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纳米二氧化钛的光致发光 被引量:35
1
作者 李旦振 郑宜 付贤智 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期639-642,共4页
利用改进的溶胶-凝胶法制备了锐钛矿型二氧化钛的纳米粉末(4~15nm),测量了TiO_2的漫反射光谱(DRS)和光致发光谱(PL).结果表明,TiO_2纳米微粒的光学禁带宽度为384nm,在250~400nm的紫外光范... 利用改进的溶胶-凝胶法制备了锐钛矿型二氧化钛的纳米粉末(4~15nm),测量了TiO_2的漫反射光谱(DRS)和光致发光谱(PL).结果表明,TiO_2纳米微粒的光学禁带宽度为384nm,在250~400nm的紫外光范围内有强吸收;纳米二氧化钛在波长为420,461,485,530,573和609nm有强发光带,这些发光带分别为自由激子发光、束缚激子发光以及缺陷能级和表面态引起的发光。 展开更多
关键词 纳米二氧化钛 半导体材料 DRS pl 光致发光
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ZnO薄膜发光特性的研究进展 被引量:14
2
作者 边超 姚宁 +2 位作者 张兰 杨仕娥 张兵临 《真空与低温》 2003年第2期113-118,共6页
ZnO薄膜具有压电、光电、压敏、气敏、发光等多种特性,应用极为广泛。针对ZnO薄膜的发光特性,对ZnO薄膜的制备、影响其发光特性的因素及其发光机理的研究进展进行了综述。
关键词 ZNO薄膜 发光特性 影响因素 发光机理 光致发光 阴极射线发光 氧化锌
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Co掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其光致发光性能 被引量:18
3
作者 王百齐 夏春辉 +3 位作者 富强 王朋伟 单旭东 俞大鹏 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1165-1168,共4页
以Zn(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O为原料,通过水热法在较低温度下制备了纯ZnO和Co掺杂的ZnO(ZnO:Co)纳米棒.利用XRD、EDS、TEM和HRTEM对样品进行了表征,结合光致发光(PL)谱研究了样品的PL性能.结果表明,水热法制备纯ZnO和ZnO... 以Zn(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O为原料,通过水热法在较低温度下制备了纯ZnO和Co掺杂的ZnO(ZnO:Co)纳米棒.利用XRD、EDS、TEM和HRTEM对样品进行了表征,结合光致发光(PL)谱研究了样品的PL性能.结果表明,水热法制备纯ZnO和ZnO∶Co纳米棒均具有较好的结晶度.Co2+是以替代的形式进入ZnO晶格,掺入量为2%(原子分数)左右.纯的ZnO纳米棒平均直径约为20nm,平均长度约为180nm;掺杂样品的平均直径值约为15nm,平均长度约为200nm左右;Co掺杂轻微地影响ZnO纳米棒的生长.另外,Co掺杂能够调整ZnO纳米棒的能带结构、提高表面态含量,进而使得ZnO:Co纳米棒的紫外发光峰位红移,可见光发光能力增强. 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 CO掺杂 水热法制备 光致发光(pl)
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纳米ZnO薄膜的光致发光性质 被引量:17
4
作者 宋国利 孙凯霞 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期590-593,共4页
利用溶胶-凝胶法制备了纳米ZnO薄膜,室温下测量了样品的光致发光谱(PL)、吸收谱(ABS)、X射线衍射谱(XRD).X射线衍射(XRD)的结果表明:纳米ZnO薄膜呈多晶状态,具有六角纤锌矿晶体结构和良好的C轴取向.观察到二个荧光发射带,中心波长分别位... 利用溶胶-凝胶法制备了纳米ZnO薄膜,室温下测量了样品的光致发光谱(PL)、吸收谱(ABS)、X射线衍射谱(XRD).X射线衍射(XRD)的结果表明:纳米ZnO薄膜呈多晶状态,具有六角纤锌矿晶体结构和良好的C轴取向.观察到二个荧光发射带,中心波长分别位于395nm的紫带、524nm的绿带和450nm附近的蓝带.证实了纳米ZnO薄膜绿光可见发射带来自氧空位(VO)形成的浅施主能级和锌空位(VZn)形成的浅受主能级之间的复合; 450nm附近的蓝带来自电子从VO的浅施主能级到价带顶或锌填隙(Zn)到价带顶或导带底到V的浅受主能级的复合. 展开更多
关键词 纳米ZNO薄膜 光致发光
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掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用 被引量:17
5
作者 徐自强 邓宏 +1 位作者 谢娟 李燕 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期257-260,共4页
采用溶胶-凝胶法,在玻璃上制备了不同掺Al浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角移动,峰强逐渐减弱。探讨了掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用,薄膜的透射谱表明:通过改... 采用溶胶-凝胶法,在玻璃上制备了不同掺Al浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角移动,峰强逐渐减弱。探讨了掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用,薄膜的透射谱表明:通过改变掺Al浓度,可以提高ZnO薄膜的紫外光透过率,使其吸收边向短波长方向的移动被控制在一定的范围内,从而使薄膜禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示:纯ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光和深能级缺陷发光组成,通过掺Al有助于减少薄膜的缺陷,减弱深能级的缺陷发光,同时紫外带边发射的峰位向高能侧蓝移,与吸收边缘移动的结果相吻合,由紫外发光峰位获得的光禁带与通过透射谱拟合得到的光禁带基本一致。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 AL掺杂 ZNO薄膜 光致发光(pl) 蓝移
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纳米CdSe与聚4-乙烯基吡啶盐的复合与表征 被引量:9
6
作者 宋会花 方震 郭海清 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第1期9-12,共4页
用巯基乙酸作稳定剂在水相中合成了CdSe纳米颗粒.聚4-乙烯基吡啶季铵盐(PVPNI)通过静电作用与CdSe纳米颗粒复合形成了纳米复合材料.该复合材料通过红外光谱数据(IR)、电感耦合等离子发射光谱(ICP-AES)、透射电镜(TEM)等方法进行了表征,... 用巯基乙酸作稳定剂在水相中合成了CdSe纳米颗粒.聚4-乙烯基吡啶季铵盐(PVPNI)通过静电作用与CdSe纳米颗粒复合形成了纳米复合材料.该复合材料通过红外光谱数据(IR)、电感耦合等离子发射光谱(ICP-AES)、透射电镜(TEM)等方法进行了表征,并通过紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)对其光学性质进行了研究.结果表明,复合材料的形成,改善了纳米CdSe的分散性,并提高了纳米CdSe的荧光强度. 展开更多
关键词 CDSE 聚4-乙烯基吡啶盐 纳米复合材料 荧光 能量转移 硒化镉
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新型红色荧光粉Ca_(0.5)Sr_(0.5)MoO_4:Sm^(3+)的制备及光学性能 被引量:20
7
作者 董国义 侯春彩 +3 位作者 杨志平 刘鹏飞 董宏岩 梁小双 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期89-95,共7页
为了得到发光效率较好的长波长红色荧光粉,采用高温固相法成功地合成了适合紫外激发的红色荧光粉Ca0.5-x Sr0.5MoO4:xSm3+,研究了其晶体结构和发光性质。X射线衍射(XRD)测量结果显示,制备的样品为纯相Ca0.5Sr0.5MoO4晶体。其激发光谱包... 为了得到发光效率较好的长波长红色荧光粉,采用高温固相法成功地合成了适合紫外激发的红色荧光粉Ca0.5-x Sr0.5MoO4:xSm3+,研究了其晶体结构和发光性质。X射线衍射(XRD)测量结果显示,制备的样品为纯相Ca0.5Sr0.5MoO4晶体。其激发光谱包括一个宽带峰和一系列尖峰,通过不同波长激发的发射谱和与Ca0.5-x Sr0.5MoO4:xEu3+的发射谱比较分析得出激发宽带为最有效激发带,归属于Mo6+-O2-的电荷迁移跃迁。在275nm的激发下,发射峰由峰值为564nm(4 G5/2→6 H5/2)、606nm(4 G5/2→6 H7/2)、647nm(4 G5/2→6 H9/2)、707nm(4 G5/2→6 H11/2)的4个峰组成,最大发射峰位于647nm处,呈现红光发射。Sm3+掺杂高于6%时Ca0.5-x Sr0.5MoO4:xSm3+出现浓度猝灭,分析表明,其猝灭机理是最邻近离子间的能量传递。同时,添加电荷补偿剂可增强材料的发射强度,以添加Na+的效果最明显。 展开更多
关键词 荧光粉 CA0 5-xSr0 5MoO4 xSm^3%plUS% 光致发光(pl) 光谱特性
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利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 被引量:12
8
作者 梁红伟 吕有明 +4 位作者 申德振 刘益春 李炳辉 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的... 利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。 展开更多
关键词 P-MBE ZNO薄膜 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延 X射线衍射 光致发光 薄膜生长 硅衬底
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纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究 被引量:5
9
作者 王玉玺 张伟力 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2002年第3期27-30,共4页
本文报道了利用低压金属有机气相外延 ( L P-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 ( Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备高质量的纳米氧化锌 ( Zn O)薄膜 .X-射线衍射( XRD)结果表明 ,氧化锌具... 本文报道了利用低压金属有机气相外延 ( L P-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 ( Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备高质量的纳米氧化锌 ( Zn O)薄膜 .X-射线衍射( XRD)结果表明 ,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构 .在 90 0℃退火的样品的光致发光 ( PL )中 ,在波长为 3 .3 e V处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射 .紫外发光强度与深能级发射强度之比是 80 ,表明纳米 Zn 展开更多
关键词 纳米氧化锌薄膜 热氧化 光致发光 自由激子 晶体结构 能级发射
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纳米ZnO光学性质研究进展 被引量:10
10
作者 唐斌 张强 +2 位作者 罗强 刘忠华 陈建勇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期83-89,139,共8页
介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制。在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,列举了几种不同的发光解释。对于深能级发光,一般在400~550 nm出现连续的发光带,也有观察到深能级的声子... 介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制。在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,列举了几种不同的发光解释。对于深能级发光,一般在400~550 nm出现连续的发光带,也有观察到深能级的声子伴线和声子复制现象。在低温光致发光谱的紫外发射中,一般观察到由自由激子发射(FX)、中性施主束缚激子发射(D0X)、施主-受主对跃迁峰(DAP)、中性施主束缚激子对应的双电子卫星峰(TES)以及声子伴线。综述了纳米ZnO的喇曼光谱、透射光谱、电致发光谱(EL)的特征,最后展望了纳米ZnO的光学性能研究前景。 展开更多
关键词 ZnO 光致发光(pl) 喇曼 透射 电致发光(EL)
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氧和氩等离子辅助电子束蒸发制备高质量ZnO薄膜 被引量:9
11
作者 汤庆鑫 路丽霞 +3 位作者 齐秀英 钟殿强 初国强 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期284-288,共5页
采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜,然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜。X射线衍射谱的结果表明:未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成,随着热氧化温度的升高氧化锌纳米晶粒长大,形成纳米氧化锌多晶... 采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜,然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜。X射线衍射谱的结果表明:未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成,随着热氧化温度的升高氧化锌纳米晶粒长大,形成纳米氧化锌多晶薄膜且薄膜结晶性增强;光致发光谱表明:样品均具有较强的紫外自由激子发光。由于未经热氧化样品中氧化锌纳米晶粒较小,具有较强的量子限域效应,因而经高温氧化后样品发光峰有较大红移。随着热氧化温度的进一步升高,束缚激子发射随热氧化温度升高而减弱,且发光峰位随热氧化温度升高出现蓝移;变温光致发光谱表明:紫外发光主要来自自由激子发射。 展开更多
关键词 等离子辅助电子束蒸发技术 制备 ZNO薄膜 氧化锌薄膜 多晶薄膜 光致发光
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脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其发光性质研究 被引量:9
12
作者 王璟璟 李清山 +4 位作者 陈达 孔祥贵 郑学刚 张宁 赵波 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1065-1068,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射(XRD)谱、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱,研究了衬底温度改变对薄膜结构和PL的影响。实验结果表明,当衬底温度从400℃升到700℃时,薄膜的(002... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射(XRD)谱、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱,研究了衬底温度改变对薄膜结构和PL的影响。实验结果表明,当衬底温度从400℃升到700℃时,薄膜的(002)衍射峰半高宽(FWHM)变窄,紫外(UV)发光强度在衬底温度为500℃达到最强。这可能是当衬底温度为500℃时,ZnO薄膜的化学配比较好,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变衬底温度对薄膜的表面形貌也有较大的影响。 展开更多
关键词 ZnO 光致发光(pl) 半高宽(FWHM) 脉冲激光沉积(plD)
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低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响 被引量:9
13
作者 彭福川 吕佩伟 +3 位作者 林林 林丽梅 瞿燕 赖发春 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期545-549,共5页
采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜... 采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58.80 cm2/Vs,800℃样品的最低为3.16 cm2/Vs。 展开更多
关键词 Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜 电子束蒸发 退火 光致发光(pl)
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ZnO薄膜制备及其发光特性研究 被引量:3
14
作者 王晶 张希清 +2 位作者 梅增霞 黄世华 徐征 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1116-1119,共4页
用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度... 用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230℃、退火温度为400℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380nm)。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 制备 发光特性 磁控溅射 光致发光 氧化锌 半导体化合物
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Eu掺杂SiO_2纳米基质的发光特性 被引量:6
15
作者 江东 胡晓云 +4 位作者 张德恺 马益平 郑新亮 张昕 樊君 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期247-251,共5页
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了Eu掺杂的SiO2干凝胶,分别用光致发光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、红外吸收(IR)谱等分析手段对样品进行了表征,研究了SiO2的基质中Eu3+、Eu2+的发光特性以及退火温度对发射光谱的影响,并对... 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了Eu掺杂的SiO2干凝胶,分别用光致发光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、红外吸收(IR)谱等分析手段对样品进行了表征,研究了SiO2的基质中Eu3+、Eu2+的发光特性以及退火温度对发射光谱的影响,并对其发光机理进行了分析。结果表明,样品掺杂均匀,颗粒尺寸大约在50~80 nm,硼(B)离子进入SiO2网格,成为了基质的一部分,改变了基质的网络结构。当采用258 nm激发样品时,随着退火温度的升高,红光发射强度先增强后减弱。对于经800℃退火处理的样品红光发射最强,出现了576 nm(5D0→7F0),620 nm(5D0→7F2),658 nm(5D0→7F3)3条谱线,其中主峰位于620 nm红光发射,对应于Eu3+离子的5D0→7F2超灵敏跃迁,进一步说明B离子参与到基质中,形成了Si—O—B键,导致Eu3+离子所处配位环境的对称性降低,从而有利于Eu3+离子的特征发射;当采用271 nm激发样品时,随着退火温度的升高,蓝光发射强度先增强后减弱,经850℃退火的样品400~500 nm蓝光发射最强,归属于Eu2+的5d→4f的跃迁发射,证明在铝离子(Al3+)存在的情形下,在高温退火过程中Al3+部分取代Si4+形成AlO4-基团,掺杂Eu3+填补AlO4-基团附近的空位,增加了Eu3+周围的AlO4-四面体中氧原子的电子给予能力,使得Eu3+还原成Eu2+,从而得到了较强的蓝光发射。但是,当退火温度达到900℃时,由于稀土离子发生位置的迁移形成团簇红光和蓝光都明显地降低。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 稀土 光致发光(pl) SiO2基质 微观结构
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非晶SiO_2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究 被引量:8
16
作者 秦艳 张晓娜 +2 位作者 郑坤 韩晓东 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第2期102-107,共6页
本研究以硅片为衬底,热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线。这些纳米线直径分布在15nm^40nm之间,长度几十微米。选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)分析结果表明这些纳米线为非晶SiO2... 本研究以硅片为衬底,热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线。这些纳米线直径分布在15nm^40nm之间,长度几十微米。选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)分析结果表明这些纳米线为非晶SiO2纳米线。光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长550nm处存在一个较强的PL峰。本文进一步指出了蒸发源SiO粉末的颗粒度和蒸发温度对纳米线生长有强烈的影响。 展开更多
关键词 SiO2纳米线 热蒸发 光致发光(pl)
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有机白光LED 被引量:7
17
作者 杨爱玲 王晶 +1 位作者 郑荣儿 孟继武 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期68-73,共6页
有机白光LED主要有电致发光与光致发光两类。电致发光的主要机理有 :量子阱发光、激基复合物发光和能量转移。人们对有机电致发光白光LED研究较多 ,不久将有产品问世 ;而对光致发光研究较少。与电致发光相比 ,光致发光造价更小 ,其荧光... 有机白光LED主要有电致发光与光致发光两类。电致发光的主要机理有 :量子阱发光、激基复合物发光和能量转移。人们对有机电致发光白光LED研究较多 ,不久将有产品问世 ;而对光致发光研究较少。与电致发光相比 ,光致发光造价更小 ,其荧光量子效率或许比电致发光更高。有机白光LED制备工艺简单、成本低功耗小 ,具有巨大的应用价值及潜在的市场。对发光显示技术 ,有机白光LED代表了一条“便宜”经济的路径。 展开更多
关键词 有机白光LED 电致发光 光致发光 多量子阱 激基复合物 能量转移
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Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响 被引量:7
18
作者 徐建萍 石少波 +1 位作者 张晓松 李岚 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1593-1596,共4页
通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4~5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰... 通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4~5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。 展开更多
关键词 Cu掺杂ZnO量子点 光致发光(pl)谱
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LED用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺 被引量:7
19
作者 刘建哲 杨新鹏 +3 位作者 彭艳亮 曾建飞 潘安练 金良荣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期536-541,共6页
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包... 近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包形和圆锥形图形化蓝宝石衬底片,并在其表面完成InGaN/GaN多量子阱外延及芯片工艺。借助光致发光和电致发光等手段测试其LED器件的光电学性能。实验结果发现圆锥形的图形化蓝宝石衬底拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明这种形貌的衬底在GaN外延时有效减少了晶格失配造成的缺陷,提高了晶体质量,从而更有效地增加LED出光效率。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底(PSS) 干法刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 发光二极管(LED) GAN外延层 光致发光(pl) 电致发光(EL)
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Rapid growth of ZnO hexagonal tubes by direct microwave heating 被引量:6
20
作者 Zhen-qi Zhu Jian Zhou 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第1期80-85,共6页
Zinc oxide hexagonal tubular crystals were synthesized by direct microwave heating from ZnO powders within 5 min without any metal catalysts or transport agents. ZnO source materials were evaporated from the high-temp... Zinc oxide hexagonal tubular crystals were synthesized by direct microwave heating from ZnO powders within 5 min without any metal catalysts or transport agents. ZnO source materials were evaporated from the high-temperature zone in an enclosure, and crystals were grown on the self-source substrate in an appropriate condition. The ZnO vapor formed in the high-temperature zone can deposit and grow on the powders located in the low-temperature zone to form crystals. The scanning electron microscopy (SEM) reveals that these products are hexagonal tube crystals with 80 ~rn in diameter and 250 μm in length, having a well faceted end and side surface. A possible growth mechanism and the influence of reaction temperature on the formation of crystalline ZnO hexagonal tubes were presented. The photoluminescence (PL) exhibits strong ultraviolet emission at room temperature, indicating the potential applications in short-wave light-emitting photonic devices. 展开更多
关键词 ZnO crystal microwave heating vapor growth photoluminescence pl
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