有机电致发光显示器件的研制及产品开发现状 被引量：12

1

作者 李向东 杨家德 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期153-158,共6页

阐明了有机电致发光 (EL)显示器件的基本结构和工作机理 ,对比了无源矩阵和有源矩阵两种有机EL器件驱动方式 ,总结了有机EL器件的制作工艺。展示了现有的有机EL产品和各大研究机构的最新成果 ,并且对有机电致发光现象发现以来的专利情... 阐明了有机电致发光 (EL)显示器件的基本结构和工作机理 ,对比了无源矩阵和有源矩阵两种有机EL器件驱动方式 ,总结了有机EL器件的制作工艺。展示了现有的有机EL产品和各大研究机构的最新成果 ,并且对有机电致发光现象发现以来的专利情况做了图表式总结。 展开更多

关键词 有机电致发光 平板显示器件 薄膜技术

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多晶硅薄膜的表面处理工艺 被引量：4

2

作者 曾祥斌 Johnny K O Sin +1 位作者 徐重阳 饶瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期693-696,共4页

采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能... 采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力，钝化的微观机理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等离子体中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的悬挂键，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ键，减少了表面态密度． 展开更多

关键词 NH3 N2O 表面钝化 p-sitft 多晶硅薄膜 表面处理工艺

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多晶硅有源矩阵液晶显示器

3

作者 张凤翙 《真空电子技术》 北大核心 1993年第1期36-40,共5页

本文首先就用来制造有源矩阵液晶显示器的非晶硅和多晶硅材料作了性能比较,然后描述了多晶硅薄膜晶体管阵列的制造方法,以及在制造方法上取得的进展。

关键词 有源矩阵 液晶显示器 非晶硅 多晶硅 薄膜晶体管

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晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si TFT性能的影响 被引量：1

4

作者 饶瑞 徐重阳 +2 位作者 孙国才 赵伯芳 曾祥斌 《微细加工技术》 2001年第2期49-52,共4页

在普通玻璃衬底上低温 ( 6 0 0℃以下 )制备 poly SiTFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点。采用金属诱导横向晶化法低温研制了 poly SiTFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly SiTFT性能的影响。

关键词 金属诱导横向晶化 有源层 刻蚀 多晶硅薄膜晶体管

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LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响 被引量：1

5

作者 丁磊 许剑 +2 位作者 韩郑生 梅沁 钟传杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期173-177,共5页

利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系。计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2&#... 利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系。计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小。而LDD掺杂能量对KINK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 KINK效应 MEDICI Tsuprem4

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改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真(英文) 被引量：1

6

作者 丁媛媛 司玉娟 郎六琪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期795-799,共5页

p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,... p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。 展开更多

关键词 移位寄存器 P沟道技术 多晶硅薄膜晶体管 有源OLED HSPICE仿真

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MOSFET和Poly-Si TFTs参数提取策略的研究

7

作者 魏长河 郑学仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期653-657,共5页

随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,... 随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,以包括了短沟效应、窄沟效应、漏致势垒降低效应的MOSFET阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出发点,然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法,最后给出了参数提取的流程图。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 短沟效应 阈值电压 漏电流 参数提取

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金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力退化特性及模型研究

8

作者 朱臻 《苏州大学学报（工科版）》 CAS 2007年第1期7-11,共5页

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面,研究了热载流子(HC)应力下,N型金属诱导横向结晶(MILC)LTPS TFT器件退化特性及模型。

关键词 多晶硅薄膜晶体管 金属诱导横向结晶 热载流子退化 可靠性 开态特性 关态特性

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AM－LCD用TFT有源矩阵的性能研究 被引量：5

9

作者 张凤 《真空电子技术》 北大核心 1996年第1期18-27,共10页

ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的... ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的最新进展。 展开更多

关键词 有源矩阵 AM-LCD tft CRT 显示器件

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Poly-Si TFT理论模型的研究 被引量：1

10

作者 张建军 吴春亚 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第2期92-97,共6页

建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了... 建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了有效迁移率，推导出了ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ电流电压关系的解析式。 展开更多

关键词 poly-si tft 物理模型 晶界势垒 有效迁移率 poly-si薄膜 CMOS电路 液晶电视

全文增补中

多晶硅OLED象素常用驱动电路分析 被引量：1

11

作者 代永平 王颖 贾连芹 《现代显示》 2005年第3期31-37,共7页

在多晶硅TFT-OLED中,驱动电路所用TFT的阈值变化量(△VT)会导致显示亮度不均匀,以及灰度低下。因此,需要设计特殊的象素驱动电路来克服这些缺陷。本文把一些常用驱动电路分成OLED的模拟驱动和数字驱动电路,对其性能和工作机理进行细致分... 在多晶硅TFT-OLED中,驱动电路所用TFT的阈值变化量(△VT)会导致显示亮度不均匀,以及灰度低下。因此,需要设计特殊的象素驱动电路来克服这些缺陷。本文把一些常用驱动电路分成OLED的模拟驱动和数字驱动电路,对其性能和工作机理进行细致分析,并指出其中的电路局限性,其间给出产生高灰度的方法。 展开更多

关键词 多晶硅tft电路 有机发光显示器 灰度 电流调制

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poly—Si TFT 制作工艺探索

12

作者 张建军 吴春亚 +4 位作者 李俊峰 周祯华 孟志国 赵颖 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第1期40-45,共6页

对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的... 对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。 展开更多

关键词 poly-sitft 源漏接触 退火 制作工艺 准分子激光晶化 多晶硅薄膜 源漏电极

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