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无规电阻网络的等效电阻 被引量:21
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作者 姚东来 吴银忠 《大学物理》 北大核心 2003年第3期9-11,18,共4页
以Y △、串联、并联变换为基础 ,介绍一种计算二维无规电阻网络的等效电阻的普适计算方法 .
关键词 无规电阻网络 等效电阻 二维 计算方法
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用随机阻抗网络模拟纳米热致变色VO2薄膜的电阻温度特性 被引量:1
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作者 戴君 王兴治 +2 位作者 何少伟 黄鹰 易新建 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期374-377,共4页
用反应离子束溅射法制备了低相变点(45℃)纳米二氧化钒(VO2)薄膜,并利用随机阻抗网络模型来模拟其电阻-温度特性.在模拟过程中,该薄膜被等效为一个由半导体相和金属相微粒随机分布组成的复合系统.氧化钒薄膜电阻温度特性的模拟结果... 用反应离子束溅射法制备了低相变点(45℃)纳米二氧化钒(VO2)薄膜,并利用随机阻抗网络模型来模拟其电阻-温度特性.在模拟过程中,该薄膜被等效为一个由半导体相和金属相微粒随机分布组成的复合系统.氧化钒薄膜电阻温度特性的模拟结果与实验测量值在整个温度变化范围(10~75℃)十分吻合.这一结果表明,氧化钒薄膜在温度变化过程中发生相分离,且半导体相微粒和金属相微粒之间相互竞争导致了氧化钒薄膜电阻的突变. 展开更多
关键词 热滞 随机阻抗网络 氧化钒 体积分数
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La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3和CeO_2混合块状样品电输运性质及使用分形迭代电阻网络模型的计算模拟 被引量:2
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作者 王世奇 连贵君 熊光成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期3815-3821,共7页
固相反应方法制得的La0·7Ca0·3MnO3(LCMO)粉末与CeO2粉末均匀混合后压块烧结,对其进行了电阻率随温度变化的测量.观察到样品电阻率存在绝缘体-金属转变.研究了烧结工艺、CeO2的混合比例与样品的电阻率、结构和表面形貌的关系... 固相反应方法制得的La0·7Ca0·3MnO3(LCMO)粉末与CeO2粉末均匀混合后压块烧结,对其进行了电阻率随温度变化的测量.观察到样品电阻率存在绝缘体-金属转变.研究了烧结工艺、CeO2的混合比例与样品的电阻率、结构和表面形貌的关系.结果表明,制备工艺对材料性能有相当大的影响,其中较低温度的烧结主要影响小晶粒及其晶粒间界,而高温长时间烧结将影响大晶粒的形成.利用三维随机电阻网络(RRN)模型和蒙特卡罗方法对这种混合块状样品的输运性质进行了模拟,模拟中使用了一种新的RRN平均方法.该模型得到的数值模拟结果与实验结果在定性上是一致的.这说明以RRN模型来理解LCMO(x)-CeO2(1-x)复合体系的导电状况是合理的,提出的随机电阻网络平均方法是合适的. 展开更多
关键词 CEO2 块状样品 电阻网络模型 电输运性质 计算模拟 分形迭代 蒙特卡罗方法 平均方法 电阻率 均匀混合 固相反应 烧结工艺 温度变化 混合比例 表面形貌 材料性能 制备工艺 晶粒间界 三维随机 复合体系 模拟结果 绝缘体 小晶粒
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Preparation and Monte Carlo Simulation of La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/Cr_2O_3 Composites
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作者 饶云华 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2006年第3期103-105,共3页
The ( 1 - x ) La0.67Ca0.33MnO3 ( LCMO ) + x Cr2O3 composites were synthesized by a new liquid phase method. The XRD and SEM meusurements reveal that few Cr2O3 were soluble in the LCMO structure and the lattice co... The ( 1 - x ) La0.67Ca0.33MnO3 ( LCMO ) + x Cr2O3 composites were synthesized by a new liquid phase method. The XRD and SEM meusurements reveal that few Cr2O3 were soluble in the LCMO structure and the lattice constant of LCMO almost did not change, while most Cr2O3 were distributed at the grain boundaries or on surfaces of the LCMO grains. In resistivity versus temperature meusurements, a metal-insalator transition was observed when x 〈 0.20. The resistivity increases and the metal-insalator transition temperature deereases with the increasing content of Cr2O3 . A random resistor network (RRN) model was used to simulate the transport property of the mixture samples. The simulation results agree with the experimental observations. The results show that the method is reasonable for understanding the electronic transport of the composites of the manganite. 展开更多
关键词 MANGANITE corrposite random resistor network Monte Carlo method
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掺杂氧化铈-碳酸盐复合电解质导电性能的电阻网络模拟 被引量:1
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作者 袁超伟 张文 王宇新 《化学工业与工程》 CAS CSCD 2017年第4期69-74,共6页
首次用两相随机格点模型模拟掺杂氧化铈-碳酸盐复合电解质,进而将随机格点模型转变为随机电阻网络模型,对掺杂氧化铈-碳酸盐复合电解质导电性能进行了模拟。考察了碳酸盐体积分数、掺杂氧化铈颗粒的粒径大小、温度对复合电解质O^(2-)电... 首次用两相随机格点模型模拟掺杂氧化铈-碳酸盐复合电解质,进而将随机格点模型转变为随机电阻网络模型,对掺杂氧化铈-碳酸盐复合电解质导电性能进行了模拟。考察了碳酸盐体积分数、掺杂氧化铈颗粒的粒径大小、温度对复合电解质O^(2-)电导率和H^+电导率的影响。模拟结果与钐掺杂氧化铈-碳酸盐复合电解质电导率的实验数据进行了对比。结果表明,模拟计算值与实验值具有很好的吻合性。 展开更多
关键词 掺杂氧化铈 碳酸盐 复合电解质 离子电导率 随机电阻网络
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二维非对称无规二端电阻网络的等效电阻
6
作者 张耀宇 贾利群 《平顶山学院学报》 2006年第5期12-16,共5页
以Y△、串联、并联变换为基础,在分析二维对称无规电阻网络的等效电阻解算的基础上,介绍了一种计算二维非对称无规二端电阻网络的等效电阻的方法,为进一步利用电子计算机求解等效电阻奠定了基础.
关键词 非对称 无规电阻网络 等效电阻
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Mn基钙钛矿样品庞磁电阻效应的Monte Carlo模拟
7
作者 李建青 张晓玲 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期37-39,共3页
基于顺磁性绝缘体和铁磁金属两相随机分布的假设,对居里温度Tc 分别为330K和2 5 0K的La2 / 3 Ba1/ 3 MnO3 和La2 / 3 Ca1/ 3 MnO3 两个典型样品的电阻随温度和磁场的变化进行了MonteCarlo模拟,模拟曲线在行为上相同于文献上普遍报道的... 基于顺磁性绝缘体和铁磁金属两相随机分布的假设,对居里温度Tc 分别为330K和2 5 0K的La2 / 3 Ba1/ 3 MnO3 和La2 / 3 Ca1/ 3 MnO3 两个典型样品的电阻随温度和磁场的变化进行了MonteCarlo模拟,模拟曲线在行为上相同于文献上普遍报道的实验曲线。研究表明,Mn基钙钛矿样品中Tc 附近观察到的庞磁电阻是由于磁场引起Tc 展开更多
关键词 磁电阻 随机电阻网络 绝缘体-金属转变
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无规电阻网络的等效电阻
8
作者 宫德龙 吴永辉 《科技创新导报》 2009年第22期94-95,共2页
无规电阻网络是指:电阻网络的结构和电阻阻值分布,有一者或两者都无规。本文基于并联变换和星形-网形变换,给出了求解无规电阻网络等效电阻的普适计算方法。
关键词 无规电阻网络 星形-网形变换 等效电阻
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M*N随机电阻网络等效电阻的计算机数值解
9
作者 岳新雨 《世界科技研究与发展》 CSCD 2009年第4期577-580,共4页
对M*N随机电阻网络的等效电阻进行了研究,运用独立的变换算法得出其等效电阻数值解。通过设置网络的电阻分布,将算法的实验结果和二阶差分法进行了对比,从而验证了变换算法的准确性。
关键词 随机电阻网络 等效电阻 变换算法
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纳米VO_2多晶材料的低温相变和随机阻抗网络模型
10
作者 熊笔锋 马宏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期571-573,共3页
制备了纳米VO2多晶薄膜材料,其相变温度为35℃,实验测量了它的电阻-温度(R-T)曲线和热滞回线,并用随机阻抗网络模型进行了R-T曲线和热滞回线模拟,两者显示出结果一致,表明在低温相变温度35℃下,随机阻抗网络模型适用于纳米VO2多晶薄膜R-... 制备了纳米VO2多晶薄膜材料,其相变温度为35℃,实验测量了它的电阻-温度(R-T)曲线和热滞回线,并用随机阻抗网络模型进行了R-T曲线和热滞回线模拟,两者显示出结果一致,表明在低温相变温度35℃下,随机阻抗网络模型适用于纳米VO2多晶薄膜R-T曲线和热滞回线。此外,给出了VO2多晶材料在半导体区和金属区的简化随机阻抗网络模型的电阻公式。 展开更多
关键词 纳米VO2 热滞回线 随机阻抗网络模型
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