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电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学 被引量：2
1
作者 胡晓琳 陈建中 +2 位作者 庄乃锋 兰建明 赵斌 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期358-363,共6页
本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率。结果表明 ,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制 ,在饱和点为38.0 0℃的溶液中 ,RHSe晶体的 { 111}和 { 10 1}晶面的临界过饱... 本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率。结果表明 ,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制 ,在饱和点为38.0 0℃的溶液中 ,RHSe晶体的 { 111}和 { 10 1}晶面的临界过饱和度分别为 1.0 1%和 1.16 %。实验过程中还发现 ,当过饱和度大于 1.76 %时 ,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷 ,因而在生长RHSe单晶时 ,过饱和度应控制在 1.76 展开更多
关键词 电光晶体 生长动力学 硒酸氢铷 多二维成核生长 RHSe 晶体生长
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溶液降温法生长硒酸氢铷(RHSe)晶体
2
作者 庄乃锋 陈建中 +3 位作者 高绍康 胡晓琳 赵斌 兰建明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期337-340,共4页
本文测定了硒酸氢铷 (RHSe)在水中的溶解度～温度曲线 ,并采用溶液降温法 ,克服了RHSe晶体生长时易漂晶、爬晶等不利因素 ,生长出大尺寸硒酸氢铷 (RHSe)单晶。对晶体生长条件。
关键词 溶液降温法 RHSe 硒酸氢铷 电光晶体 晶体生长 生长形态
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电光晶体硒酸氢铷过饱和溶液的成核研究 被引量：1
3
作者 陈建中 郭飞云 +1 位作者 庄乃锋 林树坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期376-380,共5页
本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期 ,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响 ,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由... 本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期 ,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响 ,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径 ,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据。 展开更多
关键词 硒酸氢铷 均匀成核 诱导期 溶液生长法 电光晶体
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