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电压依赖性氯通道在3-吗啉斯德酮亚胺诱导的大鼠海马神经元凋亡中的作用 被引量：7
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作者 常全忠 张淑玲 尹金宝 《中国药理学与毒理学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期8-12,共5页
目的探讨氯通道与缺血性脑损伤的关系。方法离体培养12d的SD大鼠海马神经元,分为4组:正常对照组、3-吗啉斯德酮亚胺(SIN-1)处理组(SIN-11.0mmol.L-1作用18h)、SIN-1+4-4-二异硫氰茋-2,2′-二磺酸组(DIDS,0.1mmol.L-1作用18h)及SIN-1+4-... 目的探讨氯通道与缺血性脑损伤的关系。方法离体培养12d的SD大鼠海马神经元,分为4组:正常对照组、3-吗啉斯德酮亚胺(SIN-1)处理组(SIN-11.0mmol.L-1作用18h)、SIN-1+4-4-二异硫氰茋-2,2′-二磺酸组(DIDS,0.1mmol.L-1作用18h)及SIN-1+4-乙酰氨基-4′-异氰酸茋-2,2′-二磺酸组(SITS,0.5mmo.lL-1作用18h)。DNA荧光染色观察神经元形态及检测凋亡数目的变化;免疫荧光染色观察神经元两种电压门控氯通道(ClC-2/ClC-3)的表达;全细胞膜片钳技术记录神经元氯通道电流。结果Hoechst33258染色显示,正常对照组、SIN-1处理组、SIN-1+SITS组和SIN-1+DIDS组神经元凋亡百分数分别是:(18.61±0.59)%,(50.43±0.56)%,(23.37±0.52)%和(23.37±0.84)%;两种氯通道ClC-2/ClC-3在正常神经元上存在;SIN-1处理后的神经元氯通道电流较正常增加55%～56%;氯通道阻断剂SITS和DIDS分别能抑制氯通道电流的30%～40%和50%～60%。结论电压依赖性氯通道可能参与了SIN-1诱导的神经元凋亡,氯通道可能参与缺血性脑损伤过程。 展开更多
关键词 氯通道 神经元 脑缺血 海马 膜片钳技术 全细胞
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