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题名基于优化对称布局的多芯片SiC模块动态均流
被引量：20
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作者
邵伟华
冉立
曾正
李晓玲
胡博容
廖兴林
李辉
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机构
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第6期1826-1836,共11页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51607016)
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0102303)
重庆市基础与前沿研究计划项目(cstc2016jcyj A0108)~~
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文摘
由于开关速度非常快,多芯片并联碳化硅（silicon carbide,SiC）功率模块的电压、电流振荡问题比硅（silicon,Si）器件更加突出,对寄生参数的要求也更高。然而,现有的商业化大功率SiC模块采用多芯片并联模式,大多沿用Si器件的封装技术,寄生参数不仅偏大,且存在明显的不对称性,不能充分发挥SiC器件的优越性能,亟需新的封装结构,以改善模块内的电热应力分布。首先,针对直接覆铜板（direct bonded copper,DBC）寄生电感的计算,提出两种简化计算方法,并将计算结果与有限元进行对比,基于这两种方法进行新型DBC布局的辅助设计,针对几种不同的三芯片并联功率模块,对比研究DBC布局对寄生参数分布、电流分布特性的影响,揭示寄生参数对多芯片并联模块电流分布的影响机理。最后,提出一种物理对称的新型功率模块封装结构,以实现各芯片间的电流均衡。对比分析表明,所提出的新型DBC布局能够显著减小回路之间的寄生参数差异,提升了SiC芯片间的电流分布一致性,有利于提升并联芯片额定电流的使用率,改善模块电–热应力的均衡性。
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关键词
SIC
MOSFET
寄生电感
DBC
圆形对称封装
动态均流
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Keywords
SiC MOSFET
stray inductance
DBC
round symmetrical packaging
dynamic current sharing
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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