期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 被引量:13
1
作者 汪波 李豫东 +4 位作者 郭旗 刘昌举 文林 孙静 玛丽娅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期242-248,共7页
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输... 采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。 展开更多
关键词 电离总剂量辐射效应 CMOS有源像素传感器 饱和输出信号 像素单元结构 LOCOS隔离
下载PDF
Time-dependent crosstalk effects for image sensors with different isolation structures
2
作者 Lei Shen Li-Qiao Liu +2 位作者 Hao Hao Gang Du Xiao-Yan Liu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第8期640-644,共5页
Photo-generated carriers may diffuse into the adjacent cells to form the electrical crosstalk, which is especially no- ticeable after the pixel cell size has been scaled down. The electrical crosstalk strongly depends... Photo-generated carriers may diffuse into the adjacent cells to form the electrical crosstalk, which is especially no- ticeable after the pixel cell size has been scaled down. The electrical crosstalk strongly depends on the structure and electrical properties of the photosensitive areas. In this work, time-dependent crosstalk effects considering different isola- tion structures are investigated. According to the different depths of photo-diode (PD) and isolation structure, the transport of photo-generated carriers is analyzed with different regions in the pixel cell. The evaluation of crosstalk is influenced by exposure time. Crosstalk can be suppressed by reducing the exposure time. However, the sensitivity and dynamic range of the image sensor need to be considered as well. 展开更多
关键词 image sensor CROSSTALK pixel isolation
下载PDF
小像素CIS中PD隔离对白色像素影响的研究
3
作者 孙昌 王骞 李晓玉 《电子技术(上海)》 2020年第2期4-6,共3页
基于CMOS工艺的互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)逐渐取代CCD成为市场主流,广泛应用于移动设备、医疗、汽车、安防等领域。其中,白色像素是表征CIS性能的重要指标,表征了一定像素数中输出异常亮度的像素个数。为研究如何降低白色像... 基于CMOS工艺的互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)逐渐取代CCD成为市场主流,广泛应用于移动设备、医疗、汽车、安防等领域。其中,白色像素是表征CIS性能的重要指标,表征了一定像素数中输出异常亮度的像素个数。为研究如何降低白色像素,通过改变注入源种的实验,研究光电二极管(PD)之间的隔离,并经过推导计算,得到了小尺寸像素下对白色像素起到主要贡献的因素,并以此提出改善的方向。 展开更多
关键词 集成电路制造 CMOS图像传感器 白色像素 像素隔离
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部