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题名逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展
被引量：2
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作者
张广银
沈千行
张须坤
田晓丽
卢烁今
朱阳军
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机构
中国科学院大学
中国科学院微电子研究所
江苏物联网研究发展中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期721-729,共9页
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基金
国家重大科技专项资助项目(2013ZX02305-005-002)
国家自然科学基金资助项目(51490681)
省院合作高技术产业化专项资金项目(2016SYHZ0026)
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文摘
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。
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关键词
功率器件
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(rb-igbt)
反向阻断
隔离技术
终端
混合隔离
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Keywords
power device
reverse blocking-insulated gate bipolar transistor（rb-igbt）
reverse blocking
isolation technique
termination
hybrid isolation
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分类号
TN386.2
[电子电信—物理电子学]
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