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题名仿真研究NPT-IGBT器件的瞬态特性
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作者
刘钺杨
金锐
赵哿
于坤山
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机构
国网智能电网研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期347-351,共5页
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基金
北京市科委科技资助项目(Z111104056011004)
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-91-12-001)
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文摘
绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关特性和短路特性),并探讨器件短路工作过程中的自升温效应。另外,在保证导通沟道长度不变的前提下,研究pin区与MOS区所占元胞尺寸比例k对IGBT通态电压与关断损耗折衷关系的影响,以及采用自对准工艺进行元胞设计对器件短路特性的影响。研究发现:合理设计氧化隔离层的尺寸能明显提高IGBT的抗短路能力,从而提高器件坚固性;比例系数k越大,通态损耗越低,而开关损耗越高,设计时需综合考虑通态电压和关断损耗的折衷。适当选取k值能完成最优化的器件设计。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
氧化隔离层
开关损耗
短路耐量
折衷设计
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Keywords
insulated gate bipolar transistor （IGBT）
spacer
switching loss
short-circuit ruggedness
trade-off design
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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