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电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响
被引量:
1
1
作者
叶德洪
王津生
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2013年第10期27-31,共5页
IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题。讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素。通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解...
IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题。讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素。通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解液的类型及其浓度对第二焊线区分层的影响。通过对不同封装体第二焊线区分层程度的比较,认识到电解去溢料对一些大载荷小封装的IC封装体是不适用的,极易引起第二焊线区分层,从而使IC产品存在失效的风险。实验评估的结果为今后的封装体设计及生产工艺提供了可借鉴的经验。
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关键词
IC封装
第二焊线区分层
电镀
电解去溢料
引线框架
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职称材料
LQFP塑封电路第二焊线区分层影响因素分析
2
作者
王津生
叶德洪
+2 位作者
高伟
陈泉
郭会会
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2012年第7期25-30,共6页
讨论了在薄型四方扁平封装技术在封装形式中影响塑封胶材料和第二焊线区之间的分层因素,从封装工艺控制,封装材料的使用及框架设计等诸多影响因素中进行了分析实验。结果显示,虽然封装过程中的工艺参数会影响第二焊线区的分层,但通过选...
讨论了在薄型四方扁平封装技术在封装形式中影响塑封胶材料和第二焊线区之间的分层因素,从封装工艺控制,封装材料的使用及框架设计等诸多影响因素中进行了分析实验。结果显示,虽然封装过程中的工艺参数会影响第二焊线区的分层,但通过选择更合适的塑封胶材料及引线框架,不仅可以消除封装后的分层,还可以显著改善可靠性试验后的分层结果。所有实验结论都是在统计分析软件对实验数据进行统计分析后得出的。
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关键词
薄型四方扁平封装技术
第二焊线区分层
塑封胶
电镀
焊线
引线框架
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职称材料
题名
电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响
被引量:
1
1
作者
叶德洪
王津生
机构
飞思卡尔半导体(中国)有限公司
出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2013年第10期27-31,共5页
文摘
IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题。讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素。通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解液的类型及其浓度对第二焊线区分层的影响。通过对不同封装体第二焊线区分层程度的比较,认识到电解去溢料对一些大载荷小封装的IC封装体是不适用的,极易引起第二焊线区分层,从而使IC产品存在失效的风险。实验评估的结果为今后的封装体设计及生产工艺提供了可借鉴的经验。
关键词
IC封装
第二焊线区分层
电镀
电解去溢料
引线框架
Keywords
IC
plastic
packaging
second
bond
delamination
plating
electro-
deflash
lead
frame
分类号
TQ320.6 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
LQFP塑封电路第二焊线区分层影响因素分析
2
作者
王津生
叶德洪
高伟
陈泉
郭会会
机构
飞思卡尔半导体(中国)有限公司
出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2012年第7期25-30,共6页
文摘
讨论了在薄型四方扁平封装技术在封装形式中影响塑封胶材料和第二焊线区之间的分层因素,从封装工艺控制,封装材料的使用及框架设计等诸多影响因素中进行了分析实验。结果显示,虽然封装过程中的工艺参数会影响第二焊线区的分层,但通过选择更合适的塑封胶材料及引线框架,不仅可以消除封装后的分层,还可以显著改善可靠性试验后的分层结果。所有实验结论都是在统计分析软件对实验数据进行统计分析后得出的。
关键词
薄型四方扁平封装技术
第二焊线区分层
塑封胶
电镀
焊线
引线框架
Keywords
:LQFP
second
bond
delamination
EMC
plating
wire
bond
lead
frame
分类号
TQ320.6 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响
叶德洪
王津生
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2013
1
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职称材料
2
LQFP塑封电路第二焊线区分层影响因素分析
王津生
叶德洪
高伟
陈泉
郭会会
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2012
0
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职称材料
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