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平面PN结InSb红外焦平面探测器的研究 被引量：3
1
作者 李忠贺 李海燕 +2 位作者 杜红燕 亢喆 邱国臣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期814-816,共3页
研究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。
关键词 锑化铟 离子注入 红外焦平面阵列探测器 平面结
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用MATLAB和打靶法实现平面PN结一维泊松方程的简捷计算 被引量：2
2
作者 王忆锋 毛京湘 《红外》 CAS 2010年第2期44-46,共3页
对泊松方程有效地进行数值计算是PN结电荷分布与静电势之间关系分析的一个基本问题。介绍了一种利用MATLAB和打靶法求解平面PN结一维泊松方程的简捷方法。该方法的计算结果与有限差分法吻合得很好,并具有编程简单、使用方便的特点。
关键词 平面pn结 泊松方程 打靶法 MATLAB
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一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较
3
作者 王忆锋 毛京湘 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期666-667,687,共3页
通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。
关键词 平面pn结 环孔pn结 I-V特性 MATLAB
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基于热扩散制备平面PN结InSb红外焦平面芯片 被引量：1
4
作者 亢喆 邱国臣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期757-762,共6页
研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、... 研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。 展开更多
关键词 锑化铟 红外焦平面阵列探测器 平面pn结 热扩散
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