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宽带高效率二倍频器的设计 被引量:1
1
作者 傅海鹏 郑玉学 陆敏 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期504-511,共8页
针对共源二倍频器匹配电路版图面积较大和传统共基二倍频器变频增益低的问题,本文提出一种二次谐波短路的共基二倍频器电路.共基结构和共源结构相比输出电容较小使得匹配电路尺寸较小,同时在输入端引入二次谐波短路电路,有效提升了共基... 针对共源二倍频器匹配电路版图面积较大和传统共基二倍频器变频增益低的问题,本文提出一种二次谐波短路的共基二倍频器电路.共基结构和共源结构相比输出电容较小使得匹配电路尺寸较小,同时在输入端引入二次谐波短路电路,有效提升了共基二倍频器的变频增益.该二倍频器由Push-push二倍频器电路和驱动放大器构成,其中前者用来产生二倍频信号,后者用来对二倍频信号进行放大输出以便驱动二倍频器的后一级电路.基于对晶体管偏置与二次谐波输出功率关系的研究,将晶体管偏置在AB类提升了输出功率和变频增益.输入端共模点接地减小了输入匹配的相位误差,提升了基波抑制和三次谐波抑制.驱动放大器采用共发射极放大器结构,输出匹配部分采用并联电阻变压器结构用于提升匹配带宽.测试结果表明,在输入功率为2 dBm的条件下,3 dB带宽绝对频率范围是13.8~23.2 GHz(相对带宽50.8%),基波抑制带内优于32 dB,功率附加效率达到19%(输出功率5.2 dBm,直流功耗16 mW).二倍频器芯片(核心区域,不含测试焊盘)面积仅为0.245 mm^(2). 展开更多
关键词 二倍频器 push-push 宽带 高效率
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W-band push–push monolithic frequency doubler in 1-μm InP DHBT technology 被引量:1
2
作者 姚鸿飞 王显泰 +5 位作者 吴旦昱 苏永波 曹玉雄 葛霁 宁晓曦 金智 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第9期122-127,共6页
A W-band frequency doubler MMIC is designed and fabricated using 1-μm InP DHBT technology. Ac tive halun is employed to transform the single-ended signal into differential output. Push-push configuration loaded with ... A W-band frequency doubler MMIC is designed and fabricated using 1-μm InP DHBT technology. Ac tive halun is employed to transform the single-ended signal into differential output. Push-push configuration loaded with harmonic resonant network is utilized to acquire the second harmonic frequency. A multi-stage differential structure improves the conversion gain and suppresses the fundamental frequency. The MMIC occupies an area of 0.55 x 0.5 mm2 with 18 DHBTs integrated. Measurements show that the output power is above 5.8 dBm with the suppression of fundamental frequency below -16 dBc and the conversion Rain above 4.7 dB over 75-80 GHz. 展开更多
关键词 frequency doubler W-BAND lnP DHBT push-push
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24GHz低相位噪声单片集成VCO 被引量:3
3
作者 谭超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期506-509,共4页
介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出。由于振荡器采用了推-推压控振荡器(push-push VCO)结构,相比传统的通... 介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出。由于振荡器采用了推-推压控振荡器(push-push VCO)结构,相比传统的通过低频VCO芯片和倍频器级联技术实现的24 GHz VCO具有更低的相位噪声,测试结果表明芯片在不同温度、振动以及其他条件下表现出良好的相位噪声,在0~13 V的电调电压条件下输出频率为23~25.5 GHz,输出功率在5 V直流工作电压条件下为9 dBm,相位噪声低至-92 dBc/Hz@100 kHz。同时1/2次谐波输出及八分频器电路提供的1/16次谐波输出性能良好。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管(HBT) 压控振荡器(VCO) 推-推 相位噪声 砷化镓 单片集成电路(MMIC)
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推-推压控振荡器的仿真设计 被引量:3
4
作者 齐宁华 徐鸿飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期481-484,498,共5页
在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上,采用添加辅助信号源的方法,对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟。并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化。根据仿真结果设计的X波段... 在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上,采用添加辅助信号源的方法,对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟。并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化。根据仿真结果设计的X波段推-推压控振荡器,采用封装硅晶体管及砷化镓变容管,在1GHz调谐带宽内,输出功率2~8dBm。 展开更多
关键词 推-推 微波 负载牵引 压控振荡器
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60 GHz SIW Steerable Antenna Array in LTCC
5
作者 Bahram Sanadgol Sybille Holzwarth +2 位作者 Peter Uhlig Alberto Milano Rafi Popovich 《ZTE Communications》 2012年第4期29-32,共4页
In this paper, we present a 60 GHz substrate-integrated waveguide fed-steerable low-temperature cofired ceramics array. The antenna is suitable for transmitting and receiving on the 60 GHz wireless personal area netwo... In this paper, we present a 60 GHz substrate-integrated waveguide fed-steerable low-temperature cofired ceramics array. The antenna is suitable for transmitting and receiving on the 60 GHz wireless personal area network frequency band. The wireless system can be used for HDTV, high-data-rate networking up to 4.5 GBit/s, security and surveillance, and similar applications. 展开更多
关键词 substrate integrated waveguide(SIW) phase shifted injected push-push oscillator(PSIPPO) low temperature co-fired ceramic(LTCC) ~monolithic microwave integrated chip(MMIC) wireless personal area network(WPAN)
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60GHz宽调谐范围推—推压控振荡器设计 被引量:1
6
作者 陈阳平 叶禹 《信息技术》 2012年第1期25-28,共4页
基于65nmCMOS工艺实现了60GHz推—推压控振荡器(VCO)设计。采用互补交叉耦合去尾电流源结构以降低相位噪声。压控振荡器输出包含两级缓冲放大器,第二级缓冲放大器偏置在截止区附近以增大二次谐波的输出功率。在1.2/0.8V电源电压下,压控... 基于65nmCMOS工艺实现了60GHz推—推压控振荡器(VCO)设计。采用互补交叉耦合去尾电流源结构以降低相位噪声。压控振荡器输出包含两级缓冲放大器,第二级缓冲放大器偏置在截止区附近以增大二次谐波的输出功率。在1.2/0.8V电源电压下,压控振荡器核心和缓冲放大器分别消耗2.43mW和2.95mW。在偏离中心频率1MHz处相位噪声为-90.7dBc/Hz。输出功率为-2.92dBm。特别的,压控振荡器的调谐范围达到9.2GHz(15.3%),与调谐范围相关的性能指标FOMT为-182.7dBc/Hz。该压控振荡器可应用于57GHz~64GHz开放频段超高速短距离无线通信。 展开更多
关键词 压控振荡器 推—推 宽调谐范围 相位噪声
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An E-band CMOS frequency quadrupler with 1.7-dBm output power and 45-dB fundamental suppression
7
作者 Xiaofei Liao Dixian Zhao Xiaohu You 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2022年第9期46-52,共7页
This paper presents an E-band frequency quadrupler in 40-nm CMOS technology.The circuit employs two push-push frequency doublers and two single-stage neutralized amplifiers.The pseudo-differential class-B biased casco... This paper presents an E-band frequency quadrupler in 40-nm CMOS technology.The circuit employs two push-push frequency doublers and two single-stage neutralized amplifiers.The pseudo-differential class-B biased cascode topo-logy is adopted for the frequency doubler,which improves the reverse isolation and the conversion gain.Neutralization tech-nique is applied to increase the stability and the power gain of the amplifiers simultaneously.The stacked transformers are used for single-ended-to-differential transformation as well as output bandpass filtering.The output bandpass filter enhances the 4th-harmonic output power,while rejecting the undesired harmonics,especially the 2nd harmonic.The core chip is 0.23 mm^(2)in size and consumes 34 mW.The measured 4th harmonic achieves a maximum output power of 1.7 dBm with a peak conversion gain of 3.4 dB at 76 GHz.The fundamental and 2nd-harmonic suppressions of over 45 and 20 dB are achieved for the spectrum from 74 to 82 GHz,respectively. 展开更多
关键词 capacitor neutralization CMOS E-band frequency doubler frequency quadrupler push-push
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8GHz~12GHz推-推压控振荡器设计
8
作者 马建军 朱宏 王红梅 《电子与封装》 2007年第6期28-30,共3页
文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析。根据分析结果制作了8GHz~12GHz压控振荡器。测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果。推-推的方... 文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析。根据分析结果制作了8GHz~12GHz压控振荡器。测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果。推-推的方法能有效提高晶体管的工作频率,同时还可以改善压控振荡器的负载牵引能力。这种方法适用不同形式的器件,对高频率、宽频带压控振荡器的制作有一定指导意义。 展开更多
关键词 推-推 宽带 VCO
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中药药膳调理联合经络推按操缓解冠心病心绞痛的临床研究 被引量:16
9
作者 戴红红 姚福梅 纪焕春 《河北医学》 CAS 2019年第2期269-272,共4页
目的:分析药膳调理联合经络推按操缓解冠心病心绞痛的临床疗效及对患者的生活质量的影响。方法:以我院134例冠心病心绞痛患者作为研究对象,按照简单数字随机法随机分为对照组(n=67例)和研究组(n=67例)。对照组患者给予常规基础用药+中... 目的:分析药膳调理联合经络推按操缓解冠心病心绞痛的临床疗效及对患者的生活质量的影响。方法:以我院134例冠心病心绞痛患者作为研究对象,按照简单数字随机法随机分为对照组(n=67例)和研究组(n=67例)。对照组患者给予常规基础用药+中药药膳调理,研究组患者在对照组的基础上联合经络推按操进行治疗,比较两组患者前后硝酸甘油的使用量、西雅图心绞痛量表量表(SAQ)、健康状况调查问卷(SF-36)、中医临床症状积分评定治疗后疗效及对患者生活质量的影响。结果:两组患者治疗前硝酸甘油的使用量、西雅图心绞痛量表量表(SAQ)、健康状况调查问卷(SF-36)、中医临床症状积分对比均无统计学差异(P>0.05)。治疗后研究组硝酸甘油的用量(40.31±9.36) mg、SAQ量表评分(443.44±93.76)分、SF-36评分(515.82±53.46)分、中医临床症状积分(3.52±2.64)分;对照组硝酸甘油的用量(45.42±7.63) mg、SAQ量表评分(389.59±92.08)分、SF-36评分(468.42±42.08)分,中医临床症状积分(4.81±2.64)分,两组间各项评分比较差异均有统计学意义(P<0.05)。结论:对冠心病心绞痛的患者给予中药药膳调理联合经络推按操的综合治疗,可提高了患者的疗效及生活质量,值得临床推广。 展开更多
关键词 冠心病心绞痛 药膳调理 经络推按操 疗效 生活质量
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基于CMOS工艺的太赫兹振荡器 被引量:1
10
作者 汪柏康 徐雷钧 白雪 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第3期364-368,共5页
在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出。提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方... 在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出。提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方法输出二次谐波300 GHz信号,增加了振荡器的输出功率并突破了MOS管截止频率,并通过增加栅极互连电感增加输出功率。其次,太赫兹振荡器摒弃传统片上可变电容调谐的方式,通过调节MOS管衬底电压改变MOS管的栅极寄生电容实现频率调谐,避免太赫兹频段引入低Q值电容,进一步增加了输出功率。提出的太赫兹振荡器采用台积电40 nm CMOS工艺,基波工作频率为154.5 GHz,输出二次谐波为309.0 GHz,输出功率可达-3.0 dBm,相位噪声为-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗为28.6 mW,频率调谐范围为303.5~315.4 GHz。 展开更多
关键词 push-push振荡器 CMOS工艺 太赫兹源 高输出功率
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基于InGaP/GaAs HBT工艺X波段低相噪压控振荡器 被引量:1
11
作者 陈君涛 李世峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期421-424,共4页
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器(VCO),该VCO采用Colpitts双推(push-push)电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸... 基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器(VCO),该VCO采用Colpitts双推(push-push)电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸以降低其引入的1/f噪声,同时设计高Q值分布式谐振电路,从而有效降低了VCO的输出相位噪声。通过采用背靠背变容二极管对来增加VCO输出频率调谐带宽。测试结果表明,所设计芯片在5 V供电时的电流约180 m A,电调电压在1-13 V变化下输出频率覆盖8.8-10 GHz,典型输出功率为10 d Bm,单边带相位噪声为-115 d Bc/Hz@100 k Hz。芯片尺寸为2.5 mm×1.6 mm。 展开更多
关键词 InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT) 压控振荡器(VCO) 双推(push-push)电路 负阻 相位噪声
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Dual-site collaboration boosts electrochemical nitrogen reduction on Ru-S-C single-atom catalyst 被引量:2
12
作者 Liujing Yang Chuanqi Cheng +8 位作者 Xun Zhang Cheng Tang Kun Du Yuanyuan Yang Shan-Cheng Shen Shi-Long Xu Peng-Fei Yin Hai-Wei Liang Tao Ling 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第12期3177-3186,共10页
Electrocatalytic reduction of nitrogen into ammonia(NH_(3))is a highly attractive but challenging route for NH_(3)production.We propose to realize a synergetic work of multi reaction sites to overcome the limitation o... Electrocatalytic reduction of nitrogen into ammonia(NH_(3))is a highly attractive but challenging route for NH_(3)production.We propose to realize a synergetic work of multi reaction sites to overcome the limitation of sustainable NH_(3)production.Herein,using ruthenium-sulfur-carbon(Ru-S-C)catalyst as a prototype,we show that the Ru/S dual-site cooperates to catalyse eletrocatalytic nitrogen reduction reaction(eNRR)at ambient conditions.With the combination of theoretical calculations,in situ Raman spectroscopy,and experimental observation,we demonstrate that such Ru/S dual-site cooperation greatly facilitates the activation and first protonation of N_(2)in the rate-determining step of eNRR.As a result,Ru-S-C catalyst exhibits significantly enhanced eNRR performance compared with the routine Ru-N-C catalyst via a single-site catalytic mechanism.We anticipate that our specifically designed dual-site collaborative catalytic mechanism will open up a new way to offers new opportunities for advancing sustainable NH_(3)production. 展开更多
关键词 Ru/S dual-site mechanism Electronic‘push-push’mechanism Electrocatalytic nitrogen reduction reaction
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一种低相位噪声的毫米波压控振荡器 被引量:2
13
作者 刘武广 王增双 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期686-689,743,共5页
基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点。振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用微带线的形式,提高了谐振器的品... 基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点。振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用微带线的形式,提高了谐振器的品质因数,进而降低了振荡器的相位噪声,且在谐振电路通过微带耦合方式实现了基频输出。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺对振荡器进行了设计和流片,芯片尺寸为1.8 mm×1.4 mm。在5 V工作电压和0~13 V调谐电压条件下,振荡器的输出频率为42.1~46.2 GHz,电流为120 mA,输出功率为1 dBm, 1/2次谐波抑制大于15 dB,相位噪声为-60 dBc/Hz@10 kHz、-85 dBc/Hz@100 kHz和-105 dBc/Hz@1 MHz。 展开更多
关键词 推推振荡器 低相位噪声 毫米波 异质结双极晶体管(HBT) 单片微波集成电路(MMIC)
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K波段推-推介质振荡器设计 被引量:2
14
作者 杨岚清 赵世巍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期73-78,共6页
为了满足现代通信系统对于高频率与高稳定性信号源的需求,提出一种K波段介质振荡器。该振荡器通过推-推结构将两路子振荡器合二为一,使其能够在一个电路中同时实现振荡器和倍频器。在介质谐振器的两条耦合微带线上增加变容二极管模块,... 为了满足现代通信系统对于高频率与高稳定性信号源的需求,提出一种K波段介质振荡器。该振荡器通过推-推结构将两路子振荡器合二为一,使其能够在一个电路中同时实现振荡器和倍频器。在介质谐振器的两条耦合微带线上增加变容二极管模块,通过改变变容二极管的偏置电压调整谐振器中传输信号的相位。变容二极管模块的加入能够有效降低有源器件不一致性对电路的影响,减少两个子振荡器在基频处对输出信号的干扰,同时让振荡器获得200 MHz左右的输出信号频率可调范围。测试结果表明:在输出频率为20.96 GHz时,输出功率约为-4.59 dBm,在10 kHz时达到-66.50 dBc/Hz的相位噪声,在100 kHz时达到-94.31 dBc/Hz的相位噪声,基波抑制度达到-25.42 dBc。 展开更多
关键词 推-推振荡器 介质谐振器 可调频率 相位噪声 谐波抑制度
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基于Push-Push结构的倍频器在铷原子频标中的应用 被引量:1
15
作者 王勇 吕善伟 冯克明 《宇航计测技术》 CSCD 2005年第1期1-4,共4页
铷原子频标是各种原子频标中发展最为活跃的 ,由于其独特的外在及内在的特点 ,使其在商业通信、空间导航等领域得到最为广泛的应用。在铷原子频标中 ,倍频电路是影响整个系统长期稳定性的重要因素之一。简要介绍了Push -Push结构的基本... 铷原子频标是各种原子频标中发展最为活跃的 ,由于其独特的外在及内在的特点 ,使其在商业通信、空间导航等领域得到最为广泛的应用。在铷原子频标中 ,倍频电路是影响整个系统长期稳定性的重要因素之一。简要介绍了Push -Push结构的基本原理 ,并且给出了基于Push -Push结构的倍频器的具体实现电路与仿真结果。仿真实验结果表明 ,该种结构设计对改善电路的相位噪声是有十分有效的。最后分析了影响幅度调制噪声与相位调制噪声的因素 ,对上述电路做了进一步的完善。 展开更多
关键词 倍频器 相位噪声 倍频电路 幅度 仿真结果 通信 相位调制 铷原子频标 导航 仿真实验
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17 GHz双推式介质振荡器的设计
16
作者 夏青 李浩 《电子质量》 2022年第1期126-129,共4页
该文设计了一个基于双推式结构的介质振荡器,输出频率为17 GHz。该振荡器由两个独立的串联反馈式介质振荡器构成。该文介绍了串联反馈式介质振荡器的详细设计过程,并且应用了理论计算简化仿真过程,提高仿真精度。在振荡器的输出端口,用... 该文设计了一个基于双推式结构的介质振荡器,输出频率为17 GHz。该振荡器由两个独立的串联反馈式介质振荡器构成。该文介绍了串联反馈式介质振荡器的详细设计过程,并且应用了理论计算简化仿真过程,提高仿真精度。在振荡器的输出端口,用宽带威尔金森功率合成器同时实现了基波和二次谐波的合成,并应用λ/4开路微带线提高了基波抑制度。由仿真结果可得到17 GHz的输出功率为3 d Bm,相位噪声达到了120.8 d Bc/Hz@10 k Hz,基波抑制度超过了50 d Bc。 展开更多
关键词 介质振荡器 双推式结构 串联反馈 宽带威尔金森
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途观L插电式混合动力前格栅充电口盖总成开发设计 被引量:1
17
作者 计留弟 《时代汽车》 2019年第4期105-106,共2页
本文主要阐述了上汽大众新能源汽车途观L插电式混合动力前格栅充电口盖总成开发设计过程及设计要点,对其他同类新能源汽车外饰件开发设计提供了一定的学术参考价值。
关键词 前格栅总成 充电座 push-push电机 功能设计
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推扶式管柱自动化处理系统优化及发展建议 被引量:1
18
作者 李建亭 《机械制造与自动化》 2020年第4期192-195,共4页
为提高推扶式管柱自动化处理系统的自动化水平,对该系统的主要设备进行了优化处理。介绍了系统的主要特点、技术参数和主要设备的油田应用情况。对钻台机械手、二层机械手、动力猫道、铁钻工、司钻集成控制系统等推扶式管柱自动化处理... 为提高推扶式管柱自动化处理系统的自动化水平,对该系统的主要设备进行了优化处理。介绍了系统的主要特点、技术参数和主要设备的油田应用情况。对钻台机械手、二层机械手、动力猫道、铁钻工、司钻集成控制系统等推扶式管柱自动化处理系统的主要设备进行重新设计优化,并阐述了优化后的实际作业效果。总结了主要技术创新点,提出了相关建议,可为相关从业人员提供参考和借鉴。 展开更多
关键词 推扶式管柱 自动化 设备优化 发展建议
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一种宽带注入锁定三倍频器
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作者 宛操 薛泉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期573-580,共8页
文章提出了一种宽带注入锁定三倍频器。在传统注入方式基础上,倍频器采用了推-推差分对输入信号进行二倍频,并将产生的二次谐波通过变压器耦合至注入管的源极共模点,增强了注入管源极共模点二次谐波。由于注入电流是由注入信号与源极共... 文章提出了一种宽带注入锁定三倍频器。在传统注入方式基础上,倍频器采用了推-推差分对输入信号进行二倍频,并将产生的二次谐波通过变压器耦合至注入管的源极共模点,增强了注入管源极共模点二次谐波。由于注入电流是由注入信号与源极共模点二次谐波进行混频而产生,因此注入电流也被增强,从而增大了锁定范围。除此之外,三倍频采用了四阶谐振器,谐振阻抗的相位在过零点被平坦化,锁定范围进一步被增大。采用标准CMOS 65 nm工艺设计三倍频,芯片面积为720×670μm^(2),1.2-V供电时的功耗为15.2 mW。0 dBm注入功率下三倍频的锁定范围为19.2~27.6 GHz,对应的基波抑制比大于25 dB,二次谐波抑制大于35 dB。注入锁定三倍频器可满足5G收发机中本振源的要求。 展开更多
关键词 推-推差分对 二次谐波增强 变压器 四阶谐振器 5G本振源
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Ku频段介质稳频谐波振荡器研究 被引量:1
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作者 和新阳 崔骏业 《空间电子技术》 2008年第3期26-29,47,共5页
文章介绍了一种Ku频段介质稳频谐波振荡器的原理、仿真和试验结果。设计中采用电磁仿真和电路仿真结合的方式对推-推(push-push)型介质振荡器进行了整体非线性仿真,得到振荡器的输出频谱、相位噪声和输出功率的仿真结果,并进行了试验验... 文章介绍了一种Ku频段介质稳频谐波振荡器的原理、仿真和试验结果。设计中采用电磁仿真和电路仿真结合的方式对推-推(push-push)型介质振荡器进行了整体非线性仿真,得到振荡器的输出频谱、相位噪声和输出功率的仿真结果,并进行了试验验证。通过二次谐波输出的方式提高了BJT振荡器的输出频率,得到了较好的相位噪声指标。 展开更多
关键词 介质稳频 谐波振荡器 推-推型
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