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脉冲准分子激光沉积纳米WO_3多晶电致变色薄膜的研究 被引量：9
1
作者 方国家 刘祖黎 +1 位作者 周远明 姚凯伦 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期559-564,共6页
采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在不同条件下 ,在透明导电衬底SnO2 ∶In2 O3 (ITO)及Si ( 111)单晶衬底上沉积了非晶WOx 薄膜 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对... 采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在不同条件下 ,在透明导电衬底SnO2 ∶In2 O3 (ITO)及Si ( 111)单晶衬底上沉积了非晶WOx 薄膜 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对在不同条件下沉积及不同温度退火处理的样品进行了结构分析 ,结果表明 :氧气氛和衬底温度是决定薄膜结构和成分的主要参数 .采用三斜相的WO3 靶材 ,在 10 0℃及2 0Pa氧压下沉积 ,经 30 0℃以上退火处理 ,在Si( 111)及ITO衬底上得到了三斜相的纳米晶WO3 薄膜 .随着氧压的减少 ,薄膜中氧缺位增多 .采用ITO基片 ,氧压 2 0Pa,经 30 0℃热处理的薄膜 ,呈多晶态 ,晶粒分布均匀 ,晶粒平均尺寸为 2 0～ 30nm .经 40 0℃热处理的薄膜 ,呈多晶态 ,晶界明显 ,晶粒分布呈开放型多孔结构 ,晶粒平均尺寸为 30～ 5 0nm .这一典型的结构有利于离子的注入和抽出 . 展开更多
关键词 三氧化钨薄膜 脉冲准分子激光沉积 工艺条件 结构分析 纳米晶体 电致变色薄膜
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利用脉冲准分子激光在ZnS上沉积类金刚石薄膜 被引量：4
2
作者 白婷 叶景峰 +3 位作者 刘晶儒 王晟 叶锡生 王立君 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期992-997,共6页
利用氟化氪（KrF）脉冲准分子激光烧蚀沉积（PLD）技术，通过对激光等离子体的粒子成分以及空间分布的诊断，实现了等离子体成分的选择性沉积。在不降低光谱范围和透过率指标的前提下，解决了类金刚石（DLC）薄膜和硫化锌（ZnS）基底的... 利用氟化氪（KrF）脉冲准分子激光烧蚀沉积（PLD）技术，通过对激光等离子体的粒子成分以及空间分布的诊断，实现了等离子体成分的选择性沉积。在不降低光谱范围和透过率指标的前提下，解决了类金刚石（DLC）薄膜和硫化锌（ZnS）基底的牢固结合问题；通过改进基底平台的扫描方式，在激光烧蚀沉积工艺中沉积了φ80 mm的大面积均匀类金刚石薄膜。制备的类金刚石／ZnS镀膜样品，光谱范围为0．53～12μm，其中1．3～11μm波段透过率在70％以上，膜层均匀性优于95％，可耐受环境湿度95％～100％，工作温度-45～85℃，附着力达到国军标要求。研究表明，利用类金刚石薄膜可以明显提高ZnS材料的耐冲击、耐高温、耐辐射和抗沙粒、盐、雾和尘埃的磨损侵蚀等能力。 展开更多
关键词 薄膜 类金刚石薄膜 脉冲准分子激光沉积
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BNT铁电薄膜电容的制备及其特性研究 被引量：1
3
作者 王宁章 李兴教 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期41-43,共3页
用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×1... 用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×103V/cm。在1MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性。 展开更多
关键词 电子技术 铁电薄膜 BNT 剩余极化 脉冲激光淀积
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铁电薄膜Bi_(3.2)Nd_(0.8)Ti_3O_(12)的制备及其特性的研究
4
作者 王宁章 李兴教 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期523-525,共3页
用脉冲激光淀积法成功地在p-S i底片上制备了高c轴取向的B i3.20N d0.80T i3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕N d替代B i的B i3.20N d0.80T i3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1MH ... 用脉冲激光淀积法成功地在p-S i底片上制备了高c轴取向的B i3.20N d0.80T i3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕N d替代B i的B i3.20N d0.80T i3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1MH z下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(Ec)分别达到27μC/cm2和70 kV/cm。更为重要的是,A u/B i3.20N d0.80T i3O12/p-S i(100)电容在读/写开关次数达到1010后仍表现出较好的抗疲劳特性。 展开更多
关键词 铁电薄膜 Bi3.2Nd0.8Ti3O12 剩余极化 脉冲激光淀积
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BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究
5
作者 易图林 张颖 谢艳丁 《空军雷达学院学报》 2006年第4期279-281,284,共4页
为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了... 为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能,为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础. 展开更多
关键词 BIT/PLZT/B1T多层铁电薄膜 铁电性能 电流-电压特性 脉冲准分子激光沉积
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