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热丝CVD法低温制备的多晶硅薄膜质量对衬底依赖性的研究 被引量:6
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作者 张磊 沈鸿烈 +2 位作者 黄海宾 岳之浩 李斌斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1947-1950,共4页
以SiH4和H2作为反应气体,采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si(100)和Si(111)衬底上制备了多晶硅薄膜。利用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和傅里叶红外(FT-IR)吸收光谱研究了不同衬底对多晶硅薄膜的择优取向、晶化率和应力的影响,... 以SiH4和H2作为反应气体,采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si(100)和Si(111)衬底上制备了多晶硅薄膜。利用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和傅里叶红外(FT-IR)吸收光谱研究了不同衬底对多晶硅薄膜的择优取向、晶化率和应力的影响,用SEM观察了多晶硅薄膜的表面形貌。研究发现在4种衬底上生长的多晶硅薄膜均为(111)择优取向。单晶硅片对多晶硅薄膜有很强的诱导作用,并且Si(111)的诱导作用优于Si(100)的诱导作用。AZO对多晶硅薄膜生长也有一定的诱导作用。通过计算薄膜晶态比,得到除以石英为衬底的样品外,其它3种样品的晶态比均在90%以上,尤其以单晶硅片为衬底的样品更高。石英玻璃、AZO和Si(100)上生长的多晶硅薄膜中均存在压应力。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 衬底诱导 多晶硅薄膜 结晶性
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PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF POLY-CRYSTALLINE SILICON THIN FILM 被引量:1
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作者 Y.F.Hu H.Shen +1 位作者 Z.Y.Liu L.S.Wen 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第4期309-312,共4页
Poly-crystalline silicon thin film has big potential of reducing the cost of solar cells. In this paper the preparation of thin film is introduced, and then the morphology of poly-crystalline thin film, is discussed. ... Poly-crystalline silicon thin film has big potential of reducing the cost of solar cells. In this paper the preparation of thin film is introduced, and then the morphology of poly-crystalline thin film, is discussed. On the film we developed poly-crystalline silicon thin film solar cells with efficiency up to 6.05% without anti-reflection coating. 展开更多
关键词 poly-crystalline silicon thin film RTCVD (rapid thermal chem- ical vapor deposition) SSP (silicon sheet from powder)
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p-Si TFT的电场增强MILC制备技术
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作者 曾祥斌 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期85-87,共3页
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行... 采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法. 展开更多
关键词 金属诱导侧向晶化 电场增强晶化 多晶硅薄膜 薄膜晶体管
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