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镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管: 1; 作者彭尚龙胡多凯贺德衍《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期303-307,共5页; 提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性... 展开更多; 关键词镍硅化物金属诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管; 下载PDF 职称材料

Evaluation of Two Si Layers Simultaneously Crystallized LTPS-TFT Memory by the Green Laser Irradiation: 2; 作者 Kazunori Ichikawa Hiroshi Akamatsu +2 位作者 Koji Yamasaki Masahiro Horita Yukiharu Uraoka 《材料科学与工程（中英文B版）》 2013年第6期375-378,共4页; 关键词激光照射一次结晶硅层闪速存储器内存评估 A-si 准分子激光器; 下载PDF 职称材料

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