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由高斯型波函数计算GaAs量子点中电子—空穴与声学声子的耦合特性
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作者 张明亮 《科学技术与工程》 北大核心 2014年第5期178-182,共5页
在固态—空腔量子电动力学系统中,研究半导体量子点跟固体环境中声学声子耦合时,通常忽略压电耦合,仅考虑形变势耦合。针对GaAs量子点的不同尺寸(12 nm或24 nm),由高斯型波函数出发并考虑电子和空穴局域化长度差别(δl=l e-l h),计算并... 在固态—空腔量子电动力学系统中,研究半导体量子点跟固体环境中声学声子耦合时,通常忽略压电耦合,仅考虑形变势耦合。针对GaAs量子点的不同尺寸(12 nm或24 nm),由高斯型波函数出发并考虑电子和空穴局域化长度差别(δl=l e-l h),计算并给出量子点跟声学声子两种耦合机制对应的声子谱函数,以及声子辅助量子点耦合空腔的散射率。结果发现δl/l e取值变化(0.1或0.2)时,对于小尺寸量子点,压电耦合跟形变势耦合相比都可以忽略;对于大尺寸量子点中,δl/l e取0.2时压电耦合跟形变势耦合相比就变得不能忽略。 展开更多
关键词 量子点 声学声子 压电耦合 形变势耦合
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