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准分子激光对半导体材料HgCdTe和Si的损伤实验研究 被引量：1
1
作者 戚树明 陈传松 +3 位作者 郭娟 周新玲 王娟 满宝元 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期72-74,共3页
本文利用光学显微镜和扫描电镜对248nm准分子强激光辐照HgCdTe和Si晶片的表面损伤形貌和损伤过程进行了对比分析,结果表明在248nm准分子激光作用下,HgCdTe材料主要表现为解离剥蚀破坏和熔融烧蚀破坏,准分子激光对其损伤机理既包含光化... 本文利用光学显微镜和扫描电镜对248nm准分子强激光辐照HgCdTe和Si晶片的表面损伤形貌和损伤过程进行了对比分析,结果表明在248nm准分子激光作用下,HgCdTe材料主要表现为解离剥蚀破坏和熔融烧蚀破坏,准分子激光对其损伤机理既包含光化学作用也包含光热作用;而Si材料则主要表现为熔融烧蚀破坏,准分子激光对其损伤机理主要为光热作用。 展开更多
关键词 248nm准分子激光 损伤机理 光化学作用 光热作用
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