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非晶氧化铟镁薄膜晶体管的光电特性研究
被引量:
1
1
作者
卢慧玲
张乐陶
+1 位作者
周航
张盛东
《光电子技术》
CAS
2017年第1期27-29,共3页
研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明,入射光波长减小,光电流将增加。和积累区相比,耗尽区具有更高的信噪比,更适合于紫外探测。器件在短波时具有较大的响应度(>1A/W),截止波长在360nm左右。同时研究了...
研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明,入射光波长减小,光电流将增加。和积累区相比,耗尽区具有更高的信噪比,更适合于紫外探测。器件在短波时具有较大的响应度(>1A/W),截止波长在360nm左右。同时研究了源漏电压和沟道长度对光电流的影响。光电流与源漏电压之间具有良好的线性关系;沟长变短,渡越时间减小,可获得更高的光电增益。
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关键词
薄膜晶体管
金属氧化物
紫外探测
氧化铟镁
光电特性
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职称材料
题名
非晶氧化铟镁薄膜晶体管的光电特性研究
被引量:
1
1
作者
卢慧玲
张乐陶
周航
张盛东
机构
北京大学信息工程学院
出处
《光电子技术》
CAS
2017年第1期27-29,共3页
基金
深圳市项目(JSGG20150331101105708)
广东省项目(2014B050505005)
文摘
研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明,入射光波长减小,光电流将增加。和积累区相比,耗尽区具有更高的信噪比,更适合于紫外探测。器件在短波时具有较大的响应度(>1A/W),截止波长在360nm左右。同时研究了源漏电压和沟道长度对光电流的影响。光电流与源漏电压之间具有良好的线性关系;沟长变短,渡越时间减小,可获得更高的光电增益。
关键词
薄膜晶体管
金属氧化物
紫外探测
氧化铟镁
光电特性
Keywords
thin
film
transistors
(TFTs)
metal
oxide
ultra
violet
detection
MgInO
pho
to-
electrical
properties
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶氧化铟镁薄膜晶体管的光电特性研究
卢慧玲
张乐陶
周航
张盛东
《光电子技术》
CAS
2017
1
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