半导体量子点和量子线材料及其制备技术 被引量：6

1

作者 张臣 《微细加工技术》 2001年第1期74-78,共5页

综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。

关键词 自组织生长 量子点 量子线

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硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备 被引量：1

2

作者 吴兴龙 顾沂 鲍希茂 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期301-304,共4页

报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC... 报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC的氮气氛中退火20 min,使C60分解成活性碳,与周围的硅原子结合生成碳化硅,碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点),C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成. 展开更多

关键词 硅基碳化硅量子点 自组织生长 纳米半导体

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自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究

3

作者 刘艳美 赵宗彦 +2 位作者 杨坤堂 徐章程 韩家骅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期862-864,共3页

用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ... 用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ,这与宏观连续体弹性理论的预测相近。结合电镜。 展开更多

关键词 INAS/GAAS量子点 自组织量子点 X射线双晶衍射法 摇摆曲线 光电性质 子单层沉积法

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超高真空化学气相淀积自组织生长锗量子点(英文)

4

作者 邓宁 张磊 +1 位作者 黄文韬 陈培毅 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2004年第3期171-174,共4页

采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点 .通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进行了研究 ,对生长的温度和时间进行了优化 .采用硼预淀积的方法得到了尺寸分布小于 3 %的均匀的圆顶形Ge... 采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点 .通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进行了研究 ,对生长的温度和时间进行了优化 .采用硼预淀积的方法得到了尺寸分布小于 3 %的均匀的圆顶形Ge量子点 .采用低温光荧光测量了多层量子点的光学特性 .在 10K的PL谱可以观察到明显的蓝移现象 ,表明量子点中较强的量子限制效应 .量子点非声子峰的半高宽约为 46meV ,表明采用UHV/CVD工艺生长的多层量子点具有较窄的尺寸分布 . 展开更多

关键词 量子点 化学气相淀积 自对准 光测量 光荧光 自组织生长 PL谱 尺寸分布 声子 蓝移

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分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究

5

作者 白元强 莫庆伟 范缇文 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期182-184,共3页

报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论．结果表明：多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着InAs量子点层数的增加，量子... 报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论．结果表明：多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着InAs量子点层数的增加，量子点的密度下降，其尺寸随层数的增加趋向均匀．在试验条件下，5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理，其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成． 展开更多

关键词 分子束外延 量子点 电子显微镜 TEM 砷化铟

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UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)

6

作者 黄文韬 邓宁 +2 位作者 陈培毅 罗广礼 钱佩信 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期17-22,共6页

在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量... 在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量子点中岛状量子点的比例为75%,其直径66nm,高11nm,密度4.5×109cm-2。利用透射电子显微镜分析了垂直自对准的Ge量子点的截面形貌,结果表明多层结构Ge量子点是垂直自对准的。Ge量子点及其浸润层的喇曼谱峰位分别为299cm-1和417cm-1,说明Ge量子点是应变的并且界面存在互混现象。采用光荧光谱分析了Ge量子点的光学特性。 展开更多

关键词 UHV/CVD 自对准生长 GE量子点 锗 超高真空化学汽相淀积设备 自组织生长 垂直自对准 PL谱

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纳米量子点结构的自组织生长 被引量：6

7

作者 彭英才 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期160-168,共9页

所谓自组织生长纳米量子点 ,是具有较大晶格失配度的两种材料 ,依靠自身的应变能量 ,并以 Stranki- Krastanov(S- K)生长模式 ,在衬底表面上形成的具有一定形状、尺寸和密度的自然量子点结构。文中主要介绍了量子点自组织生长的基本原... 所谓自组织生长纳米量子点 ,是具有较大晶格失配度的两种材料 ,依靠自身的应变能量 ,并以 Stranki- Krastanov(S- K)生长模式 ,在衬底表面上形成的具有一定形状、尺寸和密度的自然量子点结构。文中主要介绍了量子点自组织生长的基本原理、几种不同类型量子点的自组织生长及其光致发光特性。 展开更多

关键词 纳米量子点 自组织生长 光致发光

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生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响 被引量：2

8

作者 吴军 顾书林 +6 位作者 施毅 江宁 朱顺明 郑有炓 王牧 刘晓勇 闵乃本 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第4期34-37,共4页

对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。实验表明 。

关键词 GE量子点 化学气相淀积 自组织生长 锗

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衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

9

作者 于磊 曾一平 +4 位作者 潘量 孔梅影 李晋闽 李灵霄 周宏伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期652-656,共5页

研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其中衬底温度直接影响着 In的偏析程度 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ G... 研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其中衬底温度直接影响着 In的偏析程度 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ Ga As的生长模式 ;生长速率影响着Inx Ga1 -x As外延层的质量 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD的形状及尺寸 .通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD(x=0 .3) 展开更多

关键词 自组织生长 衬底温度 生长速率 MBE 砷化镓

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自组织生长的量子点结构及其光学特性 被引量：1

10

作者 汪兆平 韩和相 李国华 《光散射学报》 1997年第1期29-39,共11页

本文介绍量子点结构的自组织生长方法及量子点的光学性质。着重介绍量子点结构中的声子和拉曼散射的测量结果。此外，也介绍了自组织生长的量子点的形貌结构特性，电子结构和发光特性。

关键词 量子点 自组织生长 拉曼散射 发光特性 半导体

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4H-SiC纳米薄膜的晶化研究 被引量：1

11

作者 张洪涛 徐重阳 +1 位作者 邹雪城 王长安 《微细加工技术》 2002年第1期30-35,共6页

采用新电极结构的PECVD技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在SiO2 玻璃表面形成双等离子流 ,增加了SiO2 表面SiC的成核几率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶。采用高H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及... 采用新电极结构的PECVD技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在SiO2 玻璃表面形成双等离子流 ,增加了SiO2 表面SiC的成核几率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶。采用高H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时 ,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用 ,产生自组织生长 ,发生晶化。Raman光谱和透射电子衍射 (TEM )的测试结果表明 ,纳米晶SiC是 4H -SiC多型结构。实验结果指出 ,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核 ,并且其晶化存在一个功率密度阈值 ;当低于这一功率密度阈值时 ,晶化消失 ;当超过这一阈值时 ,纳米晶含量随功率密度的提高而增加 ,晶粒尺寸加大。电子显微照片表明晶粒尺寸为 1 0～ 2 8nm ,形状为微柱体。随着晶化作用的加强 ,电导率增加 。 展开更多

关键词 4H-SIC 晶化 纳米薄膜

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动力学Monte Carlo方法对量子点生长微观机理模拟的研究进展

12

作者 周艳华 杨杰 +1 位作者 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第22期22001-22009,共9页

为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究。简要概括了采用动力学蒙特卡罗法(kinetic monte carlo,KMC)模拟量子点生长的研究进展。主要从模型结构和原子间相互作用... 为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究。简要概括了采用动力学蒙特卡罗法(kinetic monte carlo,KMC)模拟量子点生长的研究进展。主要从模型结构和原子间相互作用势的差异来介绍量子点二维层状生长向三维岛状生长过渡、成核位置、量子点尺寸分布以及量子点形貌转变等内容。此外还简单介绍了图形衬底上有序量子点生长的模拟研究进展,为量子点生长及应用奠定了坚实的基础。 展开更多

关键词 动力学蒙特卡罗 量子点 相互作用势 自组织生长 图案衬底

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半导体量子点材料 被引量：3

13

作者 张臣 《半导体情报》 2000年第5期1-4,11,共5页

综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。

关键词 自组织生长 量子点 应用 半导体材料 低维结构

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浙江民营文化经济增长模式探析 被引量：1

14

作者 鲍展斌 《宁波大学学报（人文科学版）》 2007年第2期25-30,共6页

浙江民营文化经济增长模式是一种对文化经济贡献巨大的内生性的自组织集群增长模式,这种模式之产生主要源于浙江深厚的文化积淀,民营企业家经世致用、注重文化的理念及诚信协作精神,同时得益于政府的政策引导。然而该模式仍存在管理粗... 浙江民营文化经济增长模式是一种对文化经济贡献巨大的内生性的自组织集群增长模式,这种模式之产生主要源于浙江深厚的文化积淀,民营企业家经世致用、注重文化的理念及诚信协作精神,同时得益于政府的政策引导。然而该模式仍存在管理粗放、投融资制度不健全、抗御市场风险能力弱等弊端,因此需要从体制、机制方面加以完善。 展开更多

关键词 浙江 民营文化经济 自组织集群增长模式

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