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用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究 被引量：10
1
作者 张宇翔 王海燕 +6 位作者 陈永生 杨仕娥 郜小勇 卢景霄 冯团辉 李瑞 郭敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期340-343,共4页
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜。然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现,a Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上... 用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜。然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现,a Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2. 5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用。 展开更多
关键词 快速光热退火法 制备方法 多晶硅薄膜 晶粒 拉曼光谱
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周期性梯度富硅SiN_x薄膜的微结构与发光特性 被引量：1
2
作者 陈小波 杨雯 +2 位作者 段良飞 张力元 杨培志 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1270-1274,共5页
采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄膜(单层薄膜)。采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光... 采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄膜(单层薄膜)。采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和光致发光(PL)光谱分析了薄膜的结构特性、键合特性和发光特性。Raman光谱、GIXRD和TEM结果表明,梯度薄膜和单层薄膜中的硅量子点晶化率分别为41.7%和39.2%;梯度薄膜的硅量子点密度是单层薄膜的5.4倍。FTIR光谱结果显示两种薄膜均为富硅氮化硅薄膜,梯度薄膜的硅含量小于单层薄膜。PL光谱结果表明梯度薄膜中的辐射复合缺陷少于单层薄膜。 展开更多
关键词 Si量子点 氮化硅薄膜 快速光热退火 光致发光
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