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低压VDMOS金属层电阻的模拟分析
1
作者
王立新
夏洋
《电子器件》
CAS
2008年第3期783-785,共3页
通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型,并对此模型进行Hspice模拟,确定了金属层厚度大于5μm时,金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小。同时提出了双层金属工艺方法,实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀。
关键词
VDMOS
Dracula
电阻模型
下载PDF
职称材料
题名
低压VDMOS金属层电阻的模拟分析
1
作者
王立新
夏洋
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2008年第3期783-785,共3页
文摘
通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型,并对此模型进行Hspice模拟,确定了金属层厚度大于5μm时,金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小。同时提出了双层金属工艺方法,实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀。
关键词
VDMOS
Dracula
电阻模型
Keywords
VDMOS
dracula
resistunce
modle
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低压VDMOS金属层电阻的模拟分析
王立新
夏洋
《电子器件》
CAS
2008
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