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等离子体刻蚀工艺的物理基础 被引量:19
1
作者 戴忠玲 毛明 王友年 《物理》 CAS 北大核心 2006年第8期693-698,共6页
介绍了等离子体刻蚀工艺背景以及有关等离子体刻蚀机理的研究进展,综述了等离子体刻蚀机理的研究方法,着重阐述了电容耦合放电和电感耦合放电等离子体物理特性,特别是双频电容耦合放电等离子体和等离子体鞘层研究中的关键问题.
关键词 等离子体 刻蚀 电容耦合放电 电感耦合放电 双频 鞘层
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超高分子量聚乙烯纤维表面处理的研究进展 被引量:16
2
作者 郑震 施楣梧 周国泰 《合成纤维》 CAS 北大核心 2002年第5期9-12,共4页
详细介绍了超高分子量聚乙烯纤维的各种表面处理方法 ,如等离子体处理、电晕放电和化学氧化等 ,重点讨论了这些方法对纤维增强复合材料粘结性能和力学性能的影响 ,特别关注了近年来各种表面处理超高分子量聚乙烯纤维技术的进展。
关键词 超高分子量 聚乙烯纤维 表面处理 研究进展 等离子体 电晕 蚀刻 层间剪切强度
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磁控溅射矩形靶磁场的优化设计 被引量:10
3
作者 石中兵 童洪辉 赵喜学 《真空与低温》 2004年第2期112-116,共5页
磁控溅射靶材的利用率在降低生产成本中起着重要作用。正交的靶电磁场能显著地延长电子的运动路程,增加同工作气体分子的碰撞几率,提高等离子体密度,使磁控溅射速率数量级的提高,因此靶面正交电磁场的分布将决定靶的烧蚀情况。提出了2... 磁控溅射靶材的利用率在降低生产成本中起着重要作用。正交的靶电磁场能显著地延长电子的运动路程,增加同工作气体分子的碰撞几率,提高等离子体密度,使磁控溅射速率数量级的提高,因此靶面正交电磁场的分布将决定靶的烧蚀情况。提出了2种改善矩形平面靶磁场分布的方法,经过分析,这2种设计将拓宽靶面的刻蚀范围,提高靶材的利用率。 展开更多
关键词 磁控溅射 几率 正交 矩形 电磁场 磁场分布 电子 刻蚀 等离子体密度 靶材
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光刻与等离子体刻蚀技术 被引量:8
4
作者 刘之景 刘晨 《物理》 CAS 1999年第7期425-429,共5页
介绍了光刻与等离子体刻蚀技术的特点与进展。
关键词 光刻 等离子体刻蚀 物理机制
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芯片冷却用分形微管道散热器内的压降与传热 被引量:8
5
作者 陈运生 董涛 +4 位作者 杨朝初 毕勤成 翟立奎 朱丽 候丽雅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1717-1720,共4页
受到哺乳动物消化系统和血液循环系统中物质运输与分配网络所具有的分形特征启发 ,文中设计、加工出了一种电子芯片冷却用的硅制分形微管道网络散热器 .在给出分形微管道网络构造过程的基础上 ,探讨了分形微管道网络内部微流体的换热与... 受到哺乳动物消化系统和血液循环系统中物质运输与分配网络所具有的分形特征启发 ,文中设计、加工出了一种电子芯片冷却用的硅制分形微管道网络散热器 .在给出分形微管道网络构造过程的基础上 ,探讨了分形微管道网络内部微流体的换热与压力降特性 .针对利用多路感应耦合等离子蚀刻工艺制造出的硅制分形微管道网络散热器 ,理论计算所得结论与流动与传热实验数据均证明 :当热传递面积、温差、努谢尔特数均相同的情况下 ,分形微管道网络散热器比传统的平行微管道阵列散热器具有更高的热传递效率 ;而在具有相同流速、热传递率的要求下 ,分形微管道网络散热器所需的泵送功率远低于平行微管道阵列散热器所需的泵送功率 ;分形维数越高 ,分形微管道网络散热器的热传递效率将越高 ,且所需的泵送功率将越低 . 展开更多
关键词 微管道 网络 分形 传热 散热器
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金刚石表面刻蚀技术研究进展 被引量:10
6
作者 窦志强 肖长江 栗正新 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期90-95,共6页
金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻... 金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻蚀、气固相混合刻蚀、等离子刻蚀这五类。熔盐刻蚀是利用熔融离子化合物对金刚石表面进行刻蚀,其刻蚀机理主要是金刚石碳原子的氧化过程。气相刻蚀是利用氧气等气体与金刚石表面发生气固相反应,使金刚石中的碳原子变为一氧化碳等气态化合物进行刻蚀。气固相混合刻蚀主要是以镍、铂等金属作为催化剂,辅助氢气与金刚石发生反应生成甲烷,对金刚石进行刻蚀。固相刻蚀是金刚石合成的逆过程,主要用铁钴镍及其盐对金刚石进行催化石墨化,之后这些金属作为溶剂形成碳固溶体对金刚石进行刻蚀。等离子体刻蚀主要是用氧等离子体与金刚石发生反应,对金刚石进行刻蚀。文章着重介绍了这五种金刚石表面刻蚀技术近年来的研究进展,简要分析了这些技术的原理、特点与用途。 展开更多
关键词 金刚石 表面刻蚀 等离子刻蚀 熔盐刻蚀 气相刻蚀 固相刻蚀
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非热等离子体材料表面处理及功能化研究进展 被引量:13
7
作者 张海宝 陈强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期16-32,共17页
等离子体技术在现代材料制备和表面处理过程中起着重要的作用.本文聚焦于非热等离子体(NTP)材料表面处理及功能化应用,重点综述NTP在材料表面处理及功能化过程中的最新研究进展,包括激励产生等离子体的等离子体源、NTP材料表面处理及功... 等离子体技术在现代材料制备和表面处理过程中起着重要的作用.本文聚焦于非热等离子体(NTP)材料表面处理及功能化应用,重点综述NTP在材料表面处理及功能化过程中的最新研究进展,包括激励产生等离子体的等离子体源、NTP材料表面处理及功能化工艺以及具体应用.其中,激励产生等离子体的等离子体源包括感应耦合等离子体/容性耦合等离子体、电子回旋共振/表面波等离子体、螺旋波等离子体、大气压射流等离子体和介质阻挡放电等;NTP材料表面处理及功能化工艺包括等离子体表面接枝和聚合、等离子体增强化学气相沉积和等离子体辅助原子层沉积、等离子体增强反应刻蚀和等离子体辅助原子层刻蚀工艺等;等离子体表面处理及功能化的具体应用领域包括亲水/疏水表面改性、表面微纳加工、生物组织表面处理、催化剂表面处理等.最后提出了NTP技术材料表面处理及功能化的应用前景与发展趋势. 展开更多
关键词 等离子体 表面处理 接枝 聚合 沉积 刻蚀
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利用室温等离子体预处理和紫外光引发接枝聚合构造聚丙烯超疏水表面研究 被引量:12
8
作者 霍正元 陈枫 +1 位作者 杨晋涛 钟明强 《科技通报》 北大核心 2009年第6期711-714,共4页
采用紫外光引发自由基聚合液相接枝的方法,将甲基丙烯酸十二氟庚酯(G04)接枝聚合到使用室温等离子体预处理的聚丙烯(PP)片材表面,成功构建水接触角大于150°的超疏水表面。通过FTIR表征显示含氟聚合物以化学键的方式接枝在PP片材表... 采用紫外光引发自由基聚合液相接枝的方法,将甲基丙烯酸十二氟庚酯(G04)接枝聚合到使用室温等离子体预处理的聚丙烯(PP)片材表面,成功构建水接触角大于150°的超疏水表面。通过FTIR表征显示含氟聚合物以化学键的方式接枝在PP片材表面上。考察实验条件发现增大引发剂浓度、增加单体浓度以及提高反应温度均有利于提高表面接枝率,同时发现使用等离子体刻蚀的方法可以进一步提高表面接枝率。对接枝PP表面进行金相显微镜观察和水接触角(WCA)测量等表征,发现接枝PP表面形成了包括含氟聚合物的粗糙表面结构,水接触角随接枝率的增加而逐渐增大至150°以上。 展开更多
关键词 紫外光引发接枝聚合 等离子刻蚀 聚丙烯 疏水性能
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等离子体刻蚀处理对 金刚石膜结合性能影响的研究 被引量:10
9
作者 代明江 王德政 +1 位作者 周克崧 匡同春 《广东有色金属学报》 1999年第1期47-52,共6页
研究了一种特殊的前处理工艺,即原位氩-氢等离子体刻蚀,对金刚石膜与硬质合金基体结合性能的影响.结果表明,氩-氢等离子体刻蚀能明显地粗化基体表面,改变表面的化学成分,并形成一层纯钨层.当这层纯钨层在后续的工艺中被再次碳... 研究了一种特殊的前处理工艺,即原位氩-氢等离子体刻蚀,对金刚石膜与硬质合金基体结合性能的影响.结果表明,氩-氢等离子体刻蚀能明显地粗化基体表面,改变表面的化学成分,并形成一层纯钨层.当这层纯钨层在后续的工艺中被再次碳化后。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 金刚石膜 硬质合金 结合性能 刀具
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硅的深槽刻蚀技术研究 被引量:7
10
作者 欧益宏 周明来 张正元 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期45-47,共3页
 研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解...  研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解决等离子刻蚀中的各向同性问题。 展开更多
关键词 深槽刻蚀技术 等离子刻蚀机 掩蔽层 氟基气体 各向异性
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Si-Si直接键合的研究及其应用 被引量:6
11
作者 何国荣 陈松岩 谢生 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期149-153,171,共6页
硅片直接键合技术是一种简单易行的硅片熔合技术,由于该技术不受材料的结构、晶向和点阵参数的影响,因而得到了广泛的应用。介绍了硅片直接键合的方法和键合模型,并简单介绍了硅片直接键合技术的应用。
关键词 等离子体刻蚀 微机电系统 硅直接键合
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氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究 被引量:9
12
作者 吕宪义 金曾孙 +2 位作者 郝世强 彭鸿雁 曹庆忠 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第3期191-195,共5页
 用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚...  用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚石膜的晶界处首先被刻蚀,说明金刚石膜的境界处含有较多的非金刚石碳相。并且从等离子体对(100)和(111)面的刻蚀现象可知(100)面的生长是二维生长,(111)面的生长是岛状生长。 展开更多
关键词 氧等离子体 金刚石膜 刻蚀 结构特性 微波放电法
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Aligned Graphene Nanoribbons and Crossbars from Unzipped Carbon Nanotubes 被引量:9
13
作者 Liying Jiao Li Zhang +2 位作者 Lei Ding Jie Liu Hongjie Dai 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2010年第6期387-394,共8页
Aligned graphene nanoribbon (GNR) arrays have been made by unzipping of aligned single-walled and few-walled carbon nanotube (CNT) arrays. Nanotube unzipping was achieved by a polymer-protected Ar plasma etching metho... Aligned graphene nanoribbon (GNR) arrays have been made by unzipping of aligned single-walled and few-walled carbon nanotube (CNT) arrays. Nanotube unzipping was achieved by a polymer-protected Ar plasma etching method, and the resulting nanoribbon array can be transferred onto any chosen substrate. Atomic force microscope (AFM) imaging and Raman mapping on the same CNTs before and after unzipping confirmed that ~80% of CNTs were opened up to form single layer sub-10 nm GNRs. Electrical devices made from the GNRs (after annealing in H2 at high temperature) showed on/off current (Ion/Ioff) ratios up to 103 at room temperature, suggesting the semiconducting nature of the narrow GNRs. Novel GNR-GNR and GNR-CNT crossbars were fabricated by transferring GNR arrays across GNR and CNT arrays, respectively. The production of such ordered graphene nanoribbon architectures may allow for large scale integration of GNRs into nanoelectronics or optoelectronics. 展开更多
关键词 Graphene nanoribbon single-walled carbon nanotubes ALIGNED unzipping plasma etching
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等离子体刻蚀前处理对碳基薄膜结合力的影响 被引量:8
14
作者 李振东 詹华 +2 位作者 王亦奇 汪瑞军 王伟平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期64-68,共5页
目的通过等离子刻蚀处理使基体表面更洁净,从而提高薄膜与基体的结合力。方法采用阳极层离子源,通过不同的离子源功率和处理时间对M50轴承钢样品进行处理,并在处理过的样品表面制备钨掺杂类金刚石薄膜。利用原子力显微镜对等离子刻蚀处... 目的通过等离子刻蚀处理使基体表面更洁净,从而提高薄膜与基体的结合力。方法采用阳极层离子源,通过不同的离子源功率和处理时间对M50轴承钢样品进行处理,并在处理过的样品表面制备钨掺杂类金刚石薄膜。利用原子力显微镜对等离子刻蚀处理前后的样品表面形貌进行研究,利用Raman光谱分析薄膜的微观结构,利用划痕仪对薄膜与基体的结合力进行研究。结果不同的离子源功率和刻蚀时间,得到了不同的基体微观表面粗糙度;钨掺杂类金钢石薄膜的D峰和G峰分别在1350 cm^(-1)附近和1580 cm^(-1)附近,为典型的类金刚石结构,ID/IG值在1.5左右;未经等离子刻蚀前处理样品的膜/基结合力是23 N;而优化等离子刻蚀前处理参数样品的膜/基结合力高达69 N,最佳的离子源功率和刻蚀时间为2 k W、60 min。结论等离子刻蚀前处理能够有效提高薄膜与基体的结合力。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 阳极层离子源 M50轴承钢 钨掺杂类金刚石薄膜 离子源功率
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等离子体刻蚀并沉积类金刚石膜制备超疏水木材 被引量:7
15
作者 解林坤 王洪艳 +1 位作者 代沁伶 杜官本 《林业工程学报》 北大核心 2016年第5期10-14,共5页
为使木材表面具备疏水性能,采用等离子体刻蚀并沉积亲水性类金刚石(DLC)薄膜的方法对糖枫木(Acer saccharum)进行表面改性研究,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光扫描共聚焦显微镜(LSCM)、接触角测量仪、椭圆偏振光谱仪、X-射线光电子能谱... 为使木材表面具备疏水性能,采用等离子体刻蚀并沉积亲水性类金刚石(DLC)薄膜的方法对糖枫木(Acer saccharum)进行表面改性研究,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光扫描共聚焦显微镜(LSCM)、接触角测量仪、椭圆偏振光谱仪、X-射线光电子能谱仪(XPS),分析和表征了处理前后木材表面的微观形貌、粗糙度、润湿性能、沉积薄膜的厚度及元素组成和化学状态。结果表明:刻蚀时间小于30 min时,木材表面的平均粗糙度、均方根光洁度和高低差均随着刻蚀时间的延长逐渐增大;当刻蚀时间延长至45 min时,表面的粗糙度略有减小。木材表面的接触角随着刻蚀时间的延长先增大后减小,当刻蚀30 min并沉积DLC薄膜1.5 min时,接触角最大可达157.2°;而延长刻蚀时间至45 min时,其接触角为152.3°。相同的刻蚀时间下,木材表面的接触角随着DLC薄膜沉积时间的延长逐渐减小。通过计算,DLC薄膜的沉积速率为(51.7±4.5)nm/min;沉积DLC薄膜后,表面氧元素的含量明显减少,出现了石墨特征峰sp2-C和金刚石特征峰sp3-C。 展开更多
关键词 木材表面 等离子体刻蚀 等离子体沉积 类金刚石薄膜 超疏水
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高密度螺旋波等离子体源的应用进展 被引量:7
16
作者 柏洋 赵岩 +3 位作者 金成刚 余涛 吴雪梅 诸葛兰剑 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第11期739-743,共5页
首先介绍了螺旋波的定义、螺旋波等离子体源产生等离子体所需条件的工作范围以及螺旋波等离子体源主要的一些应用。按照所加磁场范围的不同(分为在磁感应强度为100~1 600Gs和在强磁场中两部分),分别进一步讨论了国内外各研究小组研制... 首先介绍了螺旋波的定义、螺旋波等离子体源产生等离子体所需条件的工作范围以及螺旋波等离子体源主要的一些应用。按照所加磁场范围的不同(分为在磁感应强度为100~1 600Gs和在强磁场中两部分),分别进一步讨论了国内外各研究小组研制的等离子体源的运行参数及技术特点。随后介绍了螺旋波等离子体源在刻蚀、薄膜沉积和火箭推进三个方面的应用进展。其中重点介绍了螺旋波等离子体火箭推进。最后简单展望了螺旋波等离子体源的应用前景,并指出其发展中尚待解决的一些问题。 展开更多
关键词 螺旋波 等离子体源 磁场 刻蚀 薄膜沉积 火箭推进
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石英玻璃刻蚀浅锥孔阵列的工艺研究
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作者 乌李瑛 刘丹 +7 位作者 权雪玲 程秀兰 张芷齐 高庆学 付学成 徐丽萍 张文昊 马玲 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期434-441,共8页
介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻... 介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻璃的刻蚀性能、表面轮廓、蚀刻速率和侧壁倾角的影响。结果表明:刻蚀气体种类对石英浅锥孔阵列刻蚀效果有显著影响,CF_(4)和Ar的组合气体所刻蚀的石英锥孔阵列的效果最佳,随着CF_(4)气体流量比的增加,石英刻蚀倾角先降低后又小幅增加,当刻蚀气体(CF_(4)∶Ar)流量比在5∶3时,石英刻蚀速率为0.154μm/min,光刻胶刻蚀速率为0.12μm/min,得到的石英浅锥孔倾角最倾斜。在其他刻蚀参数一定的情况下,ICP功率由600W升高至800W,石英刻蚀速率大幅降低,聚合物的沉积成为刻蚀工艺的主导;刻蚀石英的粗糙度Rq随着ICP功率的降低明显增加;RF功率升高时刻蚀石英的速率增加,Rq值增加后又降低,当RF功率升高至200W时,光刻胶发生碳化现象。可为石英玻璃微器件的制备提供工艺参考。 展开更多
关键词 电感耦合反应离子刻蚀 石英玻璃 干法刻蚀 等离子体 刻蚀倾角 微透镜阵列 锥孔
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Yttrium‐and nitrogen‐doped NiCo phosphide nanosheets for high‐efficiency water electrolysis
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作者 Guangliang Chen Huiyang Xiang +5 位作者 Yingchun Guo Jun Huang Wei Chen Zhuoyi Chen Tongtong Li Kostya(Ken)Ostrikov 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期214-231,共18页
Engineering high‐performance and low‐cost bifunctional catalysts for H_(2)(hydrogen evolution reaction[HER])and O_(2)(oxygen evolution reaction[OER])evolution under industrial electrocatalytic conditions remains cha... Engineering high‐performance and low‐cost bifunctional catalysts for H_(2)(hydrogen evolution reaction[HER])and O_(2)(oxygen evolution reaction[OER])evolution under industrial electrocatalytic conditions remains challenging.Here,for the first time,we use the stronger electronegativity of a rare‐Earth yttrium ion(Y^(3+))to induce in situ NiCo‐layered double‐hydroxide nanosheets from NiCo foam(NCF)treated by a dielectric barrier discharge plasma NCF(PNCF),and then obtain nitrogen‐doped YNiCo phosphide(N‐YNiCoP/PNCF)after the phosphating process using radiofrequency plasma in nitrogen.The obtained NYNiCoP/PNCF has a large specific surface area,rich heterointerfaces,and an optimized electronic structure,inducing high electrocatalytic activity in HER(331mV vs.2000mA cm^(−2))and OER(464mV vs.2000mA cm^(−2))reactions in 1MKOH electrolyte.X‐ray absorption spectroscopy and density functional theory quantum chemistry calculations reveal that the coordination number of CoNi decreased with the incorporation of Y atoms,which induce much shorter bonds of Ni and Co ions and promote long‐term stability of N‐YNiCoP in HER and OER under the simulated industrial conditions.Meanwhile,the CoN‐YP_(5)heterointerface formed by plasma N‐doping is the active center for overall water splitting.This work expands the applications of rare‐Earth elements in engineering bifunctional electrocatalysts and provides a new avenue for designing highperformance transition‐metal‐based catalysts in the renewable energy field. 展开更多
关键词 overall water splitting plasma etching plasma N‐doping rare‐earth electrocatalyst yttrium incorporation
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Experimental Study of the Influence of Process Pressure and Gas Composition on GaAs Etching Characteristics in Cl_2/BCl_3-Based Inductively Coupled Plasma 被引量:5
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作者 D.S.RAWAL B.K.SEHGAL +1 位作者 R.MURALIDHARAN H.K.MALIK 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期223-229,共7页
A study of Cl2/BCl3-based inductively coupled plasma (ICP) was conducted using thick photoresist mask for anisotropic etching of 50μm diameter holes in a GaAs wafer at a relatively high average etching rate for etc... A study of Cl2/BCl3-based inductively coupled plasma (ICP) was conducted using thick photoresist mask for anisotropic etching of 50μm diameter holes in a GaAs wafer at a relatively high average etching rate for etching depths of more than 150μm. Plasma etch characteristics with ICP process pressure and the percentage of BCI3 were studied in greater detail at a constant ICP coil/bias power. The measured peak-to-peak voltage as a function of pressure was used to estimate the minimum energy of the ions bombarding the substrate. The process pressure was found to have a substantial influence on the energy of heavy ions. Various ion species in plasma showed minimum energy variation from 1.85 eV to 7.5 eV in the pressure range of 20 mTorr to 50 mTorr. The effect of pressure and the percentage of BCl3 on the etching rate and surface smoothness of the bottom surface of the etched hole were studied for a fixed total flow rate. The etching rate was found to decrease with the percentage of BCl3, whereas the addition of BCl3 resulted in anisotropic holes with a smooth veil free bottom surface at a pressure of 30 mTorr and 42% BC13. In addition, variation of the etching yield with pressure and etching depth were also investigated. 展开更多
关键词 GAAS inductively coupled plasma etching ion energy etch yield
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CVD-SiC阵列结构对ZrB_(2)/SiC涂层抗烧蚀性影响
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作者 高志廷 马壮 柳彦博 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期261-274,共14页
采用飞秒激光在化学气相沉积(CVD)-SiC中间层表面制备不同尺寸的阵列,研究了阵列结构对ZrB_(2)/SiC涂层性能的影响。结果表明,随着激光刻蚀频次的增大,阵列结构的深度从30μm增大到150μm。采用氧乙炔烧蚀600 s,ZrB_(2)/SiC涂层烧蚀表... 采用飞秒激光在化学气相沉积(CVD)-SiC中间层表面制备不同尺寸的阵列,研究了阵列结构对ZrB_(2)/SiC涂层性能的影响。结果表明,随着激光刻蚀频次的增大,阵列结构的深度从30μm增大到150μm。采用氧乙炔烧蚀600 s,ZrB_(2)/SiC涂层烧蚀表面温度随CVD-SiC微结构深度增大而逐步降低,最低的表面温度达到1700℃,下降了约200℃。烧蚀中心区域的颜色从白色过渡到浅灰色。对于激光刻蚀频次为5的试样,在600 s的单次烧蚀后,质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为-7.4×10^(-5)g/s和-13.3μm/s。阵列结构增大了ZrB_(2)/SiC涂层与CVD-SiC中间层的接触面积,从而增强了导热性能,减少了热积聚,进而改善了ZrB_(2)/SiC涂层的抗烧蚀性能。 展开更多
关键词 阵列结构 烧蚀 等离子喷涂 C/C复合材料 CVD-SiC 激光刻蚀
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