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Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究
被引量：
1
1
作者
陈城钊
陈阳华
+3 位作者
黄诗浩
李成
赖虹凯
陈松岩
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期922-927,共6页
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃...
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。
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关键词
能带工程理论
Ge/SiGe
量子阱
室温荧光(
pl
)光谱
原文传递
题名
Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究
被引量：
1
1
作者
陈城钊
陈阳华
黄诗浩
李成
赖虹凯
陈松岩
机构
厦门大学物理系半导体光子学研究中心
韩山师范学院物理与电子工程系
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期922-927,共6页
基金
国家重大科学研究计划(2012CB933503)
国家自然科学基金(61036003
+1 种基金
61176092)
中央高校基本业务费(2010121056)资助项目
文摘
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。
关键词
能带工程理论
Ge/SiGe
量子阱
室温荧光(
pl
)光谱
Keywords
energy
band
engineering
theory
Ge/SiGe
quantum
well
room
temperature
photoluminescence
（
pl
）
spectra
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究
陈城钊
陈阳华
黄诗浩
李成
赖虹凯
陈松岩
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
已选择
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参考文献
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