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题名IGBT阻断能力的优化设计
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作者
冯松
高勇
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机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
西安工程大学理学院
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出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2013年第7期99-100,共2页
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基金
国家自然科学基金(61204080)
陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111)
西安工程大学博士科研启动基金项目资助(BS1128)~~
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文摘
阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度、间距及数目,提高了IGBT的阻断能力,为IGBT的设计提供了参考。最终优化的结果,在场限环宽度分别为24μm,21μm,18μm,15μm,场限环间距为3μm,4μm,5μm,6μm,场限环数目为4个时,得到的阻断电压达到1 240V。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
平面穿通型
场限环
阻断能力
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Keywords
insulated gate bipolar transistor
planar punch through
field limiting rings
blocking capability
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分类号
TN32
[电子电信—物理电子学]
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