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ⅡA族钙钛矿型氧化物半导瓷的结构与特性 被引量:7
1
作者 李标荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期591-595,共5页
研究了用于表面层和晶粒边界层型的BaTiO3 ,SrTiO3 陶瓷的还原、再氧化、掺杂与替位固溶的情况 .并对这类陶瓷的半导化特性与工艺过程的关系作了讨论 .文中指出 :只有良好的再氧化层才能具有良好的介电特性 ,而不是颗粒间的二相物质 .
关键词 钛酸钡基陶瓷 钛酸锶基陶瓷 半导化陶瓷 还原 再氧化 半导体陶瓷
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无铅热敏感PTC材料的研究及应用 被引量:1
2
作者 方培生 李广 +2 位作者 郑建标 张燕姑 夏海江 《测控技术》 CSCD 2003年第9期54-55,共2页
对ZnO TiO2 NiO系半导体陶瓷,掺杂ZnO、TiO2、NiO对其性能的影响进行了研究,获得合理控制掺杂和烧结工艺,并研制成PTC电烙铁,获得好效果。
关键词 半导体陶瓷 PTC发热体
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还原气氛对表面层陶瓷电容器介电性能的影响 被引量:1
3
作者 钟朝位 张树人 +1 位作者 李应中 王婷婷 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第6期459-461,共3页
在材料组成、烧结工艺不变的情况下,系统研究了还原气氛对Y5V、Y5U、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明,半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛,无论是Y5V、Y5U还是Y5P瓷片均... 在材料组成、烧结工艺不变的情况下,系统研究了还原气氛对Y5V、Y5U、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明,半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛,无论是Y5V、Y5U还是Y5P瓷片均有类似的变化规律。氧分压降低,电容器的电容量温度变化率ΔC/C变小,当H2∶N2比例大于20∶100时,瓷片的ΔC/C不再变化,大约为空气烧结瓷片ΔC/C的88%。在不改变瓷料组成、烧结温度的情况下,通过还原气氛的适当控制,可改善Y5V、Y5U、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特性,而其他介电性能基本不变。 展开更多
关键词 BATIO3 电容器 半导体陶瓷 表面层
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(Ba_(1-x-y)Pb_xCa_y)TiO_3 PTC材料的掺杂和工艺
4
作者 方培生 谷亨杰 方国宏 《传感技术学报》 CAS CSCD 1992年第1期12-16,共5页
本文对(Ba_(1-x-y)Pb_xCa_y)TiO_3系半导体陶瓷掺杂Ca,Pb,Nb,Mn对其性能的影响进行了研究,获得了合理控制掺杂和烧结的工艺.
关键词 半导体陶瓷 PTCR发热体 正温度系数热敏电阻 TiO3系
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气敏传感器的近期进展 被引量:25
5
作者 李平 余萍 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期126-128,132,共4页
综合介绍了气敏传感器材料及元件的最新进展,侧重于气敏材料研究工作的概述。
关键词 气敏传感器 半导体陶瓷 敏感材料 传感器
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BaTiO_3半导瓷材料中施受主杂质互补作用的研究 被引量:10
6
作者 龚树萍 曾少敏 +1 位作者 付明 周东祥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第3期25-28,共4页
对施主掺杂而言,在缺位补偿区,引入高受主掺杂可使材料的常温电阻率随受主杂质的引入量增加呈U型曲线变化,同时晶粒尺寸随之单调上升。这是由于受主杂质的引入利于产生氧空位,导致钡空位浓度下降的结果。
关键词 半导瓷材料 氧化钛钡 掺杂 PTC 热敏电阻
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高温PTC陶瓷研究进展 被引量:6
7
作者 潘宇 陈旭 +1 位作者 任萍 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期326-331,共6页
概述了高温PTC陶瓷近几年来的研究进展,着重介绍了(Ba、Pb)TiO3高温PTC陶瓷体系中Pb对居里点移动的影响,以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展,简要论述了PTCR的唯象分析理论,展望了高温PTC陶瓷的... 概述了高温PTC陶瓷近几年来的研究进展,着重介绍了(Ba、Pb)TiO3高温PTC陶瓷体系中Pb对居里点移动的影响,以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展,简要论述了PTCR的唯象分析理论,展望了高温PTC陶瓷的研究前景。 展开更多
关键词 PTCR 半导体陶瓷 高温PTC陶瓷
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化学法制备的(Sr,Pb)TiO_3基PTCR陶瓷 被引量:5
8
作者 王德君 桂治轮 李龙土 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第6期543-546,共4页
通过化学工艺制备(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷,首次获得了与BaTiO3陶瓷相类似的典型PTC特性,样品耐压强度大,室温电阻率低于102Ω.cm,升阻比高达106.33,烧结温度可以降低至1100℃以下。
关键词 钛酸锶铅 正温度系数 陶瓷 半导体陶瓷
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用Mssbauer谱研究Zn_2SnO_4的湿敏机理 被引量:2
9
作者 高乃飞 余洪瑞 +3 位作者 张秀芳 刘源源 张中太 周志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期125-130,共6页
本文用 Mssbauer 谱学方法,对半导体陶瓷 Zn_2SnO_4的湿敏机理做了分析,得出结论:Sn 原子对Zn_2SnO_4的湿敏机理是有贡献的,Zn_2SnO_4湿敏机理是电子离子混合型传导,作为湿敏机理分析方法,M(?)ssbauer 谱是比较合适的。
关键词 锰酸锌 半导体陶瓷 湿敏机理
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程控电话交换机用 PTC 过流保护器的研究
10
作者 陈亿裕 夏继红 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期61-65,共5页
采用居里点353~383K,温度系数+16%以上,电阻率30Ω·cm的PTC半导体陶瓷材料制成的电流敏感器件———程控电话交换机用PTC过流保护器,已研制成功并投入使用。现从材料制造角度出发,阐述该器件的设计原理... 采用居里点353~383K,温度系数+16%以上,电阻率30Ω·cm的PTC半导体陶瓷材料制成的电流敏感器件———程控电话交换机用PTC过流保护器,已研制成功并投入使用。现从材料制造角度出发,阐述该器件的设计原理、测试方法,对器件的耐流特性进行较深入的研究。 展开更多
关键词 程控电话交换机 电流敏感器件 过流保护器 耐流特性 半导体陶瓷 居里点
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掺杂MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷的研究 被引量:3
11
作者 王恕 程继健 《华东化工学院学报》 CSCD 1990年第5期551-559,共9页
在MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷的基体中掺入V_2O_3杂质,改进了系统的电性能。通过大量实验,确定最佳工艺条件:1200℃还原气氛中烧结1h,采用RuO_2电极浆料,在70Hz、1V的交流电下测试湿度电阻特性;确定最佳组成为MgO:Cr_2O_3:TiO_2:V_2O_3=... 在MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷的基体中掺入V_2O_3杂质,改进了系统的电性能。通过大量实验,确定最佳工艺条件:1200℃还原气氛中烧结1h,采用RuO_2电极浆料,在70Hz、1V的交流电下测试湿度电阻特性;确定最佳组成为MgO:Cr_2O_3:TiO_2:V_2O_3=80:80:20:2(摩尔比)。研制的MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷具有阻值范围适中(10~3~10~7Ω)、响应快(小于10s)、滞后效应小(<±1%)和灵敏度高等优点。用SEM、XRD、EPMA等手段分析了典型的MgCr_2O_4-TiO_2湿敏陶瓷的显微结构、晶相和成分分布。用XPS、EPR和IR论证了该材料的导电机理。用NMR和IR初步探讨了半导体湿敏陶瓷的湿敏机理。 展开更多
关键词 掺杂 湿敏电阻器 半导体陶瓷
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氧化锌压敏电阻器的导电机理及实验 被引量:2
12
作者 范坤泰 郝丕柱 +1 位作者 韩述斌 苗永尧 《山东工业大学学报》 1989年第1期30-36,共7页
叙述了ZnO压敏电阻器的结构和性能,分析了它的导电机理。并依据此理论进行了工艺实验,研制出了彩电用压敏电阻器。其压敏电压、漏电流和非线性系数等重要参数都达到了彩电元件国产化标准的要求,经用户上机实验,证明设计合理,性能良好。
关键词 压敏电阻器 氧化锌 导电机理
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添加剂对ZrO_2-MgO系湿敏陶瓷湿阻性能的影响
13
作者 周宛玲 凌志达 王飞 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 1989年第2期76-82,共7页
本文研究了ZrO_2-MgO系湿敏陶瓷Zr/Mg比及添加剂对其湿阻性能的影响,摸索了有关配方和工艺。实验结果表明,提高Zr/Mg比,并引入某些M_2O_3(M为三价金属元素)外加剂对湿阻性能有利,但低温下元件的阻值仍较高。进一步添加外加剂如Li_2CO_3... 本文研究了ZrO_2-MgO系湿敏陶瓷Zr/Mg比及添加剂对其湿阻性能的影响,摸索了有关配方和工艺。实验结果表明,提高Zr/Mg比,并引入某些M_2O_3(M为三价金属元素)外加剂对湿阻性能有利,但低温下元件的阻值仍较高。进一步添加外加剂如Li_2CO_3,可使湿阻性能得到改善。 展开更多
关键词 湿敏陶瓷 湿阻特性 多孔陶瓷 半导体陶瓷 相对湿度
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用于航空半导体电咀SnO_2半导体陶瓷的研究 被引量:1
14
作者 肖尊文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1997年第3期38-41,共4页
本文研究了以SnO2为基础的半导体陶瓷,论及了其配方范围、工艺方法、各组分的影响关系以及性能特点等,指出该材料能满足航空点火系统点火的性能要求。
关键词 半导体 半导体陶瓷 电嘴 氧化锡 航空
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掺杂剂对BaTiO_3PTC材料特性的影响 被引量:2
15
作者 赵双群 高斌 +1 位作者 范文斌 胡绪洲 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1998年第S1期68-71,共4页
研究了施主杂质和晶粒间添加剂对BaTiO3PTC材料一些性能的影响规律和机制。
关键词 半导体陶瓷 PTC材料 耐电压强度 电阻温度系数
原文传递
Voltage Dependence of Resistivity in Semiconducting Ceramics
16
作者 郑振华 缪容之 陈羽 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1994年第7期548-552,共5页
Voltage dependence of resistivity(VDR)is a widely existing phenomenon insemiconducting ceramics, but there is no quantitative study on this phenomenon. Inthis note, the quantitative results of voltage dependence of re... Voltage dependence of resistivity(VDR)is a widely existing phenomenon insemiconducting ceramics, but there is no quantitative study on this phenomenon. Inthis note, the quantitative results of voltage dependence of resistivity insemiconducting ceramics are obtained from the grain boundary barrier model, andthe methods to decrease the voltage dependence of resistivity in sendconductingceramics are proposed. 展开更多
关键词 semiconductING ceramicS RESISTIVITY voltage DEPENDENCE GRAIN-BOUNDARY barrier.
原文传递
Conductivity of CeO_2 Modified SrTiO_3 Ceramics
17
作者 肖鸣山 陈玲 +1 位作者 张成琚 王希香 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第1期16-20,共5页
The CeO2 modified SrTiO3 ceramics were prepared by conventional ceramic process. The SrTiO3 matrix and CeO2 additive were combined in following system:SrTiO3 +x(CeO2·TiO2), where x is the weight percent , of whic... The CeO2 modified SrTiO3 ceramics were prepared by conventional ceramic process. The SrTiO3 matrix and CeO2 additive were combined in following system:SrTiO3 +x(CeO2·TiO2), where x is the weight percent , of which x (wt%)=2,5, 10, 15, 20,25, and 30. The samples were sintered at 1400℃ for an hour in air. The Ce element in SrTiO3 ceramics is used as an impurity donor. The scanning electron microscopic (SEM) analysis and X-ray diffractive examination of SrTiO3 ceramics containing CeO2 indicated that there exists a Ce2O3 secondary phase (viz. glass phase) and it had solid solution solubility for impurities which decrease the semiconductive property of SrTiO3 ceramics , and weaken the oxidation of the surface of grain and thus increase the conductivity of the grains. The semiconducting ceramics process lightly distorted cubic structure at room temperature. This paper mainly gives a study of the conductivity of CeO2 modified SrTiO3 ceramics. 展开更多
关键词 semiconducting ceramics CONDUCTIVITY Secondary phase Distorted cubic structure
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Air-fired Ni for Ohmic Electrode of PTCR
18
作者 周东祥 陈勇 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2006年第2期44-46,共3页
The constitution and firing-technology of Ni paste were experimentally investigated. The experimental resalts show that the contact resistance could be lowered by adding glass powder and Boron powder, respectively use... The constitution and firing-technology of Ni paste were experimentally investigated. The experimental resalts show that the contact resistance could be lowered by adding glass powder and Boron powder, respectively used as adhesive and antioxidant when the content of Ni powder is higher than 65wt% . By firing at 810 ℃ , Ni paste obtained could form a good ohmic contact to PTC ceramics, as shown by SEM iamges. In addition, we compared the electrical properties of PTCR ceramics measured with various electrodes and found that fired- Ni contact is superior to contacts made by fired-Al and sputtered-Ni. 展开更多
关键词 PTCR Ni paste ohmic contact semiconducting ceramics
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Limits of physical properties and design for GBBL capacitors of semiconducting ceramics
19
作者 郑振华 陈羽 缪容之 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1995年第6期463-466,共4页
Grain boundary barrier layer (GBBL) capacitors are widely used for their excellent physical properties. But since the invention of BaTiO<sub>3</sub> GBBL capacitor in the 1960s, no theory can quantitativ... Grain boundary barrier layer (GBBL) capacitors are widely used for their excellent physical properties. But since the invention of BaTiO<sub>3</sub> GBBL capacitor in the 1960s, no theory can quantitatively describe their physical properties, which has resulted in many problems in the design and manufacture of GBBL capacitors. In this note, on the basis of grain-boundary-barrier model, we quantitatively analyze the physical properties and their limits of GBBL capacitors, and thus make designs and study the methods to improve the properties of GBBL capacitors. 展开更多
关键词 semiconductING ceramicS GBBL capacitors limits of PHYSICAL PROPERTIES design of device.
原文传递
用激光拉曼谱表征半导陶瓷湿度传感器中晶粒微结构的特性 被引量:1
20
作者 胡绪洲 范德里尔顾锡嘉 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1997年第2期160-166,共7页
半导陶瓷湿度传感器是用固相反应和粉末压片烧结的方法制作,它以二氧化锆、二氧化硅、五氧化二磷为主料,并且掺杂三氧化二钇和五氧化二铌.借助于高分辨率的四角和单斜二氧化锆的激光拉曼标准谱,二氧化锆晶粒的微结构显然在未掺杂和... 半导陶瓷湿度传感器是用固相反应和粉末压片烧结的方法制作,它以二氧化锆、二氧化硅、五氧化二磷为主料,并且掺杂三氧化二钇和五氧化二铌.借助于高分辨率的四角和单斜二氧化锆的激光拉曼标准谱,二氧化锆晶粒的微结构显然在未掺杂和用三氧化二钇或五氧化二铌掺杂的样品中分别属于单斜和四角对称晶系.它们在激光显微镜下发出可以区分的不同色彩的荧光.未掺杂的二氧化锆晶粒是线度为1~2μm的斜角四边形,而掺杂烧结的晶粒是尺寸大到3~10μm的正方形。 展开更多
关键词 激光拉曼谱 湿度传感器 晶粒微结构 半导体陶瓷
原文传递
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