期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究 被引量:5
1
作者 张艳茹 杭凌侠 +1 位作者 郭峰 宁晓阳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期92-94,121,共4页
为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,... 为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 含氢类金刚石薄膜 沉积速率 表面粗糙度
下载PDF
反应磁控溅射制备AZO薄膜相结构的演化及机理研究 被引量:3
2
作者 赵志明 丁宇 +4 位作者 田亚萍 张晓静 马二云 白力静 蒋百灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期177-182,共6页
在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn(AZO)... 在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn(AZO)双层复合膜结构;氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜;氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜;此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 AZO薄膜 Al2O3纳米颗粒
下载PDF
氮流量对采用独立钛靶制备的(Ti,Al)N薄膜结构与性能的影响 被引量:2
3
作者 黄晓辉 左秀荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期395-400,共6页
采用直流反应磁控溅射系统,选择独立Ti靶在3003AlMn合金表面在不同氮流量下制备(Ti,Al)N薄膜,采用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射、极化曲线试验、磨损试验、薄膜厚度和显微硬度试验等手段表征了薄膜的沉积速率、化学成分、微结构和力... 采用直流反应磁控溅射系统,选择独立Ti靶在3003AlMn合金表面在不同氮流量下制备(Ti,Al)N薄膜,采用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射、极化曲线试验、磨损试验、薄膜厚度和显微硬度试验等手段表征了薄膜的沉积速率、化学成分、微结构和力学性能。结果表明,以独立Ti靶在铝衬底表面可以直接生成晶粒尺寸细小与基底结合良好的(Ti,Al)N薄膜,同时可以增加铝合金的表面硬度,提高表面耐蚀性能及表面光泽度。氮流量对(Ti,Al)N薄膜影响显著,氮流量为7cm3/min时制备的(Ti,Al)N薄膜晶粒最细小、致密,小尺寸纳米化的晶粒对提高3003AlMn合金耐磨损性和耐蚀性最佳,但沉积速率低,硬度增幅小。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 3003AlMn合金 Ti靶 氮流量
下载PDF
Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究 被引量:1
4
作者 储汉奇 李合琴 +2 位作者 聂竹华 都智 朱景超 《真空与低温》 2010年第2期90-94,共5页
以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变... 以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变,强度先上升后下降,这是由于氧氩比例的改变导致氧空位浓度变化引起的。通过对未退火及不同温度退火样品的XRD分析发现:室温沉积的Al2O3薄膜为非晶态,400℃退火开始有晶体出现,且退火温度越高,结晶性能越好。 展开更多
关键词 AL2O3薄膜 直流反应磁控溅射 氧氩比例 光致发光光谱 氧空位 XRD
下载PDF
SYNTHESIS AND THERMAL STABILITY OF NANOCOMPOSITE nc-TiN/a-TiB_2 THIN FILMS 被引量:1
5
作者 Y.H.Lu Z.F.Zhou +3 位作者 P.Sit Y.G.Shen K.Y.Li H.Chen 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第3期307-312,共6页
Several nc-TiN/a-TiB2 thin films comprised of nanocrystalline (nc-) TiN and amor phous (a-) TiB2 phases were deposited on Si(100) at room temperature by reactive unbalanced dc magnetron sputtering, followed by vacuum ... Several nc-TiN/a-TiB2 thin films comprised of nanocrystalline (nc-) TiN and amor phous (a-) TiB2 phases were deposited on Si(100) at room temperature by reactive unbalanced dc magnetron sputtering, followed by vacuum annealed at 400, 600, 80 0 and 1000℃ for 1h, respectively. Effects of B content on microstructure, mecha nical behaviors and thermal microstructure stability have been investigated by X -ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and nanoindentation measurements. The results indicated that B addition greatly affected both microstructure and mechanical behavior of nc-Ti N/a-TiB2 thin films. With increasing B content the grain size decreased. A maxim um hardness value of about 33GPa was obtained at B content of about 19at.%. The improved mechanical properties of nc-TiN/a-TiB2 films with the addition of B int o TiN were attributed to their densified microstructure with development of fine grain size. Only addition of sufficient B could restrain grain growth during an nealing. High B content resulted in high microstructure stability. The crystalli zation of amorphous matrix occurred at about 800℃, forming TiB or TiB2 crystall ite, depending on B content. Before that no change in bonding configuration was found. 展开更多
关键词 annealing boron reactive unbalanced dc magnetron sputtering ther mal stability nc-TiN/a-TiB2 thin film
下载PDF
ZrO_2薄膜扩散阻挡层在镍基合金上的应用 被引量:2
6
作者 陈书民 朱冬梅 +1 位作者 周万城 罗发 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第24期163-165,共3页
采用DC反应磁控溅射工艺在K424合金基底上制备了ZrO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的热处理,采用XRD、SEM和EDS等分析手段对薄膜的表面形貌、成分及晶体结构进行了表征,并研究了ZrO2薄膜对基底元素扩散的阻挡能力。结果表明,热处理后薄... 采用DC反应磁控溅射工艺在K424合金基底上制备了ZrO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的热处理,采用XRD、SEM和EDS等分析手段对薄膜的表面形貌、成分及晶体结构进行了表征,并研究了ZrO2薄膜对基底元素扩散的阻挡能力。结果表明,热处理后薄膜主要为单斜相ZrO2,含少量四方相。800℃以下热处理的薄膜致密平整,无裂纹出现,900℃热处理后基底元素Ti扩散至薄膜表面生成TiO2,导致ZrO2薄膜阻挡扩散作用失效。800℃以下热处理的ZrO2薄膜可以有效阻挡镍基合金元素的扩散。 展开更多
关键词 ZRO2薄膜 直流反应磁控溅射 扩散阻挡层 热处理
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部