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用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器
被引量:
5
1
作者
郭明安
杨少华
+7 位作者
罗通顶
杜继业
高帅
严明
李刚
刘璐
李斌康
刘偲
《现代应用物理》
2016年第4期67-72,共6页
利用5 V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加...
利用5 V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V,输出电压为50^-200V,输出脉冲前后沿均为1.5ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3 MHz,固有延迟为50ns,触发晃动小于0.2ns,体积为86mm×43mm×23mm。
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关键词
像增强器
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
阴极门控发生器
下载PDF
职称材料
题名
用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器
被引量:
5
1
作者
郭明安
杨少华
罗通顶
杜继业
高帅
严明
李刚
刘璐
李斌康
刘偲
机构
西北核技术研究所
中核核电运行管理有限公司
出处
《现代应用物理》
2016年第4期67-72,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(11475138)
文摘
利用5 V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V,输出电压为50^-200V,输出脉冲前后沿均为1.5ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3 MHz,固有延迟为50ns,触发晃动小于0.2ns,体积为86mm×43mm×23mm。
关键词
像增强器
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
阴极门控发生器
Keywords
image
intensifier
MOSFET
photocathode
gating
pulser
分类号
TN924 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器
郭明安
杨少华
罗通顶
杜继业
高帅
严明
李刚
刘璐
李斌康
刘偲
《现代应用物理》
2016
5
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