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题名硅纳米晶体的低温共晶合金化制作及其表征
被引量：1
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作者
李香春
刘金涛
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机构
文华学院信息科学与技术学部
西安工业大学建筑工程学院
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出处
《光散射学报》
北大核心
2017年第4期320-324,共5页
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基金
湖北省教育厅科研计划项目(B2015190)
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文摘
利用Au/Sb和Au/Si共晶点温度较低的特点,通过在~400℃合金化的方法,在硅片表面实现了掺Sb纳米晶体的制作。扫描电子显微镜观察到了Au/Si合金化反应形成的倒金字塔形蚀坑以及纳米结构的存在,拉曼散射光谱证实这些结构主要是纳米尺度的晶体,二次离子质谱表明Sb在Si中的掺杂浓度大于2×10^(18) cm^(-3),超过了Sb在体晶硅中的固溶度。该纳米晶体的制作方法简单易行,热预算较低,和其他微纳器件制作工艺的兼容性较好。
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关键词
硅纳米晶体
共晶点
拉曼散射光谱
二次离子质谱
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Keywords
silicon nanocrystals
eutectic point
Raman Scattering spectroscopy
secondary ionmass spectroscopy
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分类号
O472
[理学—半导体物理]
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题名基于4H-SiC压敏电阻的同质外延工艺
被引量：2
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作者
孙亚楠
石云波
冯恒振
王华
韩兴宇
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机构
中北大学电子测试技术重点实验室
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第2期131-135,共5页
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文摘
提出了SiC基MEMS压敏电阻的制造工艺,在4英寸(1英寸=2.54 cm)偏向<1120>的4H-SiC晶片同质外延生长了高质量的n型和p型外延层,并且利用激光喇曼光谱、X射线衍射(XRD)和二次离子质谱(SIMS)三种测试方法对样品的结晶质量、掺杂浓度及外延厚度进行了分析测试。在同质外延2μm的n型外延层后,通过对比衬底与外延膜的喇曼光谱图可知,外延膜很好地延续了衬底的晶型。用二次离子质谱对最外层的n型外延层的掺杂元素N元素的浓度进行了测试,结果表明N元素在掺杂范围内分布均匀,达到中等浓度的水平,并且测出掺杂厚度为1.98μm。掺杂浓度的喇曼测试结果与二次离子质谱的实验数据一致。最后,通过四探针测量方块电阻的方法得出其最大电阻率与最小电阻率,径向不均匀度为26.27%,表现出良好的电学特性。
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关键词
同质外延
4H—SiC
喇曼光谱
X射线衍射(XRD)
二次离子质谱(SIMS)
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Keywords
homoepitaxy
4H-SiC
Raman spectroscopy
X-ray diffraction （XRD）
secondary ionmass spectroscopy （SIMS）
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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