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应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
被引量：
1
1
作者
哈斯花
班士良
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期269-274,共6页
采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿(001)取向GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应.结果表明,若考虑压力对双轴及单轴应变的调制以及禁带宽度、有效质量和介电常数等参数的影响,激子结...
采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿(001)取向GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应.结果表明,若考虑压力对双轴及单轴应变的调制以及禁带宽度、有效质量和介电常数等参数的影响,激子结合能随压力的增大近似线性增加.此外,由简化相干近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中铝组分对激子结合能的影响.结果表明,在固定的压力下当铝组分增加时激子结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著.
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关键词
应变闪锌矿量子阱
激子结合能
电子-空穴气屏蔽
压力
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职称材料
题名
应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
被引量：
1
1
作者
哈斯花
班士良
机构
内蒙古大学物理科学与技术学院
出处
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期269-274,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60566002)
内蒙古自治区优秀学科带头人计划项目
文摘
采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿(001)取向GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应.结果表明,若考虑压力对双轴及单轴应变的调制以及禁带宽度、有效质量和介电常数等参数的影响,激子结合能随压力的增大近似线性增加.此外,由简化相干近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中铝组分对激子结合能的影响.结果表明,在固定的压力下当铝组分增加时激子结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著.
关键词
应变闪锌矿量子阱
激子结合能
电子-空穴气屏蔽
压力
Keywords
strained
zinc-blende
quantum
well
exciton
binding
energy
screening
of
electronhole
gas
pressure
分类号
O471.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
哈斯花
班士良
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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