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氩气退火对氢掺杂AZO薄膜电学性能的影响 被引量：7
1
作者 石素君 朱德亮 +4 位作者 吕有明 曹培江 柳文军 贾芳 马晓翠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期742-746,共5页
采用射频磁控溅射法,在石英玻璃衬底上制备出了性能良好的H掺杂AZO透明导电薄膜,通过XRD、Hall、UV-Vis等测试手段,研究了氩气气氛中退火温度对薄膜电学热稳定性的影响。实验结果显示,随着退火温度的升高,薄膜中载流子的浓度和迁移率下... 采用射频磁控溅射法,在石英玻璃衬底上制备出了性能良好的H掺杂AZO透明导电薄膜,通过XRD、Hall、UV-Vis等测试手段,研究了氩气气氛中退火温度对薄膜电学热稳定性的影响。实验结果显示,随着退火温度的升高,薄膜中载流子的浓度和迁移率下降。分析认为,这与薄膜中氢的逸出密切相关。 展开更多
关键词 H掺杂AZO薄膜 氩气退火 热稳定性 Hall测试
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基于氢等离子体处理改善氢化非晶硅/晶体硅界面钝化效果的工艺研究
2
作者 王楠 钟奇 周玉琴 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第10期1912-1919,共8页
薄层a-Si∶H钝化技术对于提高硅异质结太阳能电池的效率至关重要,通常有三类工艺可显著改善a-Si∶H薄膜的钝化效果:晶硅表面湿化学处理(薄膜沉积前);氢等离子体处理(薄膜沉积过程中);后退火处理(薄膜沉积后)。该论文基于等离子增强型化... 薄层a-Si∶H钝化技术对于提高硅异质结太阳能电池的效率至关重要,通常有三类工艺可显著改善a-Si∶H薄膜的钝化效果:晶硅表面湿化学处理(薄膜沉积前);氢等离子体处理(薄膜沉积过程中);后退火处理(薄膜沉积后)。该论文基于等离子增强型化学气相沉积系统,采用氢等离子处理和后退火处理改善a-Si∶H/c-Si界面的钝化效果,样品的有效少数载流子寿命最高达到1 ms,并研究了射频功率密度、腔体压力、氢气流量等工艺参数对钝化效果的影响;采用光发射谱、台阶仪等对氢等离子体处理所涉及的物理过程进行研究,得出该工艺对a-Si∶H薄膜具有刻蚀作用;根据钝化效果和刻蚀速率的关系,得出低刻蚀速率由于给予薄膜充足的时间进行结构弛豫或重构,显著改善钝化效果;基于快速热退火方法进一步改善钝化效果,采用傅里叶变换红外光谱对a-Si∶H薄膜的钝化机理进行研究,并基于化学退火模型进行讨论;采用透射电镜研究了a-Si∶H/c-Si界面的微结构,并没有观测到影响钝化效果的外延生长。 展开更多
关键词 氢等离子体处理 氢化非晶硅/晶体硅界面钝化 后退火处理 钝化机理
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氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响
3
作者 甘柳忠 吴炳俊 +2 位作者 黄烽 李明 谢斌 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期699-705,共7页
利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导... 利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm-3,迁移率为29.7cm2·V-1·s-1. 展开更多
关键词 AZO薄膜 自由基辅助磁控溅射 中性杂质散射 掺杂效率 后退火处理
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磁控溅射法制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜的后退火处理研究
4
作者 徐小玉 《真空》 CAS 2013年第1期28-30,共3页
研究了后退火处理对磁控溅射法制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜的成分、组织及性能影响。用EPMA、XRD和AFM分别表征后退火处理前后薄膜的成分、物相和微观结构,用VSM测试后退火处理前后的薄膜磁性能。结果表明经后退火处理后,薄膜中氧含量增加... 研究了后退火处理对磁控溅射法制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜的成分、组织及性能影响。用EPMA、XRD和AFM分别表征后退火处理前后薄膜的成分、物相和微观结构,用VSM测试后退火处理前后的薄膜磁性能。结果表明经后退火处理后,薄膜中氧含量增加,结构更为稳定,薄膜由非晶态彻底转变为晶态;晶粒尺寸细小,排列均匀致密;磁滞回线更为狭长,饱和磁化强度明显增大。 展开更多
关键词 后退火处理 磁性铁氧体薄膜 晶态转变
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基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究
5
作者 王楠 梁芮 周玉琴 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第7期1287-1292,1313,共7页
a-Si∶H薄膜作为钝化层,在提高硅异质结太阳能电池效率方面发挥关键作用,工业化生产中通常采用PECVD法制备制备a-Si∶H薄膜。在本文中,首先对关键工艺参数如沉积温度进行了优化,并在160℃下获得了最佳的钝化效果。接着,通过傅里叶变换... a-Si∶H薄膜作为钝化层,在提高硅异质结太阳能电池效率方面发挥关键作用,工业化生产中通常采用PECVD法制备制备a-Si∶H薄膜。在本文中,首先对关键工艺参数如沉积温度进行了优化,并在160℃下获得了最佳的钝化效果。接着,通过傅里叶变换红外光谱法对a-Si∶H薄膜的微结构进行表征,以探索其钝化机理:低温下制备的a-Si∶H薄膜氢浓度高并有微空洞,从而影响钝化效果;高温下制备的a-Si∶H薄膜消除了微空洞而明显改善钝化质量。但是,过高的沉积温度又会导致a-Si∶H薄膜中微空位的产生从而影响钝化效果。此外,对比了两种典型后退火工艺对钝化效果的影响:一种是基于200℃退火10min,一种是基于450℃退火30s,并对相关钝化机理进行了研究。结果表明,第二种退火方式明显改善样品的钝化效果,主要原因是该退火消除了低温沉积样品中的微空洞和高温沉积样品中的微空位。最后,通过透射电镜研究了退火后的a-Si∶H/c-Si界面微结构,并未观察到影响钝化效果的外延生长。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 a-Si∶H/c-Si界面钝化 后退火处理 钝化机理
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大厚度TC4钛合金铸件钨极惰性气体保护焊的最优工艺确定及其接头力学性能 被引量：2
6
作者 朱丽 胡雅楠 +4 位作者 吴圣川 李飞 虞文军 林波 李光俊 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期58-63,共6页
选用连续施焊、焊层冷至室温后再焊接下一层、焊道冷至室温后再焊接下一道3种层间温度控制方案和730,600℃2种焊后退火温度,通过显微组织、拉伸性能和疲劳性能确定了大厚度TC4钛合金铸造板钨极惰性气体保护焊(GTAW)的最优工艺,并研究了... 选用连续施焊、焊层冷至室温后再焊接下一层、焊道冷至室温后再焊接下一道3种层间温度控制方案和730,600℃2种焊后退火温度,通过显微组织、拉伸性能和疲劳性能确定了大厚度TC4钛合金铸造板钨极惰性气体保护焊(GTAW)的最优工艺,并研究了最优工艺下焊接接头的力学性能。结果表明:焊层冷至室温后再焊接下一层得到的焊接接头焊缝组织最为细小,疲劳寿命最高,在730℃下退火后的焊接接头拉伸性能更好,故确定为最优工艺;最优工艺下,GTAW接头的焊缝硬度略高于母材,属于高匹配接头,在拉伸和疲劳过程中接头均在母材处发生断裂,但焊缝的抗疲劳开裂能力低于母材。 展开更多
关键词 钛合金铸件 钨极惰性气体保护焊 层间温度 焊后退火处理 疲劳
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