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Effect of Hydrogen on Corrosion and Stress Corrosion Cracking of AZ91 Alloy in Aqueous Solutions 被引量:1
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作者 Jian Chen Jian-Qiu Wang +2 位作者 En-Hou Han Wei Ke D.W.Shoesmith 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期1-7,共7页
The effect of hydrogen on the corrosion and stress corrosion cracking of the magnesium AZ91 alloy has been investigated in aqueous solutions. Hydrogen produced by corrosion in water diffuses into, and reacts with the ... The effect of hydrogen on the corrosion and stress corrosion cracking of the magnesium AZ91 alloy has been investigated in aqueous solutions. Hydrogen produced by corrosion in water diffuses into, and reacts with the Mg matrix to form hydride. Some of the hydrogen accumulates at hydride/Mg matrix (or secondary phase) interfaces as a consequence of slow hydride formation and the incompatibility of the hydride with the Mg matrix (or secondary phase), and combines to form molecular hydrogen. This leads to the development of a local pressure at the hydride/Mg matrix (or secondary phase) interface. The expansion stress caused by hydride formation and the local hydrogen pressure due to its accumulation result in brittle fracture of hydride. These two combined effects promote both the corrosion rate of the AZ91 alloy, and crack initiation and propagation even in the absence of an external load. Hydrogen absorption leads to a dramatic deterioration in the mechanical properties of the AZ91 alloy, indicating that hydrogen embrittlement is responsible for transgulanar stress corrosion cracking in aqueous solutions. 展开更多
关键词 AZ91 alloy CORROSion HYDROGEN secondary ion mass spectroscopy sims Transgulanarstress corrosion cracking (TGSCC)
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Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能 被引量:2
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作者 王仍 焦翠灵 +7 位作者 徐国庆 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期432-436,共5页
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨... 采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能. 展开更多
关键词 Hg1-xCdxTe晶体 磁输运 迁移率谱 二次离子质谱
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InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制 被引量:2
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作者 李永富 唐恒敬 +7 位作者 李淘 朱耀明 汪洋 殷豪 李天信 缪国庆 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期951-956,共6页
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素... 采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 二次离子质谱 扫描电容显微技术 ZN扩散
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激光脉冲退火对40nm超浅结和pMOS器件性能的优化 被引量:1
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作者 张冬明 刘巍 张鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期850-854,共5页
使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源区和多晶硅栅方块电阻、阈值电压卷曲曲线和本征特性曲线的影响。从SIMS结果可以看出,LSA由于其作用时间... 使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源区和多晶硅栅方块电阻、阈值电压卷曲曲线和本征特性曲线的影响。从SIMS结果可以看出,LSA由于其作用时间非常短(微秒量级),与锗的预非晶化离子注入结合起来,在完成注入离子激活的同时,有效避免不必要的结扩散,从而控制结深,形成超浅结。从进一步的电学特性测量上发现LSA对器件的薄层电阻、结电容和结漏电流也有非常大的影响:LSA和尖峰退火(SPK)共同退火的方式较单独的SPK退火方式,多晶硅方块电阻降低10%,而结电容和结漏电流也相应分别降低3%和50%,此外,相比于单独的SPK退火,LSA和SPK共同退火的方式也具有更好的阈值电压卷曲曲线和本征特性曲线特性。 展开更多
关键词 激光脉冲退火(LSA) 超浅结(USJ) 二次离子质谱(sims) 卷曲曲线 本征 特性曲线
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金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究 被引量:1
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作者 王仍 焦翠灵 +4 位作者 张莉萍 陆液 张可锋 杜云辰 李向阳 《红外》 CAS 2016年第10期1-6,16,共7页
通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分... 通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势。利用SIMS技术还分析了Ⅰ、Ⅱ族和Ⅵ、Ⅶ族杂质在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用。研究结果对提高探测器的性能具有指导意义。 展开更多
关键词 Hg_(1-x)Cd_xTe晶体 二次离子质谱 气相外延 Au掺杂 杂质
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邻近铀微粒的二次离子质谱测量干扰研究
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作者 张燕 赵永刚 +3 位作者 王同兴 沈彦 王凡 鹿捷 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期326-333,I0005,共9页
二次离子质谱(SIMS)测定铀微粒同位素比时,邻近微粒间可能产生干扰。在IMS-6f型SIMS上开展U350和U0002铀微粒在不同间距、不同测量顺序下铀同位素比测量研究,结果表明,微粒间距超过22μm(U350)和35μm(U0002)时,微粒的^(234)U/^(238)U、... 二次离子质谱(SIMS)测定铀微粒同位素比时,邻近微粒间可能产生干扰。在IMS-6f型SIMS上开展U350和U0002铀微粒在不同间距、不同测量顺序下铀同位素比测量研究,结果表明,微粒间距超过22μm(U350)和35μm(U0002)时,微粒的^(234)U/^(238)U、^(235)U/^(238)U、^(236)U/^(238)U测定结果与标称值相符;相同间距时,丰度低的微粒比丰度高的微粒受到的干扰严重,安全距离也更大;同一距离下,后测量的微粒比先测量的微粒受到的干扰严重,形貌疏松、尺寸小的微粒比密实、尺寸大的微粒受到的干扰严重。由已知两种丰度微粒计算得出的线性组合系数K_(4)(^(234)U/^(238)U)、K_(5)(^(235)U/^(238)U)和K_(6)(^(236)U/^(238)U)是否相近可以作为可疑混合微粒的判断准则。采用微操作进行单微粒剥离是消除相邻微粒干扰的有效方法。该工作为SIMS分析过程中有邻近微粒干扰时,发现、处理和排除可疑混合微粒数据,准确测量铀微粒同位素提供了参考。 展开更多
关键词 二次离子质谱(sims) 微粒分析 微操作 核保障
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现代表面分析技术用于纤维表面研究的新进展 被引量:5
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作者 张正健 胡惠仁 《中国造纸》 CAS 北大核心 2007年第12期53-58,共6页
阐述了原子力显微镜(AFM)、化学力显微镜(CFM)、X射线光电子能谱(XPS)、飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)几种先进表面分析技术的基本原理以及用于纸浆纤维表面研究的新进展。
关键词 纤维表面 原子力显微镜 化学力显微镜 X射线光电子能谱 飞行时间二次离子质谱
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空气中分子沾污(AMC)的实时监测 被引量:2
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作者 沈健 《洁净与空调技术》 2004年第2期49-52,共4页
简要地介绍了AiM监测器的原理及应用效果,该系统可以对沉积于SiO2表面的空气分子沾污AMC进行实时监测,所获得的数据对于了解洁净室内的工艺过程与产生AMC间的相互关系特别有用。通过监测吸附物总量的长期变化趋势,可以确定洁净室内环境... 简要地介绍了AiM监测器的原理及应用效果,该系统可以对沉积于SiO2表面的空气分子沾污AMC进行实时监测,所获得的数据对于了解洁净室内的工艺过程与产生AMC间的相互关系特别有用。通过监测吸附物总量的长期变化趋势,可以确定洁净室内环境沾污的基本值,以便有利于对新污染源的早期确认。 展开更多
关键词 空气分子沾污 洁净室 AMC 石英晶体微平衡计 声表面波 实时监测
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