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题名表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器
被引量：1
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作者
张艳敏
王权
李昕欣
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机构
江苏大学机械工程学院
传感技术国家重点实验室
中科院上海微系统与信息技术研究所
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2014年第2期14-15,19,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51175238)
镇江市工业支撑项目(GY2013011)
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文摘
设计了表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器芯片,采用由低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的低应力氮化硅(LS SiN)薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层,多晶硅薄膜淀积在LS SiN薄膜上,通过结构和位置的优化设计,干法腐蚀制作形成力敏电阻条。制作了压力量程从60 kPa到1 MPa的传感器芯片。试验测试了量程60 kPa压力传感器的长期稳定性,结果表明在室温环境下时,压力传感器显示了较稳定的长时输出,且用LPCVD低温二氧化硅密封的真空参考压力腔没有泄漏问题出现。该超小型传感器制造成本低,具有广泛应用的前景。
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关键词
绝对压力传感器
表面微机械加工
矩形膜
压阻
芯片
长期稳定性
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Keywords
absolute pressure sensor
surface micromachine
rectangular film
piezoresistiance
chip
long-time stability
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名一种高量程压阻式加速度计的静态测试方法
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作者
黄全平
陆德仁
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第3期289-292,共4页
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基金
国家973计划资助(No.G1999033103)
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文摘
介绍了一种简单而有效的天平方法来检测高量程微机械加速度传感器芯片的静态特性。设计了一种新结构,上面带有压敏电阻,用该方法测量到的静态特性和理论结果比较,两者基本一致,芯片的静态输出特性在测量限20000g(g为重力加速度)内呈直线,非线性为1%左右,灵敏度与理论值在20%的偏差内一致。由于其操作简单、低廉且有较高的分辨率,这种方法适合于平板型高量程压阻式加速度传感器芯片封装前进行抽样检测。
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关键词
静态特性
压阻式加速度计
薄板
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Keywords
static performance
piezoresisti ve accelerometer
thin plate
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分类号
TH824.4
[机械工程—仪器科学与技术]
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