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Graetzel型光电化学太阳能电池(PEC)研究进展 被引量:33
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作者 钱新明 白玉白 +2 位作者 李铁津 汤心颐 吕红辉 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2000年第2期141-151,共11页
本文对 Graetzel型 PEC中纳米晶半导体电极的表面修饰 ,纳米晶网络半导体电极 /溶液界面及界面电荷转移动力学特性方面的研究进行了综述 ,介绍了 Graetzel型PEC的结构组成及工作原理并对今后研究工作的重点提出一些建议。
关键词 光电化学 纳米晶网络 半导体电极 太阳能电池
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改性Ti/SnO_2-Sb电极降解硝基苯废水 被引量:10
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作者 刘淼 冷粟 +9 位作者 陈嵩岳 张亮 张美秀 刘宛宜 沈力 张振斌 刘南 焦昕倩 陈力可 全福民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1899-1906,共8页
采用热分解法制备了Ti/SnO2-Sb电极,并通过掺杂Cu,Ni,La,Ce,Nd,Zn和Bi等金属对该电极进行改性.采用扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射(XRD)等方法表征了电极的形貌及晶型;通过加速电极寿命测试和电催化降解硝基苯模拟废水实验,研究了金属... 采用热分解法制备了Ti/SnO2-Sb电极,并通过掺杂Cu,Ni,La,Ce,Nd,Zn和Bi等金属对该电极进行改性.采用扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射(XRD)等方法表征了电极的形貌及晶型;通过加速电极寿命测试和电催化降解硝基苯模拟废水实验,研究了金属掺杂对Ti/SnO2-Sb电极稳定性及电催化活性的影响.根据硝基苯降解的动力学方程分析不同金属掺杂对电极降解速率的影响;通过质谱对硝基苯的降解机理进行了初步探讨;采用水杨酸捕集羟基自由基的液相色谱法测定OH.的浓度.实验结果表明,与空白Ti/SnO2-Sb电极相比,金属掺杂改善了电极的表面形貌和SnO2衍射峰的强度,提高了Ti/SnO2-Sb阳极的电解寿命.对硝基苯模拟废水的电解实验结果表明,掺杂电极的电催化降解能力显著提高,硝基苯的降解符合准一级反应动力学方程.质谱分析结果表明,硝基苯在阴极被还原成苯胺并被氧化降解成其它有机物的过程发生迅速.羟基自由基浓度测定结果表明,自由基浓度越高,硝基苯降解速率越快,反应60 min时,空白Ti/SnO2-Sb电极的OH·浓度只有掺Cu金属电极的1/5. 展开更多
关键词 半导体电极 电催化氧化 硝基苯 金属掺杂
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Photoelectrode for water splitting: Materials,fabrication and characterization 被引量:6
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作者 Zhiliang Wang Lianzhou Wang 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2018年第6期806-821,共16页
Photoelectorchemical(PEC) water splitting is an attractive approach for producing sustainable and environment-friendly hydrogen. An efficient PEC process is rooted in appropriate semiconductor materials, which shoul... Photoelectorchemical(PEC) water splitting is an attractive approach for producing sustainable and environment-friendly hydrogen. An efficient PEC process is rooted in appropriate semiconductor materials, which should possess small bandgap to ensure wide light harvest, facile charge separation to allow the generated photocharges migrating to the reactive sites and highly catalytic capability to fully utilize the separated photocharges. Proper electrode fabrication method is of equal importance for promoting charge transfer and accelerating surface reactions in the electrodes. Moreover,powerful characterization method can shed light on the complex PEC process and provide deep understanding of the rate-determining step for us to improve the PEC systems further. Targeting on high solar conversion efficiency, here we provide a review on the development of PEC water splitting in the aspect of materials exploring, fabrication method and characterization. It is expected to provide some fundamental insight of PEC and inspire the design of more effective PEC systems. 展开更多
关键词 PHOTOelectrode water splitting semiconductor material electrode fabrication CHARACTERIZATION
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大功率半导体激光器电极失效机理研究综述 被引量:2
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作者 吴子博 宋悦 +3 位作者 牛屾 白佳明 吕志勇 单肖楠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期643-650,共8页
大功率半导体激光器具有体积小、重量轻、转换效率高等优势,在工业加工、军事国防、医疗美容等各个领域具有广泛的应用。然而,大功率半导体激光器仍然受到电极失效的影响,导致其可靠性下降,使用寿命变短。本文首先阐述了大功率半导体激... 大功率半导体激光器具有体积小、重量轻、转换效率高等优势,在工业加工、军事国防、医疗美容等各个领域具有广泛的应用。然而,大功率半导体激光器仍然受到电极失效的影响,导致其可靠性下降,使用寿命变短。本文首先阐述了大功率半导体激光器电极的失效机理;其次,介绍了电极的制备与欧姆接触评估方法,以及电极的失效分析手段方法,最后归纳了欧姆接触工艺的改良方法。在本文研究过程当中,归纳总结了目前学者们对于欧姆接触不良研究的相关进展,对进一步解决电极失效,提高大功率半导体激光器的可靠性具有重要的意义。 展开更多
关键词 半导体激光器 电极失效 欧姆接触
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对抗·碰撞——故事里的网版印刷技术与半导体技术(七)
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作者 肖凝 肖婧 《丝网印刷》 2023年第19期16-23,共8页
图形化工艺是所有半导体技术基本工艺中最关键的,但工艺过程确实更加繁冗。与半导体制作ITO电极的高设备投资、高制作成本相比,一印即可的网版印刷电极制作工艺确实是全面地优于半导体工艺。
关键词 半导体技术 网版印刷 ITO电极
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碳纳米管与金属电极异质连接及其电学性能的研究进展 被引量:3
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作者 梅欢欢 崔健磊 +2 位作者 程杨 何小桥 梅雪松 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期258-280,共23页
随着半导体集成电路的高速发展,不断减小的半导体器件的特征尺寸成为制约电子产业发展的主要瓶颈,进而催生了对新型半导体材料越来越多的需求。碳纳米管因其独特的电学、力学、化学稳定性等成为了理想的下一代电导线材料。然而,在碳纳... 随着半导体集成电路的高速发展,不断减小的半导体器件的特征尺寸成为制约电子产业发展的主要瓶颈,进而催生了对新型半导体材料越来越多的需求。碳纳米管因其独特的电学、力学、化学稳定性等成为了理想的下一代电导线材料。然而,在碳纳米管与金属异质电极之间建立可靠且有效的连接较难实现,这使碳纳米管的应用面临着巨大的挑战。针对这一问题,详细概述了碳纳米管与金属电极之间的几何接触形式、界面接触行为、互连技术及其电学性能的最新研究进展。 展开更多
关键词 材料 激光 半导体集成 碳纳米管 金属电极 异质连接 电学性能
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平面交叉指状电极间电场分布 被引量:1
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作者 史常忻 覃化 +1 位作者 邵传芬 曹俊峰 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期27-30,共4页
研究了具有金属-半导体-金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系,并求出了使探测器内部电场均匀性、稳定性达到最佳的几何条件。
关键词 半导体器件 MSM-PD 光电器件
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半导体硅电极多通道放电机理研究 被引量:2
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作者 邱明波 傅炯波 +2 位作者 段亚俊 沈理达 韩云晓 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第21期208-214,共7页
为了实现电火花加工同一时刻形成多个放电通道蚀除工件,克服现有放电加工理论中同一时刻仅有一个放电通道蚀除工件的限制,提出了采用半导体材料作为电极进行放电加工的新方法。首先,通过试验证明以半导体硅为电极加工金属可以形成多通... 为了实现电火花加工同一时刻形成多个放电通道蚀除工件,克服现有放电加工理论中同一时刻仅有一个放电通道蚀除工件的限制,提出了采用半导体材料作为电极进行放电加工的新方法。首先,通过试验证明以半导体硅为电极加工金属可以形成多通道放电;其次,建立了半导体电极单通道放电等效电路模型,发现半导体电极在放电加工时不是一个等势体,并进行了电势差分布试验,验证了多通道放电形成的原因是远离放电点处的电势较高,可以同时形成击穿产生放电;最后,进行了半导体硅电极单脉冲放电试验及成型加工试验。试验结果显示,半导体硅电极通过1次脉冲放电同时形成多个放电通道,有效地分散放电能量,相较于金属电极,每个放电坑的直径和深度都显著减小。在相同放电参数下,对比钢电极,用硅电极进行电火花加工的表面粗糙度值下降71.7%。 展开更多
关键词 电火花 半导体电极 多通道放电 放电等效电路 极间电势分布
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碳纳米管在染料敏化太阳能电池中的应用 被引量:2
9
作者 栾静繁 张爱波 +1 位作者 赵纯颖 孙黎 《粘接》 CAS 2011年第10期85-89,共5页
染料敏化太阳能电池结合了染料光敏剂和无机半导体的优势,具有较宽的光谱响应范围、对环境友好、制造工艺简单等特点,应用前景广阔。碳纳米管特殊的几何形状和导电性对于提高染料敏化太阳能电池的光电转化效率有显著作用。本文介绍了碳... 染料敏化太阳能电池结合了染料光敏剂和无机半导体的优势,具有较宽的光谱响应范围、对环境友好、制造工艺简单等特点,应用前景广阔。碳纳米管特殊的几何形状和导电性对于提高染料敏化太阳能电池的光电转化效率有显著作用。本文介绍了碳纳米管在有机染料敏化太阳能电池中各个主要工作部分的应用。 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 碳纳米管 有机光敏剂 对电极 电解质
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SiC光导开关衬底与电极界面场强仿真与优化设计 被引量:1
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作者 罗燕 丁蕾 +2 位作者 赵毅 姚崇斌 王立春 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期41-46,共6页
研究电极结构、SiC与电极连接结构对界面场强的影响,通过电极边缘以及SiC晶体结构的优化降低界面处的电场增强,并通过高压试验测试优化电极结构的击穿电压。结果表明,优化电极倒角以及SiC晶体与电极的界面下埋可有效降低电场增强,在电... 研究电极结构、SiC与电极连接结构对界面场强的影响,通过电极边缘以及SiC晶体结构的优化降低界面处的电场增强,并通过高压试验测试优化电极结构的击穿电压。结果表明,优化电极倒角以及SiC晶体与电极的界面下埋可有效降低电场增强,在电极为圆倒角及界面使用焊料连接的结构下,使用介质环的器件在电压22 kV时击穿。 展开更多
关键词 光导半导体 SiC开关 电极 界面 击穿场强
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Methyl Termination and ATR-FTIR Evaluation of n-Si(111) Electrode towards Photoelectrochemical Cell Fabrication
11
作者 Toshihito Ohtake 《Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology》 2013年第3期169-171,共3页
We confirmed methyl termination on n-Si(111) surface by ATR-FTIR measurement, which was fabricated by a photo chloro-reaction and its methylation. The coverage of the methylation was about 63.7%, and the surface was n... We confirmed methyl termination on n-Si(111) surface by ATR-FTIR measurement, which was fabricated by a photo chloro-reaction and its methylation. The coverage of the methylation was about 63.7%, and the surface was not re-terminated by hydrogen. Photoelectrochemical properties of the n-Si(111) were measured as an electrode for a photoelectrochemical cell, and an onset potential obtaining photocurrent for the methyl terminated n-Si(111) electrode was observed as negative shift at 70 mV comparing with that of the hydrogen terminated n-Si(111) electrode. Therefore, the negative shift would be expected for improving open circuit voltage towards solar cell. 展开更多
关键词 METHYL TERMINATION ATR-FTIR semiconductor electrode Si PHOTOELECTROCHEMICAL Cell
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Fabrication by Fine Particles and Evaluation of WO<sub>3</sub>Photo Semiconductor Electrode
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作者 Toshihito Ohtake 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》 2013年第6期51-54,共4页
Application of semiconductor particles has been noticed to solve energy problems as photocatalysis for O2 evolution in water splitting etc. We are trying fabrication of semiconductor electrode by n-WO3 particle toward... Application of semiconductor particles has been noticed to solve energy problems as photocatalysis for O2 evolution in water splitting etc. We are trying fabrication of semiconductor electrode by n-WO3 particle toward O2 evolution in water splitting. The electrode obtained high photooxidation properties of water as preventing effective recombination between electrons and holes by utilizing fine semiconductor particles. Particularly, application of suspension prepared by ball milling was able to obtain fine n-WO3 thin film and the remarked semiconductor properties. 展开更多
关键词 semiconductor electrode WO3 PHOTOCATALYSIS PHOTOELECTROCHEMISTRY Water SPLITTING
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<i>In Situ</i>Imposing Bias ATR-FTIR Observation at Hydrogen Terminated Si(111) Electrode Surface-Modified with Adsorbed Monolayer
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作者 Toshihito Ohtake Ken-ichiro Iijima 《Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology》 2019年第3期29-37,共9页
Since hydrogen-terminated Si surface has hydrophobicity, it is expected that adsorbed monomolecular film of surfactant will be formed on the Si surface in aqueous solution containing the surfactant. Such an adsorbed m... Since hydrogen-terminated Si surface has hydrophobicity, it is expected that adsorbed monomolecular film of surfactant will be formed on the Si surface in aqueous solution containing the surfactant. Such an adsorbed monolayer film is very effective for the development of a functional electrode. In this study, we have investigated the state of adsorption about an aerosol OT as the monolayer on the electrode surface and its orientation with hydrogen-terminated Si(111) surface by in situ ATR-FTIR spectroscopy. At this time, in situ observation performed while imposing bias to the electrode. The results suggested that the aerosol OT were desorbed by the oxidation of back-bonds in the Si atoms on the electrode surface under the imposing noble potential, although no change was observed especially when imposing less-noble potential. 展开更多
关键词 semiconductor electrode Silicon HYDROGEN Termination Oxidization In Situ ATR-FTIR
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Effect of different metal-backed waveguides on amplified spontaneous emission
14
作者 张波 侯延冰 +5 位作者 娄志东 滕枫 刘小君 胡兵 孟令川 武文彬 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第8期284-288,共5页
We investigate the effect of a metallic electrode on the ability for poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4- phenylene vinylene] (MEH-PPV) film to undergo amplified spontaneous emission (ASE). The threshold of... We investigate the effect of a metallic electrode on the ability for poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4- phenylene vinylene] (MEH-PPV) film to undergo amplified spontaneous emission (ASE). The threshold of the device with Ag cladding is about 10 times greater than that of a metal-free device, but metal such as Al completely shuts off ASE. The ASE recurs when a thin spacer layer, such as a few nanometers of SiO2, is introduced between the MEH-PPV film and the Al cladding. Compared with the Cu or Al electrode, the Ag cladding is most suited to serve as an electrode with its low optical loss due to its high work-function and reflectivity. 展开更多
关键词 polymer semiconductor amplified spontaneous emission electrode
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Photoelectric behaviour of lattice-matched GaAs/Al_x Ga_1-xAs quantum well electrodes
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作者 刘尧 肖绪瑞 +3 位作者 曾一平 闫春辉 郑海群 孙殿照 《Science China Mathematics》 SCIE 1997年第5期540-545,共6页
The photoelectric properties of the lattice-matched GaAs/AlxGa1-xAs quantum well electrodes and the influence of the electrode structure such as well width, the thickness of outer barrier and the number of period were... The photoelectric properties of the lattice-matched GaAs/AlxGa1-xAs quantum well electrodes and the influence of the electrode structure such as well width, the thickness of outer barrier and the number of period were studied in a nonaqueous electrolyte. A new kind of structure of multiple quantum well electrode with varied well width, possessing the quantum yield three times that of GaAs bulk materials, was designed and fabricated. 展开更多
关键词 QUANTUM well semiconductor electrode PHOTOCURRENT QUANTUM yield photoelectrochemistry.
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Photovoltaic Properties of the Modified n-Si(111) Electrodes with Ethyl and Carboxyls
16
作者 Yuxue ZHAO Yabo WEI +3 位作者 Wensheng YANG Pudun ZHANG Xin ZHOU Qinghong XU 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第2期157-160,共4页
n-Si(111) surface tailed -C2H5, -C2H4COOH, -C2H2COOH were prepared by the reactions among Si-H to ethyl-Grignard, methyl acrylate and ethyl propionate, and the carboxyls were formed under the existence of trifluoroa... n-Si(111) surface tailed -C2H5, -C2H4COOH, -C2H2COOH were prepared by the reactions among Si-H to ethyl-Grignard, methyl acrylate and ethyl propionate, and the carboxyls were formed under the existence of trifluoroacetic acid. The composite n-Si(111) electrodes were obtained by depositing Pt nanodots and the photovoltaic characteristics for these electrodes were studied in I^-/I3^- redox electrolyte. The j-U (photo current density-potential) behaviors of photo-voltage and photocurrent densities to the electrodes under solar illumination varied regularly with groups of -C2H2COOH〉-C2H4COOH〉-H〉-C2H5. The photo-voltage and photocurrent density of the electrode tailed -C2 H2COOH were -0.641 V and 5.25 mA/cm^2, respectively, more negative than those of the non-conjugated modification. 展开更多
关键词 n-Si(111) wafer Photo-voltage Photocurrent density semiconductor electrode
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n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
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作者 左芬 翟章印 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期606-610,共5页
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩... 目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500℃时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。 展开更多
关键词 砷化镓 半导体 欧姆接触 金锗镍合金 电极材料 离子溅射 比接触电阻率
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电活性分子L-B膜修饰CdSe薄膜电极的光电化学研究 被引量:1
18
作者 肖绪瑞 林原 孙璧媃 《感光科学与光化学》 CSCD 1990年第4期241-247,共7页
用电活性分子——硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰了薄膜CdSe电极,在单色光650nm光照下用循环伏安法研究修饰的薄膜电极的光电化学性能。研究结果指出经多层L-B膜修饰后,薄膜CdSe电极的,I-V性能和光稳定性都有明显改善。用界面能级关系讨论了... 用电活性分子——硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰了薄膜CdSe电极,在单色光650nm光照下用循环伏安法研究修饰的薄膜电极的光电化学性能。研究结果指出经多层L-B膜修饰后,薄膜CdSe电极的,I-V性能和光稳定性都有明显改善。用界面能级关系讨论了硬脂酸二茂铁酯L-B膜在光照的CdSe薄膜/Fe(CN)_6^(4-)溶液界面起传递电荷的中介作用,加速了界面的电荷转移。 展开更多
关键词 半导体电极 修饰 CaSe薄膜 L-B膜
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半导体纳米材料修饰电极及其应用研究进展 被引量:1
19
作者 张琪 白雪 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期22-24,共3页
综述了半导体纳米材料用于电化学检测有机污染物的电极反应基本原理。并以肼和硝基苯酚的分析检测为例,重点介绍了基于几种典型半导体纳米材料修饰的电化学传感器的应用研究进展,最后对半导体纳米材料修饰电极的发展方向进行了展望。
关键词 半导体 纳米材料 电极 电化学传感器 有机污染物
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半导体放电管固体场畸变三电极开关 被引量:1
20
作者 赵越 王传伟 +3 位作者 王凌云 刘宏伟 李洪涛 谢卫平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期868-870,共3页
基于半导体放电管过电压自击穿原理,探索设计了一种固体场畸变三电极开关。该开关由两组半导体放电管阵列印刷电路组成,受到触发时,一组半导体放电管阵列首先击穿,另一组阵列继而过电压自击穿,开关导通。实验测试了特定幅值触发脉冲时... 基于半导体放电管过电压自击穿原理,探索设计了一种固体场畸变三电极开关。该开关由两组半导体放电管阵列印刷电路组成,受到触发时,一组半导体放电管阵列首先击穿,另一组阵列继而过电压自击穿,开关导通。实验测试了特定幅值触发脉冲时的负载电压,初步验证了半导体放电管固体场畸变三电极开关设计的可行性。讨论了降低开关导通电感,提高通流能力、工作电压及运行频率的方法。 展开更多
关键词 半导体放电管 场畸变 三电极 多元胞
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