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氢氧化铝含量对硅橡胶结构及憎水恢复性的影响 被引量:19
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作者 王康 王建国 +3 位作者 郑峰 方鹏飞 李飞 李劲彬 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期468-473,共6页
氢氧化铝(ATH)作为阻燃剂是复合绝缘子硅橡胶的基本原料。为研究ATH含量对硅橡胶结构和憎水恢复性的影响,炼制ATH质量分数分别为40%、45%、50%和55%的硅橡胶试样,对试样进行正电子寿命谱、邵氏硬度测试,及5 min Ar等离子体老化实验。结... 氢氧化铝(ATH)作为阻燃剂是复合绝缘子硅橡胶的基本原料。为研究ATH含量对硅橡胶结构和憎水恢复性的影响,炼制ATH质量分数分别为40%、45%、50%和55%的硅橡胶试样,对试样进行正电子寿命谱、邵氏硬度测试,及5 min Ar等离子体老化实验。结果表明:ATH质量分数从40%增加到55%时,次长寿命强度I3从7.8%下降到6.1%,而最长寿命强度I4从24.8%锐减至18.6%。随ATH质量分数增加,硅橡胶中2种自由体积的尺寸基本不变;但ATH颗粒容易发生团聚,这些颗粒占据了分子链运动空间,限制了大分子链的运动,使得大尺寸自由体积数量减少,特别是使大尺寸孔洞的数量锐减。邵氏硬度随ATH质量分数增大而变大,说明样品由弹性体朝无机体转变。经相同等离子体处理时间后,硅橡胶憎水恢复速度随ATH质量分数增加而减慢,结合正电子湮没寿命结果可知,ATH的加入限制了体系内硅橡胶分子链的运动,自由体积数量减少,使得小分子输送通道变少。 展开更多
关键词 憎水恢复 氢氧化铝 硅橡胶 正电子寿命谱 等离子体 自由体积
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D4含量对硅橡胶微观结构和憎水恢复的影响 被引量:13
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作者 彭向阳 许志海 +3 位作者 王康 王建国 郑峰 方鹏飞 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2097-2104,共8页
憎水恢复性是硅橡胶的重要特性,其恢复速度对电力系统用硅橡胶复合绝缘子至关重要。为研究小分子含量对硅橡胶微观结构和憎水恢复的影响,炼制八甲基环4硅氧烷(D4)质量分数含量分别为0,1,2,3,5phr(生胶的含量为100phr)的硅橡胶试片,对其... 憎水恢复性是硅橡胶的重要特性,其恢复速度对电力系统用硅橡胶复合绝缘子至关重要。为研究小分子含量对硅橡胶微观结构和憎水恢复的影响,炼制八甲基环4硅氧烷(D4)质量分数含量分别为0,1,2,3,5phr(生胶的含量为100phr)的硅橡胶试片,对其进行正电子寿命谱检测,探讨D4含量的不同对硅橡胶结构的影响。对试样进行Ar等离子体处理,测量其憎水恢复速度,研究D4含量对硅橡胶憎水恢复的影响。结果表明,未加D4的硅橡胶试片中存在两种不同孔径的自由体积,对应半径分别为2.12的小孔和4.05的大孔。小分子D4含量增加,小孔尺寸(τ3)减小,对应的强度(I3)增加。大孔的尺寸(τ4)及强度(I4)不受D4含量影响。经过Ar等离子体5min处理后,D4含量越多则憎水恢复速度越快。小分子的含量影响硅橡胶憎水恢复速度。 展开更多
关键词 憎水恢复性 硅橡胶 八甲基环4硅氧烷(D4) 正电子寿命谱 自由体积 Ar等离子体
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白炭黑含量对硅橡胶结构和憎水恢复性影响 被引量:9
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作者 王康 王建国 +3 位作者 郑峰 方鹏飞 彭向阳 许志海 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期31-39,共9页
憎水恢复性是硅橡胶的基本特性,白炭黑作为补强剂是复合绝缘子硅橡胶的基本原料。为研究白炭黑含量对硅橡胶结构和憎水恢复性的影响,炼制了不同含量白炭黑的硅橡胶试样,并对试样进行了正电子寿命谱测试,结果表明,白炭黑含量的增多,使得... 憎水恢复性是硅橡胶的基本特性,白炭黑作为补强剂是复合绝缘子硅橡胶的基本原料。为研究白炭黑含量对硅橡胶结构和憎水恢复性的影响,炼制了不同含量白炭黑的硅橡胶试样,并对试样进行了正电子寿命谱测试,结果表明,白炭黑含量的增多,使得τ_3增加而I_3与I_4均下降,其原因是白炭黑含量的增多使得硅橡胶中物理交联点变多,同时也使得白炭黑颗粒更容易团聚,导致更多的正电子在白炭黑中湮没。对试样进行Ar等离子体老化5min,测量其憎水恢复速度,结果表明白炭黑含量的增加会使硅橡胶憎水恢复速度下降,白炭黑加入过多会影响硅橡胶憎水恢复性能,导致使用寿命变短。 展开更多
关键词 憎水恢复 硅橡胶 白炭黑 正电子寿命谱 等离子体
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转镜式高速扫描相机时间分辨率的测定 被引量:3
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作者 叶式灿 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期203-208,共6页
介绍了产生时间分辨率的原因,测量时间分辨率在高速摄影中的作用,前人曾做过的工作,时间分辨率测定的难点;着重介绍了新的测量方法,给出了实际测定的结果。结果表明,对于GSJ型相机,时间分辨率可达8.6ns,测量的均方根误... 介绍了产生时间分辨率的原因,测量时间分辨率在高速摄影中的作用,前人曾做过的工作,时间分辨率测定的难点;着重介绍了新的测量方法,给出了实际测定的结果。结果表明,对于GSJ型相机,时间分辨率可达8.6ns,测量的均方根误差为1.1ns。 展开更多
关键词 高速扫描相机 时间分辨率 闪光灯 高速摄影机
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La_(0.67)Sr_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系的正电子湮没研究 被引量:4
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作者 张星 郝艳玲 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期80-84,共5页
采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0x0.2)的系列样品.利用X射线衍射、激光拉曼、正电子湮灭等实验手段并结合输运测量,对该系列样品进行了研究.结果表明,各样品均为正交钙钛矿结构;随着掺杂量的增加,样品的电阻... 采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0x0.2)的系列样品.利用X射线衍射、激光拉曼、正电子湮灭等实验手段并结合输运测量,对该系列样品进行了研究.结果表明,各样品均为正交钙钛矿结构;随着掺杂量的增加,样品的电阻率ρ急剧变大,绝缘体-金属转变峰随着掺杂浓度x的增加,峰值对应温度向低温区移动,这是由于样品内部晶体结构的变化所导致的.掺杂样品中缺陷及电子结构的变化与掺杂浓度密切相关,这主要是由于样品中的Mn3+被Fe3+所替代,部分Mn3+-O2-Mn4+铁磁双交换作用键被打断,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争以及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响所导致的. 展开更多
关键词 正电子湮没 寿命谱 CMR
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MgAl_2O_3透明陶瓷正电子湮没寿命谱的研究
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作者 王鹏 林理彬 +1 位作者 何捷 卢勇 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期1-4,共4页
作者采用正电子湮没寿命谱的方法 ,研究了Mg -Al尖晶石透明陶瓷经电子和质子辐照处理后的缺陷情况 ,以及在γ射线辐照下 ,其缺陷情况随γ射线剂量的变化规律 ;并研究了该样品的退火特性 .发现电子辐照样品时所产生的正离子空位 ,在注量... 作者采用正电子湮没寿命谱的方法 ,研究了Mg -Al尖晶石透明陶瓷经电子和质子辐照处理后的缺陷情况 ,以及在γ射线辐照下 ,其缺陷情况随γ射线剂量的变化规律 ;并研究了该样品的退火特性 .发现电子辐照样品时所产生的正离子空位 ,在注量大于 1× 1 0 1 6/cm2 时还可能存在F心 .质子辐照样品时 ,在较小注量下即能造成较多的损伤缺陷 .样品中的缺陷随着γ辐照剂量的增加出现三个阶段 .经质子和γ辐照后进行退火出现缺陷分解现象 .说明辐照后的样品中存在复杂的缺陷结构 . 展开更多
关键词 MgAl2O3透明陶瓷 正电子寿命谱 缺陷
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La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3化合物铁掺杂效应的正电子寿命谱研究 被引量:1
7
作者 路庆凤 张星 +3 位作者 胡艳春 徐勇光 李喜贵 常方高 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期57-60,共4页
采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局... 采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局域化而引起的极化导致了正电子寿命的变化. 展开更多
关键词 正电子湮没 寿命谱 CMR
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非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 被引量:1
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作者 陈燕 邓爱红 +6 位作者 赵有文 张英杰 余鑫祥 喻菁 龙娟娟 周宇璐 张丽然 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1069-1072,共4页
本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照... 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述. 展开更多
关键词 磷化铟 正电子寿命谱 电子辐照 缺陷
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YBa_2Cu_(3-x)Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究 被引量:1
9
作者 刘峰奇 刘军政 +3 位作者 程国生 曹世勋 尚家香 张金仓 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第7期425-429,共5页
研究了Sn作Cu位元素替代的YBa2Cu3-xSnxOy超导体系(x=0-1.5)的正电子寿命谱,计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化;发现了存在于高浓度替代区域(x=0.8-1.0)的正电子湮没特征;讨论了对超导电性... 研究了Sn作Cu位元素替代的YBa2Cu3-xSnxOy超导体系(x=0-1.5)的正电子寿命谱,计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化;发现了存在于高浓度替代区域(x=0.8-1.0)的正电子湮没特征;讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。 展开更多
关键词 正电子寿命谱 电子密度 缺陷浓度 陶瓷材料
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纳米SnO_2的氧缺陷研究——Mossbauer谱与PAT寿命谱
10
作者 冯卫国 《中山大学研究生学刊(自然科学与医学版)》 1996年第3期23-26,34,共5页
本文采用Mossbauer谱和PAT寿命谱对纳米SnO_2进行研究。结果表明,纳米SnO_2的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷,使Sn^(4+)的离子特征下降,改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制,分析了捕获缺陷的类... 本文采用Mossbauer谱和PAT寿命谱对纳米SnO_2进行研究。结果表明,纳米SnO_2的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷,使Sn^(4+)的离子特征下降,改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制,分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明,纳米SnO_2晶界缺陷处Sn原子附近的电子密度较大,结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。 展开更多
关键词 SnO2 纳米微粒 氧缺陷 穆斯堡尔谱 正电子湮没寿命谱
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超高分子量聚苯乙烯中的正电子寿命谱
11
作者 张水合 齐陈泽 +1 位作者 王宝义 王天民 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期227-229,共3页
以2,3-二氰基-2,3-二(p-X取代苯基)丁二酸二乙酯(X=H,CH_3,Cl)为引发剂,用本体法合成了超高分子量聚苯乙烯。研究了不同引发剂对苯乙烯聚合物正电子湮没寿命谱的影响,通过比较聚合物的分子量和自由体积,... 以2,3-二氰基-2,3-二(p-X取代苯基)丁二酸二乙酯(X=H,CH_3,Cl)为引发剂,用本体法合成了超高分子量聚苯乙烯。研究了不同引发剂对苯乙烯聚合物正电子湮没寿命谱的影响,通过比较聚合物的分子量和自由体积,表明引发剂的分解速率对自由体积有较大的影响,而浓度对自由体积的影响不大。 展开更多
关键词 引发剂 超高分子量 聚苯乙烯 正电子寿命谱
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USY沸石中的正电子湮没
12
作者 马莉 陈志权 +1 位作者 王少阶 罗锡辉 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期334-339,共6页
用正电子湮没方法研究了Y型沸石脱铝(高温水热处理)前后孔结构的变化,测量了在不同空气压强中的正电子寿命谱。在真空中得到脱铝前NaY沸石有4个寿命分量,脱铝后USY沸石有5个寿命分量.实验结果表明,经离子交换及高温水热处理后沸... 用正电子湮没方法研究了Y型沸石脱铝(高温水热处理)前后孔结构的变化,测量了在不同空气压强中的正电子寿命谱。在真空中得到脱铝前NaY沸石有4个寿命分量,脱铝后USY沸石有5个寿命分量.实验结果表明,经离子交换及高温水热处理后沸石中产生了“二次孔”。并且随着吸附空气的增加,USY沸石的τ5、I5明显减小。 展开更多
关键词 正电子寿命谱 脱铝 Y型 沸石 二次孔 USY沸石
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不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱
13
作者 王淑荷 熊良钺 +2 位作者 李辉 邓文 郭建亭 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期113-116,共4页
用正电子湮没技术研究了不同P含量的DZ17G合金的正电子寿命谱。结果表明,当合金中P含量≥0.03wt%时,形成金属键的自由电子密度明显下降,其缺陷浓度明显增加,从而使合金力学性能下降,当P含量≤0.015wt%时,... 用正电子湮没技术研究了不同P含量的DZ17G合金的正电子寿命谱。结果表明,当合金中P含量≥0.03wt%时,形成金属键的自由电子密度明显下降,其缺陷浓度明显增加,从而使合金力学性能下降,当P含量≤0.015wt%时,合金的体电子浓度变化不大,对合金性能影响较小。认为从不同P含量对合金缺陷组态和电子结构的影响出发,控制DZ17G合金的P含量≤0. 展开更多
关键词 正电子寿命谱 高温合金 磷含量 正电子湮没
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用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度
14
作者 吴伟明 高英俊 +4 位作者 邓文 许少杰 冯冠之 钟夏平 蒋晓军 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期160-163,共4页
测量了欠时效和峰值时效的Al—Li—Cu—Mg-Zr合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱.对e+寿命谱特征参数的分析表明.两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量... 测量了欠时效和峰值时效的Al—Li—Cu—Mg-Zr合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱.对e+寿命谱特征参数的分析表明.两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量更多;缺陷的平均开空间更大.而且随着δ'(Al3Li)相粒子的长大,样品基体中自由电子密度提高,增加了合金基体的强度. 展开更多
关键词 正电子寿命谱 铝锂合金 深低温 缺陷 电子密度
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La_(2-x)M_xCuO_4(M=Sr,Ba)体系的正电子湮没研究 被引量:10
15
作者 路庆凤 杜保立 李喜贵 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期594-597,共4页
为了研究镧系超导体在掺杂为1/8时的超导转变温度反常抑制问题,我们对La2-xMxCuO4(LMCO,M=Sr, Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱进行了系统的测量。观察到了存在于x=0.125附近 的电子密度(ne)的峰值响应,并讨论了... 为了研究镧系超导体在掺杂为1/8时的超导转变温度反常抑制问题,我们对La2-xMxCuO4(LMCO,M=Sr, Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱进行了系统的测量。观察到了存在于x=0.125附近 的电子密度(ne)的峰值响应,并讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关系。 展开更多
关键词 La2-xMxCuO4超导体 正电子寿命参数 掺杂 峰值响应
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应用于聚合物中的正电子湮没寿命谱技术 被引量:6
16
作者 马俊涛 黄荣华 《高分子通报》 CAS CSCD 2001年第4期38-44,共7页
正电子湮没寿命谱技术是一种新型聚合物结构探测与表征技术 ,针对此技术在聚合物自由体积研究中的应用 ,首先介绍了该技术的基本原理和应用理论 ,接着针对寿命谱数据的处理手段和计算方法 ,对国内外的研究进展进行了概述和总结 ,最后展... 正电子湮没寿命谱技术是一种新型聚合物结构探测与表征技术 ,针对此技术在聚合物自由体积研究中的应用 ,首先介绍了该技术的基本原理和应用理论 ,接着针对寿命谱数据的处理手段和计算方法 ,对国内外的研究进展进行了概述和总结 ,最后展示了该技术在聚合物材料研究中用于基本理论。 展开更多
关键词 正电子湮没寿命谱技术 自由体积 正电子素 数据处理 应用 聚合物 结构表征
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高冲聚苯乙烯-低密度聚乙烯的自由体积特征与其相溶性的关系 被引量:4
17
作者 胡幼华 齐陈泽 +4 位作者 刘维民 王宝义 孙旭东 王天民 郑小明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第7期556-560,共5页
不同组成的高冲聚苯乙烯(HIPS)和低密度聚乙烯(LDPE)共混物的正电子湮没寿命谱被测量,结果表明HIPS和LDPE是不相溶共混物。在界面处,二组分的不相溶主要归因与一个组分没有足够大的自由体积孔穴尺寸容纳另一组分的侧基和分子链端基。另... 不同组成的高冲聚苯乙烯(HIPS)和低密度聚乙烯(LDPE)共混物的正电子湮没寿命谱被测量,结果表明HIPS和LDPE是不相溶共混物。在界面处,二组分的不相溶主要归因与一个组分没有足够大的自由体积孔穴尺寸容纳另一组分的侧基和分子链端基。另外,测量的自由体积分数产生的负偏差被认为主要由最长寿命强度I3所引起。 展开更多
关键词 高冲聚苯乙烯 低密度聚乙烯 共混物 正电子湮没寿命谱
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理想正电子湮灭寿命谱解析程序DPSⅠ 被引量:4
18
作者 杨树军 《计算物理》 CSCD 北大核心 2003年第6期561-564,共4页
 用C++语言编写了仅考虑样品体内信息的理想正电子湮灭寿命谱的解析程序DPSⅠ.程序采用带有记忆功能,并带有局部搜索的改进型模拟退火算法.对一般情况的理想寿命谱,DPSⅠ均可给出全局最优解;对于含有相对强度较小或重叠较为严重的多成...  用C++语言编写了仅考虑样品体内信息的理想正电子湮灭寿命谱的解析程序DPSⅠ.程序采用带有记忆功能,并带有局部搜索的改进型模拟退火算法.对一般情况的理想寿命谱,DPSⅠ均可给出全局最优解;对于含有相对强度较小或重叠较为严重的多成份寿命谱,也可给出可接受的近似全局最优解.DPSⅠ的实现为开发实验测量寿命谱解析程序奠定了基础. 展开更多
关键词 正电子湮灭 寿命谱 C++语言 模拟退火算法 DPS I程序 反演
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A PAT STUDY OF INFLUENCES OF PRECIPITATION ON DEFECTS AND ELECTRONIC DENSITY IN Al-Li-Cu-Mg-Zr ALLOYS 被引量:2
19
作者 Wu, WM Gao, YJ +4 位作者 Luo, LX Deng, W Xu, SJ Zhong, XP Jiang, XJ 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 1997年第1期43-46,共4页
APATSTUDYOFINFLUENCESOFPRECIPITATIONONDEFECTSANDELECTRONICDENSITYINAlLiCuMgZrALLOYS①WuWeiming,GaoYingjun... APATSTUDYOFINFLUENCESOFPRECIPITATIONONDEFECTSANDELECTRONICDENSITYINAlLiCuMgZrALLOYS①WuWeiming,GaoYingjun,LuoLixiong,DengW... 展开更多
关键词 positron lifetime spectra Al Li Cu Mg ZR alloy ageing PRECIPITATION DEFECTS bulk ELECTRONIC DENSITY
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A Study of Substitution Site of Sn in YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y Superconductors by Positron Annihilation Technique
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作者 智宇 陈昂 +3 位作者 李标荣 张绪礼 李晓华 王少阶 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1993年第9期769-772,共4页
It is one of the important ways that the foreign elements can be used as a probe to be substituted into the lattice so as to obtain the information about the electronic and crystal structure of the cuprate oxide super... It is one of the important ways that the foreign elements can be used as a probe to be substituted into the lattice so as to obtain the information about the electronic and crystal structure of the cuprate oxide superconductors. Obviously, it is essential to determining the real substituted site by foreign elements in discussion of the substitution effect. It is known that the positron annihilation technique (PAT) is highly sensitive to the changes in electronic and defect structure of the materials. Since Jean et al. reported 展开更多
关键词 high temperature superconductor substitution of elements positron ANNIHILATION lifetime spectra
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