用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。...用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。典型陶瓷样品的电阻升阻比为 4.2 ,V型特性明显。Y掺杂陶瓷样品的电阻率与 Y掺杂量之间关系符合一般稀土掺杂规律。展开更多
文摘用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。典型陶瓷样品的电阻升阻比为 4.2 ,V型特性明显。Y掺杂陶瓷样品的电阻率与 Y掺杂量之间关系符合一般稀土掺杂规律。
