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不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光 被引量：58
1
作者 张德恒 王卿璞 薛忠营 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1484-1487,共4页
用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光发射 (波长为 44 6nm) .经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高 ... 用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光发射 (波长为 44 6nm) .经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高 ,在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜 ,其积分发光强度分别增加了 7倍和 14倍 .而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著 .紫外光发射源于电子的带间跃迁 。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 紫外光致发光 射频磁控溅射法 氧化锌薄膜 半导体材料 退火 发光强度
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ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性 被引量：30
2
作者 黄佳木 董建华 张新元 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期7-10,13,共5页
笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜... 笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。 展开更多
关键词 导电薄膜 制备 射频磁控溅射 光电特性 锌氧铝薄膜 氧化铎 氧化锌铝陶瓷
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射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光 被引量：19
3
作者 王卿璞 张德恒 薛忠营 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期157-161,共5页
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;... 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频磁控溅射 SI衬底 光致发光
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射频磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜及其光致特性研究 被引量：22
4
作者 沈杰 沃松涛 +2 位作者 崔晓莉 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期81-86,共6页
在室温下采用射频溅射法制备纳米TiO2 薄膜 ,并用XRD、AFM、Raman谱仪等手段研究了不同溅射气压及不同退火温度处理后薄膜的结构及其相应的亲水性、光催化能力。结果表明 :在室温下制备的薄膜为无定形结构 ,当退火温度超过4 0 0℃时转... 在室温下采用射频溅射法制备纳米TiO2 薄膜 ,并用XRD、AFM、Raman谱仪等手段研究了不同溅射气压及不同退火温度处理后薄膜的结构及其相应的亲水性、光催化能力。结果表明 :在室温下制备的薄膜为无定形结构 ,当退火温度超过4 0 0℃时转化为锐钛矿结构。在 4 0 0℃下退火 展开更多
关键词 射频溅射 磁控溅射 纳米TIO2薄膜 纳米二氧化钛薄膜 光致特性 溅射气压 退火温度
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Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响 被引量：18
5
作者 宋登元 王永青 +2 位作者 孙荣霞 宗晓萍 郭宝增 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1078-1082,共5页
在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜 (ZnO∶Al) .薄膜沉积在衬底温度 2 5 0℃、溅射功率 10 0W和纯氩气氛中进行 .通过在 0 2～ 3 2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光... 在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜 (ZnO∶Al) .薄膜沉积在衬底温度 2 5 0℃、溅射功率 10 0W和纯氩气氛中进行 .通过在 0 2～ 3 2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光学特性和表观形貌的影响 .利用X射线衍射 (XRD)、透射和反射谱测量、扫描电子显微镜 (SEM) ,发现不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于衬底C轴择优取向 .在可见光谱范围 ,pAr对透过率的影响非常小 ,薄膜的平均透过率大于 83% ,但红外透过率与薄膜的电阻率成正比 .在较低的溅射气压下 (pAr=0 2Pa)获得的薄膜电阻率最小 ,对应有大的光学带隙 (3 6 1eV) .随着pAr的降低 ,晶粒尺寸增大 .pAr对ZnO∶Al薄膜的表观形貌有显著的影响 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 铝掺杂 射频磁控溅射 溅射气压 表观形貌
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透明TiO_2纳米管/FTO电极制备及表征 被引量：19
6
作者 汤育欣 陶杰 +5 位作者 陶海军 吴涛 王玲 张焱焱 李转利 田西林 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1120-1126,共7页
采用射频磁控溅射方法在透明导电玻璃(FTO)上沉积纯钛薄膜,室温条件下在H3PO4+HF电解液中通过恒压阳极氧化方法得到TiO2纳米管阵列,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对纳米管阵列... 采用射频磁控溅射方法在透明导电玻璃(FTO)上沉积纯钛薄膜,室温条件下在H3PO4+HF电解液中通过恒压阳极氧化方法得到TiO2纳米管阵列,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对纳米管阵列进行了表征.研究表明,在电压为20V、氧化时间为50min时,钛薄膜转化为TiO2纳米管阵列,管长约为380nm,内径约为90nm,管壁约为15nm;再经过500℃空气热处理6h之后得到锐钛矿型的TiO2纳米管/FTO透明电极,在可见光区的平均透过率约为80%,TiO2禁带宽度为3.28eV,发生了蓝移,带尾扩展到2.6eV;此外,对结晶前后的复合电极分别在暗态和紫外光下进行线性扫描和瞬态光电流测试,结果表明,结晶的电极表现出更好的光电转换性能;施加阳极电压和紫外光照射都能够促进TiO2光生载流子有效分离,使电子迅速传至导电玻璃表面通过外电路形成光电流. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 钛薄膜 阳极氧化 TIO2纳米管阵列 透明电极
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FeS_2/TiO_2复合膜的制备及光伏特性的研究 被引量：9
7
作者 陈章其 林云 倪明生 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期171-177,共7页
用溶胶┐凝胶法先在ＩＴＯ膜上制备纯锐钛矿结构的ＴｉＯ２膜（８０ｎｍ），然后在ＴｉＯ２膜上射频溅射黄铁矿结构的ＦｅＳ２膜（２０ｎｍ），得到ＦｅＳ２／ＴｉＯ２复合膜经在硫气氛中退火处理，在电解液（Ｉ－／Ｉ）接触的情况下，... 用溶胶┐凝胶法先在ＩＴＯ膜上制备纯锐钛矿结构的ＴｉＯ２膜（８０ｎｍ），然后在ＴｉＯ２膜上射频溅射黄铁矿结构的ＦｅＳ２膜（２０ｎｍ），得到ＦｅＳ２／ＴｉＯ２复合膜经在硫气氛中退火处理，在电解液（Ｉ－／Ｉ）接触的情况下，该复合膜获得１７８ｍＶ的开路光电压（ｐＨ＝１２）和４７μＡ的短路光电流（ｐＨ＝１）。电解液的ｐＨ值越高，输出光电压越高。 展开更多
关键词 二硫化铁 二氧化钛 光电转换 复合膜 光伏特性
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ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质 被引量：13
8
作者 黄树来 马瑾 +3 位作者 刘晓梅 马洪磊 孙征 张德恒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期56-59,共4页
在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3&#... 在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % . 展开更多
关键词 透明导电膜 ZnO—SnO2 射频磁控溅射
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RF磁控溅射法制备ZnO薄膜的XRD分析 被引量：11
9
作者 汪冬梅 吕珺 +2 位作者 陈长奇 吴玉程 郑治祥 《理化检验（物理分册）》 CAS 2006年第1期19-22,39,共5页
采用RF磁控溅射法，在玻璃村底上制备多晶ZnO薄膜，并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度（350～600℃）的退火处理和600℃时N2气氛中的退火处理。利用X射线衍射分析了溅射参数如溅射功率、溅射氧分压、衬底温度以及退火处理... 采用RF磁控溅射法，在玻璃村底上制备多晶ZnO薄膜，并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度（350～600℃）的退火处理和600℃时N2气氛中的退火处理。利用X射线衍射分析了溅射参数如溅射功率、溅射氧分压、衬底温度以及退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响。结果表明，合适的衬底温度和退火处理能够提高ZnO薄膜的结晶质量。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 rf磁控溅射 XRD 退火处理 结晶性能
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射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性 被引量：11
10
作者 张源涛 李万程 +4 位作者 王金忠 杨晓天 马艳 殷宗友 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期73-75,共3页
采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。
关键词 射频磁控溅射 结构 光学特性 ZNO薄膜 光荧光谱 氧化锌薄膜 外延生长
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ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析 被引量：11
11
作者 徐艺滨 杜国同 +2 位作者 刘维峰 杨天鹏 王新胜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期569-572,共4页
采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:A l(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数A l2O3)陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表... 采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:A l(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数A l2O3)陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征。得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω.cm。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 透明导电薄膜 AZO膜
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透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究 被引量：14
12
作者 黄佳木 董建华 张新元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期845-850,共6页
ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、... ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZAO薄膜 结构 光电特性
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(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究 被引量：10
13
作者 薛建设 林炜 +2 位作者 马瑞新 康勃 吴中亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期560-564,共5页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2Ω.cm,且可见光段(320～800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3Ω.cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。 展开更多
关键词 氧化锌 透明导电薄膜 电阻率 透光率 射频磁控溅射
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非织造基磁控溅射纳米银薄膜导电性能的研究 被引量：13
14
作者 许凤凤 魏取福 孟灵灵 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期105-107,共3页
在室温条件下采用射频磁控溅射在丙纶(PP)、聚乳酸(PLA)熔喷非织造布表面生长纳米银(Ag)薄膜,并且用等离子体预处理样品进行对比。采用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,采用四探针测试仪对所制备的纳米薄膜的导电性能进行表征。研... 在室温条件下采用射频磁控溅射在丙纶(PP)、聚乳酸(PLA)熔喷非织造布表面生长纳米银(Ag)薄膜,并且用等离子体预处理样品进行对比。采用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,采用四探针测试仪对所制备的纳米薄膜的导电性能进行表征。研究溅射时间、孔隙率及孔径分布和等离子处理对非织造基纳米银薄膜的导电性能的影响。实验表明:随着反应溅射时间的增加,薄膜的方块电阻值下降,导电性能增加;孔径大小也影响薄膜的导电性能,随着孔径的增大,薄膜的导电性能降低;等离子体处理对织物表面进行刻蚀,增加了纤维的比表面积,提高了纤维的润湿性能,改善了织物的导电性能。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 非织造 导电性 纳米银
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RF磁控溅射功率对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响 被引量：10
15
作者 杨伟锋 刘著光 +2 位作者 吕英 黄火林 吴正云 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1648-1652,共5页
采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜，通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率（50-300w）对薄膜的组织结构和电学，光学性能的影响。分... 采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜，通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率（50-300w）对薄膜的组织结构和电学，光学性能的影响。分析表明：所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向，并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜，晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低（3．995×10^-33Ω·cm），可见光区平均透射率为91％。 展开更多
关键词 rf磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜
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磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜 被引量：8
16
作者 杨田林 杨光德 +1 位作者 高绪团 万云芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期64-67,共4页
采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶... 采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。 展开更多
关键词 磁控溅射法 制备 SNO2 Sb透明导电膜
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工艺参数对RF磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜特性的影响 被引量：5
17
作者 黄佳木 董建华 张兴元 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期174-177,共4页
ZnO :Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料 ,具有优良的光电特性 ,如低的电阻率和高的可见光透过率。本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜 ,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响。结果表明原位制备的薄膜经... ZnO :Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料 ,具有优良的光电特性 ,如低的电阻率和高的可见光透过率。本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜 ,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响。结果表明原位制备的薄膜经热处理后具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构 ,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。薄膜的最小电阻率和可见光透过率分别为 8 7× 10 - 4 Ωcm和 85 展开更多
关键词 工艺参数 铝掺杂 氧化锌薄膜 射频磁控濺射 结构 光电特性 半导体薄膜
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无定型Si-C-O-N涂层的XPS分析 被引量：12
18
作者 唐惠东 李龙珠 +1 位作者 孙媛媛 谭寿洪 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期4-9,共6页
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态。结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp... 采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态。结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-C键略有下降。溅射功率对涂层组成的影响很大:随着溅射功率的增加,Si元素结合能增加,这主要是溅射产额增加的缘故;而N元素的含量则迅速上升,这主要归因于高溅射功率下N-Si键的增加和更多N-C键的结合。 展开更多
关键词 射频磁控溅射法 Si-C-O-N涂层 XPS 分峰拟合
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有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究 被引量：8
19
作者 马瑾 郝晓涛 +2 位作者 马洪磊 张德恒 徐现刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期599-603,共5页
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺... 采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率～ 3.7× 10 - 3Ω· cm ,载流子浓度～ 1.5 5× 10 2 0 cm- 3,霍耳迁移率～ 13cm2 · V- 1 · 展开更多
关键词 有机衬底 SnO2:Sb膜 磁控溅射 透明导电膜 二氧化锡
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射频磁控溅射制备ZnO光波导薄膜 被引量：11
20
作者 李爽 王凤翔 +2 位作者 付刚 季艳菊 赵俊卿 《山东建筑大学学报》 2010年第1期10-13,共4页
采用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备出了具有高度c轴择优取向的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、背散射分析(RBS)、棱镜耦合等技术对其结构、光波导性质进行研究,结果表明减小溅射压强有利于提高薄膜的结晶质量,增强薄膜的c轴择优取向... 采用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备出了具有高度c轴择优取向的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、背散射分析(RBS)、棱镜耦合等技术对其结构、光波导性质进行研究,结果表明减小溅射压强有利于提高薄膜的结晶质量,增强薄膜的c轴择优取向。溅射压强越小,薄膜越厚,薄膜的有效折射率越接近晶体材料的折射率。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频磁控溅射 光波导 X射线衍射
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