 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第7期416-418,共3页
GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are successfully bonded and transferred onto Si receptor substrates using fusion bonding and laser lift-off (LLO) techn... GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are successfully bonded and transferred onto Si receptor substrates using fusion bonding and laser lift-off (LLO) technique. GaN/Al2O3 structures are joined to Si substrates by pressure bonding Ti/Au coated GaN surface onto Ti/Au coated Si receptor substrates at the temperature of 400℃. KrF excimer laser with 400-mJ/cm^2 energy density, 248-nm wavelength, and 30-ns pulse width is used to irradiate the wafer through the transparent sapphire substrates and separate GaN films from sapphire. Cross-section scanning electron microscopy (SEM) combined with energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) measurements show that Au/Si solid solution is formed during bonding process. Atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) measurements show that the qualities of GaN films on Si substrates degrade little after substrates transfer. 展开更多
关键词 Atomic force microscopy bonding Energy dispersive spectroscopy Excimer lasers Fusion reactions Gallium nitride Metallorganic chemical vapor deposition PHOTOLUMINESCENCE SAPPHIRE Scanning electron microscopy silicon Solid solutions SUBSTRATES Surfaces X ray spectrometers
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添加碱式碳酸镁对多孔SiC膜支撑体性能的影响 被引量:4
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作者 罗志勇 韩伟 +2 位作者 刘开琪 敖雯青 于晓杰 《耐火材料》 CAS 北大核心 2019年第3期170-174,共5页
为节约制作成本,降低SiC陶瓷膜支撑体烧结温度,以SiC和ρ-Al2O3为主要原料,采用碱式碳酸镁(BMC,外加质量分数分别为0、0.5%、1%和1.5%)为助烧结剂,于1300~1420℃无压烧结制备出原位反应结合SiC支撑体,并研究了BMC添加量对支撑体性能的... 为节约制作成本,降低SiC陶瓷膜支撑体烧结温度,以SiC和ρ-Al2O3为主要原料,采用碱式碳酸镁(BMC,外加质量分数分别为0、0.5%、1%和1.5%)为助烧结剂,于1300~1420℃无压烧结制备出原位反应结合SiC支撑体,并研究了BMC添加量对支撑体性能的影响。结果表明:添加BMC加剧了SiC表面氧化,使原位反应结合温度降低(<1300℃),促进SiC颗粒间颈部形成,提高了试样的强度;当BMC添加量从0.5%逐渐增加到1.5%,试样在不同温度烧后的显气孔率逐渐降低;BMC助烧剂的最佳添加量为1.0%(w),在1360℃烧后制备的多孔SiC支撑体的常温抗折强度为25.3MPa,是未添加助烧剂的2.7倍,且在1050℃风冷热震5次后,常温抗折强度保持率90%以上,热震后的常温抗折强度19MPa以上,可满足高温烟气净化用膜支撑体的指标要求。 展开更多
关键词 SIC 陶瓷膜 支撑体 碱式碳酸镁 反应结合
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Hierarchical pomegranate-structure design enables stress management for volume release of Si anode
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作者 Fang Di Zhenxing Wang +8 位作者 Chong Ge Lixiang Li Xin Geng Chengguo Sun Haiming Yang Weimin Zhou Dongying Ju Baigang An Feng Li 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第26期1-10,共10页
Si is a promising anode material for lithium-ion batteries owing to its high theoretical capacity.How-ever,large stress during(de)lithiation induces severe structural pulverization,electrical contact failure,and unsta... Si is a promising anode material for lithium-ion batteries owing to its high theoretical capacity.How-ever,large stress during(de)lithiation induces severe structural pulverization,electrical contact failure,and unstable solid-electrolyte interface,which hampers the practical application of Si anode.Herein,a Si-based anode with a hierarchical pomegranate-structure(HPS-Si)was designed to modulate the stress variation,and a sub-micronized Si-based sphere was assembled by the nano-sized Si nanospheres with sub-nanometer-sized multi-phase modification of the covalently linked SiO_(2-x),SiC,and carbon.The sub-micronized HPS-Si stacked with Si nanospheres can avoid agglomerates during cycling due to the high surface energy of nanomaterials.Meanwhile,the reasonable pore structure from SiO_(2) reduction owing to density difference is enough to accommodate the limited volume expansion.The Si spheres with a size of about 50 nm can prevent self-cracking.SiO_(2-x),and SiC as flexible and rigid layers,have been syner-gistically used to reduce the surface stress of conductive carbon layers to avoid cracking.The covalent bonding immensely strengthens the link of the modification with Si nanospheres,thus resisting stress effects.Consequently,a full cell comprising an HPS-Si anode and a LiCoO_(2) cathode achieved an energy density of 415 Wh kg^(-1) with a capacity retention ratio of 87.9%after 300 cycles based on the active ma-terials.It is anticipated that the hierarchical pomegranate-structure design can provide inspiring insights for further studies of the practical application of silicon anode. 展开更多
关键词 Stress management silicon anode Hierarchical structure Covalent bonding Volume release
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