期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到906篇文章
< 1 2 … 46 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
电子级多晶硅的生产工艺 被引量：163
1
作者 梁骏吾 《中国工程科学》 2000年第12期34-39,共6页
就建设 10 0 0t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比 ;对还原或热分... 就建设 10 0 0t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比 ;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于 10 0 0t/a级的电子级多晶硅生产。 展开更多
关键词 电子级多晶硅 三氯氢硅法 半导体材料 硅烷法 生产工艺 钟罩式反应器
下载PDF
四氯化硅转化技术的现状与发展趋势 被引量：61
2
作者 陈涵斌 李育亮 印永祥 《氯碱工业》 CAS 2009年第4期27-31,共5页
介绍以四氯化硅为原料生产的几种化学产品(气相法白炭黑、硅酸乙酯、多晶硅、光纤材料、三氯氢硅)的生产技术的现状和发展趋势,并分析这些产品的市场容量和对消耗四氯化硅所起的作用。国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯... 介绍以四氯化硅为原料生产的几种化学产品(气相法白炭黑、硅酸乙酯、多晶硅、光纤材料、三氯氢硅)的生产技术的现状和发展趋势,并分析这些产品的市场容量和对消耗四氯化硅所起的作用。国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯化硅的最有效的方法是转化为三氯氢硅。着重介绍国内外四氯化硅氢化技术,及笔者正在开发的等离子体四氯化硅还原新工艺。 展开更多
关键词 四氯化硅 转化 三氯氢硅 多晶硅 气相法白炭黑 硅酸乙酯 光纤 等离子体法
下载PDF
硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究 被引量：39
3
作者 王阳元 武国英 +5 位作者 郝一龙 张大成 肖志雄 李婷 张国炳 张锦文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1577-1584,共8页
本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了... 本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ; 展开更多
关键词 硅基 MEMS标准工艺 高深宽比刻蚀 键合 多晶硅 应力 防粘附 微机电系统 半导体
下载PDF
国内外多晶硅工业现状 被引量：35
4
作者 郭瑾 李积和 《上海有色金属》 CAS 2007年第1期20-25,46,共7页
回顾了2005～2006年国内外多晶硅生产现状及2010年前全球多晶硅生产商扩产计划和达产目标，并概括了目前多晶硅生产新工艺。提出全球在2008年以后太阳能级多晶硅产能与太阳能硅电池的需求逐渐趋于平衡，供需矛盾缓和，价格开始回落；太... 回顾了2005～2006年国内外多晶硅生产现状及2010年前全球多晶硅生产商扩产计划和达产目标，并概括了目前多晶硅生产新工艺。提出全球在2008年以后太阳能级多晶硅产能与太阳能硅电池的需求逐渐趋于平衡，供需矛盾缓和，价格开始回落；太阳能级多晶硅的主流生产工艺仍然是化学法，冶金精炼法将来能成为一种补充；至2010年中国的太阳能级多晶硅工业将在世界上占一席之地；但国内太阳能级多晶硅厂商，在2010年尚不能掌握西门子法低成本工艺、副产品的综合利用及环保技术，将会陷入困境。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳能电池 西门子法 沸腾床
下载PDF
改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨 被引量：42
5
作者 杨涛 《贵州化工》 2009年第3期7-11,共5页
改良西门子法生产多晶硅是目前最为成熟、应用最广泛、扩展速度最快的技术。介绍了生产多晶硅的多种生产方法,重点对改良西门子法生产多晶硅的工艺流程作了介绍,并阐述了工程设计中需注意的问题。
关键词 多晶硅 改良西门子法 工艺设计
下载PDF
硅半导体太阳能电池进展 被引量：42
6
作者 李怀辉 王小平 +5 位作者 王丽军 刘欣欣 梅翠玉 刘仁杰 江振兴 赵凯麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期49-53,共5页
太阳能电池是将太阳能直接转化为电能的装置,也是有效利用太阳能最佳途径之一。作为一种绿色能源,尤其是在核电安全问题面临挑战的今天,太阳能电池被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的最佳选择。目前,许多国家正在制订中... 太阳能电池是将太阳能直接转化为电能的装置,也是有效利用太阳能最佳途径之一。作为一种绿色能源,尤其是在核电安全问题面临挑战的今天,太阳能电池被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的最佳选择。目前,许多国家正在制订中长期太阳能开发计划,准备在21世纪大规模开发太阳能。当前研究最多同时在生产应用的最广泛的当数硅太阳能电池(如单晶硅、多晶硅、非晶硅等)。通过对各类硅太阳能电池的性能、工艺、转化效率以及制备方法等方面作比较并讨论了它们各自性能的优劣,最后结合当前国内外工业化生产状况,对硅太阳能电池研究现状和各自的最新进展作了比较详细的综述,并简要讨论了硅太阳能电池研究和生产上的前景及趋势。 展开更多
关键词 太阳能电池 硅太阳能电池 单晶硅 多晶硅 非晶硅
下载PDF
四氯化硅氢化研究进展 被引量：27
7
作者 陈其国 陈涵斌 满慈皊 《氯碱工业》 CAS 2010年第6期27-30,共4页
综述了四氯化硅热氢化法、氯氢化法和等离子体氢化法制备三氯氢硅的最新进展,并对这3种技术进行了对比。
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 多晶硅 热氢化 氯氢化 等离子体法氢化
下载PDF
多晶硅副产物四氯化硅的综合利用技术 被引量：26
8
作者 王跃林 《精细与专用化学品》 CAS 2009年第2期22-24,共3页
四氯化硅的用途有四个方面:一是氢化还原为三氯氢硅;二是合成气相二氧化硅;三是合成硅酸乙醇;四是提纯为光纤级四氯化硅。
关键词 综合利用技术 四氯化硅 副产物 多晶硅 太阳能利用技术 可再生能源 石油危机 温室效应
原文传递
多晶硅生产中三氯氢硅精馏节能工艺 被引量：25
9
作者 黄国强 石秋玲 王红星 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2601-2605,共5页
简述了多晶硅行业概况和差压耦合蒸馏节能技术。详述了一种高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺,利用高压塔塔顶蒸汽作为低压塔塔釜再沸器热源,实现了能量的集成与过程优化。运用化工模拟软件PRO/Ⅱ8.1模拟了两塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工... 简述了多晶硅行业概况和差压耦合蒸馏节能技术。详述了一种高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺,利用高压塔塔顶蒸汽作为低压塔塔釜再沸器热源,实现了能量的集成与过程优化。运用化工模拟软件PRO/Ⅱ8.1模拟了两塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺和三塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺的设计参数。结果显示,两塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能50.1%;三塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能66.7%,效果更好。该技术已成功实现工业化,可使精馏单元实际能耗平均降低40%～60%,同时大幅减少了设备投资。 展开更多
关键词 多晶硅 高纯三氯氢硅 差压 热耦合 节能
下载PDF
多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展 被引量：13
10
作者 胡芸菲 沈辉 +1 位作者 梁宗存 刘正义 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期200-206,共7页
从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的... 从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6.05%。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 颗粒硅带 化学气相沉积 区熔再结晶
下载PDF
掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响 被引量：19
11
作者 揣荣岩 刘晓为 +3 位作者 霍明学 宋明浩 王喜莲 潘慧艳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1230-1235,共6页
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下... 为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型. 展开更多
关键词 多晶硅 纳米薄膜 压阻特性 隧道效应 应变系数
下载PDF
多晶硅还原炉倒棒原因探讨 被引量：15
12
作者 柯曾鹏 杨志国 +1 位作者 刘欣 宗文婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期994-998,共5页
多晶硅生产过程中的倒棒现象将给多晶硅生产企业带来巨大的经济损失和安全风险。通过对多晶硅生产中还原炉倒棒现象的总结分析,发现还原炉系统设备自身问题、硅芯质量及安装缺陷和硅棒生长中的工艺控制不当是造成还原炉发生倒棒的主要原... 多晶硅生产过程中的倒棒现象将给多晶硅生产企业带来巨大的经济损失和安全风险。通过对多晶硅生产中还原炉倒棒现象的总结分析,发现还原炉系统设备自身问题、硅芯质量及安装缺陷和硅棒生长中的工艺控制不当是造成还原炉发生倒棒的主要原因,通过优化还原系统设备、提高安装操作水平等措施控制和预防还原炉的倒棒问题。 展开更多
关键词 多晶硅 还原炉 硅芯 沉积过程 倒棒
下载PDF
等离子体还原SiCl_4一步法制备多晶硅实验研究 被引量：17
13
作者 冉祎 兰天石 +2 位作者 覃攀 戴晓雁 印永祥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期828-831,共4页
区别于改良西门子法、硅烷法、碳热还原法、区域熔炼法等多晶硅生产工艺,利用等离子体技术,建立了以硅的氯化物为原料,一步法制备多晶硅的实验装置和工艺流程,并在此基础上进行了粒状多晶硅制备的实验。实验表明,SiCl4单程转化率超过70%... 区别于改良西门子法、硅烷法、碳热还原法、区域熔炼法等多晶硅生产工艺,利用等离子体技术,建立了以硅的氯化物为原料,一步法制备多晶硅的实验装置和工艺流程,并在此基础上进行了粒状多晶硅制备的实验。实验表明,SiCl4单程转化率超过70%,多晶硅选择性60%。利用XRD、SEM、AS等分析手段,对所得产物进行了表征。与纯度为7个9的多晶硅标样的比较表明,实验产物达到了太阳能级。此方法为多晶硅生产极大地放宽了原料选择条件,为低成本生产太阳能级多晶硅提供了一种新的途径。 展开更多
关键词 多晶硅 等离子体 四氯化硅 一步法 西门子法
下载PDF
太阳能级多晶硅生命周期环境影响评价 被引量：18
14
作者 谢明辉 阮久莉 +4 位作者 白璐 乔琦 刘秀琼 杨德仁 杨黎飞 《环境科学研究》 EI CAS CSSCI CSCD 北大核心 2015年第2期291-296,共6页
采用生命周期评价法对太阳能级多晶硅生产过程的环境影响进行评价.基于Eco-Indicator99,建立了适用于我国的终点破坏类影响评价模型(Chinese endpoint damage model,CEDM).对影响评价模型的资源属性参数进行了本地化研究,核算出以2010... 采用生命周期评价法对太阳能级多晶硅生产过程的环境影响进行评价.基于Eco-Indicator99,建立了适用于我国的终点破坏类影响评价模型(Chinese endpoint damage model,CEDM).对影响评价模型的资源属性参数进行了本地化研究,核算出以2010年为基准年、以我国为基准区域的资源属性本地化人均年度基准值(4.33×105MJ).采用现场和问卷调研的方式获得太阳能级多晶硅所有生命周期阶段的能量物质的输入、输出和环境外排数据,调研样本总产量达到2012年全国产量的80%.结果表明:从环境影响的最终破坏受体来看,太阳能级多晶硅生命周期环境影响主要集中在对人体健康损害方面,占其整个环境影响的72.31%;其次是对资源衰竭方面的影响,占24.23%;对生态系统的损害最小,仅占3.46%.在所有环境要素中,电的环境影响最高,占79.48%;其次是蒸汽消耗、工业硅原料,二者分别占13.18%、5.97%.我国太阳能级多晶硅生命周期环境影响是欧洲平均水平的2倍多,主要是受电力结构所致,但在技术先进性和污染防治水平方面要优于欧洲平均水平. 展开更多
关键词 太阳能级 多晶硅 生命周期评价 环境影响
下载PDF
国内外多晶硅行业现状与发展趋势 被引量：15
15
作者 卜新平 《化学工业》 CAS 2008年第7期32-41,共10页
介绍国内外多晶硅的生产和消费情况,对未来市场需求进行了预测。分析了我国多晶硅生产优势和存在的问题,并对我国发展多晶硅产业给出建议。
关键词 多晶硅 光伏产业 半导体产业 市场需求分析
下载PDF
多晶硅副产物四氯化硅的利用 被引量：17
16
作者 宋佳 曹祖宾 +2 位作者 李会朋 姜召坤 朱元宝 《化学与粘合》 CAS 2011年第1期57-62,共6页
随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛。生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题... 随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛。生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题亟待解决。介绍了多种四氯化硅的再利用方法,如可以用来制造气相白炭黑,合成有机硅产品,制备高纯光纤,用锌还原等,其中以四氯化硅加氢生成三氯氢硅最为看好。 展开更多
关键词 多晶硅 副产物 四氯化硅 气相白炭黑 有机硅 高纯光纤 锌还原 加氢 三氯氢硅
原文传递
四氯化硅固定床冷氢化工艺的研究 被引量：16
17
作者 宋佳 曹祖宾 +2 位作者 李会鹏 韩冬云 李大为 《化学工业与工程》 CAS 2011年第3期20-24,共5页
对四氯化硅固定床加氢工艺进行了研究,考察了反应温度、压力、n(氢气)/n(四氯化硅)、m(催化剂)/m(硅)等因素对四氯化硅转化率的影响。该工艺克服了流化床中粉末状物质会严重堵塞反应装置以及催化剂大量流失的缺点,可以指导生产并为企业... 对四氯化硅固定床加氢工艺进行了研究,考察了反应温度、压力、n(氢气)/n(四氯化硅)、m(催化剂)/m(硅)等因素对四氯化硅转化率的影响。该工艺克服了流化床中粉末状物质会严重堵塞反应装置以及催化剂大量流失的缺点,可以指导生产并为企业带来可观效益。经探讨,最适宜工艺条件为:温度500℃;压力3.5 MPa;n(氢气)/n(四氯化硅)为5.0;m(催化剂)/m(硅)为0.100。 展开更多
关键词 多晶硅 四氯化硅(STC) 三氯氢硅(TCS)
下载PDF
多晶硅压力传感器热灵敏度漂移补偿技术 被引量：11
18
作者 罗秦川 张生才 +2 位作者 姚素英 张为 曲宏伟 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第5期33-36,共4页
列举了几种多晶硅高温压力传感器的热灵敏度漂移补偿方法,并分别讨论了它们的原理及特点。对采用多晶硅热敏电阻器进行补偿的两种补偿方法进行了详细地分析和测试。实验表明,这两种补偿法更适用于多晶硅压力传感器。
关键词 多晶硅 压力传感器 热灵敏度漂移 灵敏系数 温度补偿
下载PDF
多晶硅能耗分析与节能实践 被引量：15
19
作者 严大洲 杨永亮 +5 位作者 张升学 万烨 姚心 姜利霞 司文学 马志华 《电子科学技术》 2014年第2期224-230,共7页
多晶硅是信息产业和新能源产业的基础原材料,多晶硅"高能耗"一直制约产业的发展[1],本文通过分析多晶硅生产各工序的能耗,找出节能重点环节,通过计算机模拟、系统优化和工程实践,节能效果显著,对多晶硅生产具有现实指导意义。
关键词 多晶硅 还原炉 精馏提纯 节能
下载PDF
多晶硅薄膜压阻系数的理论研究 被引量：13
20
作者 刘晓为 霍明学 +2 位作者 陈伟平 王东红 张颖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期292-296,共5页
利用应力退耦模型 ,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析 ,并推导出多晶硅压阻系数的表达式 .实验结果表明 ,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合 ,所给出的有关多晶硅压阻系数... 利用应力退耦模型 ,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析 ,并推导出多晶硅压阻系数的表达式 .实验结果表明 ,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合 ,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据 . 展开更多
关键词 应力退耦模型 压阻系数 多晶硅
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 46 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部