期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟
被引量：
1
1
作者
张庆全
竺士炀
黄宜平
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期70-73,80,共5页
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大...
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.
展开更多
关键词
多孔硅薄膜
计算机模拟
多孔硅生长模型
氢氟酸
微结构
生长机理
原文传递
题名
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟
被引量：
1
1
作者
张庆全
竺士炀
黄宜平
机构
复旦大学微电子系
出处
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期70-73,80,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(30170266)
文摘
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.
关键词
多孔硅薄膜
计算机模拟
多孔硅生长模型
氢氟酸
微结构
生长机理
Keywords
porous
silicon
computer
simulation
porous
silicon
formation
model
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TP391.9 [理学—物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟
张庆全
竺士炀
黄宜平
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
