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题名纳秒脉冲下SF_6气体放电特性
被引量：15
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作者
冉慧娟
王珏
王涛
严萍
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机构
中国科学院电工研究所
中国科学院研究生院
中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室
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出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期1690-1696,共7页
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基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB209405)
电力设备电气绝缘国家重点实验室开放基金(EIPE12204)~~
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文摘
随着电力系统电压等级的提高,特快速暂态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)对气体绝缘变电站(gas insulated switchgear,GIS)的安全稳定运行产生了越来越严重的威胁,为了提高设备运行的安全稳定性,促进设备小型化,需要深入分析VFTO下SF6气体的绝缘特性。因而该文利用基于半导体断路开关(SOS)的ns脉冲源SPG 200N的输出电压模拟VFTO波形的快速上升过程,黄铜板-板电极模拟GIS内的均匀场,研究了ns脉冲下SF6气体的放电特性,得到了重频耐受时间、施加脉冲个数等与重复频率的关系。实验结果表明,重频耐受时间随着脉冲重复频率的提高而降低,但击穿前所施加的ns脉冲个数与重复频率的关系比较复杂。随着气压的升高,临界击穿场强与气压的比值E/p有所下降,但在该文研究范围内其值仍高于理想状态下稳态电压对应的单位气压下临界值88.5kV/(mm.MPa)。获得的SF6放电特性为进一步明确VFTO下SF6气体的放电机理提供了实验依据。
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关键词
NS脉冲
SF6
特快速暂态过电压
重复频率
重频耐受时间
放电特性
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Keywords
nanosecond-pulse
SF6
very fast transient overvoltage（VFTO）
pulse repetition frequency
repetitivepulse stressing time
discharge characteristics
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分类号
O461.25
[理学—电子物理学]
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