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利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯Si-C-N陶瓷 被引量：5
1
作者 孟凡君 谭业邦 +3 位作者 刘宗林 茹淼焱 刘爱祥 孟霞 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期187-190,共4页
直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在110... 直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在1100℃高温裂解后,可得到无氯Si-C-N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si-C-N陶瓷的最经济的方法之一。 展开更多
关键词 Si-C-N陶瓷 高沸物二硅烷 甲基氯二硅烷 聚硅氮烷 流变特性 高温裂解
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钛粉在聚硅氮烷裂解制备陶瓷材料中的应用 被引量：1
2
作者 陈少杰 张教强 +1 位作者 苏力宏 张秋禹 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1244-1247,共4页
采用IR、TG、XRD等手段研究分析钛粉作为活性填料在聚硅氮烷裂解制备陶瓷材料中的应用。实验表明:钛粉可以有效改善先驱体的陶瓷产率,本实验中纯PSN-1先驱体在经1300℃裂解陶瓷产率仅为37.3%,通过加入质量比3/10(Ti/PSN-1)的钛粉,经130... 采用IR、TG、XRD等手段研究分析钛粉作为活性填料在聚硅氮烷裂解制备陶瓷材料中的应用。实验表明:钛粉可以有效改善先驱体的陶瓷产率,本实验中纯PSN-1先驱体在经1300℃裂解陶瓷产率仅为37.3%,通过加入质量比3/10(Ti/PSN-1)的钛粉,经1300℃裂解陶瓷产率为78.7%,提高了约40%;经红外光谱分析表明,通过向先驱体中加入Ti粉可以加速有机先驱体向无机陶瓷转化的速度;经X衍射分析表明,Ti粉作为活性填料能与先驱体裂解挥发份及保护气氛发生反应,生成TiC、TiN等新的物相,有利于提高陶瓷产率。 展开更多
关键词 钛粉 聚硅氮烷先驱体 裂解 陶瓷产率
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光聚合陶瓷先驱体裂解制备陶瓷涂层及其抗氧化性能 被引量：9
3
作者 陈少杰 张教强 +1 位作者 苏力宏 寇开昌 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期4-6,共3页
炭材应用广泛,但在高于500℃的有氧气氛中氧化迅速,其结构和性能受到严重影响。为此,采用光聚合巯基/乙烯基聚硅氮烷(PSN-1)陶瓷先驱体在炭材料表面裂解制备抗氧化陶瓷涂层,采用偏光显微镜和X射线衍射技术探讨了涂层对炭材抗氧化性能的... 炭材应用广泛,但在高于500℃的有氧气氛中氧化迅速,其结构和性能受到严重影响。为此,采用光聚合巯基/乙烯基聚硅氮烷(PSN-1)陶瓷先驱体在炭材料表面裂解制备抗氧化陶瓷涂层,采用偏光显微镜和X射线衍射技术探讨了涂层对炭材抗氧化性能的影响。结果表明:先驱体溶液浓度为30%时浸渍效果最好;加入质量比(Ti/PSN-1)为1/10～1/5的钛粉时,制备的涂层抗氧化性能最佳,恒温氧化120min后,失重率仅为18%;最佳的浸渍/裂解循环次数为3次,恒温氧化120min,失重率为15%;聚硅氮烷经高温裂解后最终生成氮化硅陶瓷。 展开更多
关键词 巯基/乙烯基陶瓷先驱体 炭材料 抗氧化 陶瓷涂层
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