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C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用
被引量:
13
1
作者
何波
史衍丽
徐静
《红外》
CAS
2006年第10期5-10,共6页
全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性...
全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。
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关键词
C—V测量法
杂质浓度分布
PN结
势垒电容
离子注入
下载PDF
职称材料
题名
C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用
被引量:
13
1
作者
何波
史衍丽
徐静
机构
昆明理工大学光电子新材料研究所
昆明物理研究所
济南大学材料学院
出处
《红外》
CAS
2006年第10期5-10,共6页
文摘
全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。
关键词
C—V测量法
杂质浓度分布
PN结
势垒电容
离子注入
Keywords
C-V
measurement
impurity
concentration
distribution
p-n
junction
potential
barrier
capacity
Ion
implantation
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用
何波
史衍丽
徐静
《红外》
CAS
2006
13
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