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非线性电子网络的基波分析法 被引量:14
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作者 黄炳华 宋春宁 黄洪全 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期35-41,共7页
非线性电子网络如果寄生周期振荡 ,用 Fourier级数展开可以将该网络划分成基波与非基波两部份。非基波成份的存在依赖于基波 ,而基波成份保持自激 ,依靠本身的反馈 ,用基波分部网络去替换非线性网络 ,尽管两者建立的振荡波形不同 ,但关... 非线性电子网络如果寄生周期振荡 ,用 Fourier级数展开可以将该网络划分成基波与非基波两部份。非基波成份的存在依赖于基波 ,而基波成份保持自激 ,依靠本身的反馈 ,用基波分部网络去替换非线性网络 ,尽管两者建立的振荡波形不同 ,但关于稳定性的判断结果是一致的 ,而基波成份的稳定性可以采用线性正弦量的分析方法。 展开更多
关键词 非线性电子网络 功率平衡 寄生振荡 稳定性 基波跨导
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一种新颖的ZVS全桥变换器寄生振荡抑制方法 被引量:11
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作者 陈仲 史良辰 +1 位作者 季锋 刘沙沙 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第21期38-45,共8页
在对整流二极管寄生振荡产生机理深入解析的基础上,提出基于超前换流的电压振荡抑制新对策,进而推出一种原边加换流电容和LC辅助电路的新型零电压开关(zerovoltage switching,ZVS)脉宽调制(pulse width modulation,PWM)移相全桥变换器,... 在对整流二极管寄生振荡产生机理深入解析的基础上,提出基于超前换流的电压振荡抑制新对策,进而推出一种原边加换流电容和LC辅助电路的新型零电压开关(zerovoltage switching,ZVS)脉宽调制(pulse width modulation,PWM)移相全桥变换器,很好地抑制了副边整流二极管的寄生振荡,没有占空比的丢失,实现宽负载范围开关管的零电压开关。阐述该变换器的工作原理,给出关键参数的设计原则,并通过一台650W/28V、开关频率为100kHz的原理样机验证该变换器的优点。 展开更多
关键词 寄生振荡 零电压开关 全桥变换器
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EAST装置高功率宽带射频发射机系统研制 被引量:8
3
作者 毛玉周 袁帅 +8 位作者 赵燕平 王磊 张新军 邓旭 薛迪冶 陈根 程艳 琚松青 秦成明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1048-1054,共7页
离子回旋波加热系统是EAST装置最重要的辅助加热工具,作为系统最核心的分系统之一,高功率射频发射机为加热等离子体提供射频波能量,对提高等离子体运行参数起着极为重要的作用。基于电路分析、传输线和波导谐振腔等相关工程理论,本文系... 离子回旋波加热系统是EAST装置最重要的辅助加热工具,作为系统最核心的分系统之一,高功率射频发射机为加热等离子体提供射频波能量,对提高等离子体运行参数起着极为重要的作用。基于电路分析、传输线和波导谐振腔等相关工程理论,本文系统地总结了射频发射机系统高功率放大器输入输出回路、放大器级间匹配、寄生振荡抑制、腔体冷却等部分的设计原理和实现方法。在假负载上进行了系统测试,在设计频段内获得了1.5MW的射频输出功率,测试结果表明系统达到了设计的技术指标。通过两轮EAST射频加热实验验证,发射机系统运行稳定可靠,满足射频加热等相关物理实验要求。 展开更多
关键词 射频发射机 高功率放大器 阻抗匹配 寄生振荡 PSM高压电源
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内腔四程放大高功率激光系统寄生振荡 被引量:5
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作者 王方 粟敬钦 +4 位作者 王文义 胡东霞 周维 刘兰琴 莫磊 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1183-1186,共4页
基于小信号增益公式、菲涅耳反射公式和判断内腔四程放大高功率激光系统寄生腔增益与损耗大小,研究了2个光路构型相似,寄生腔构成相近的高功率固体激光装置(装置A和装置B)的系统寄生振荡问题:首先指出了系统中存在可能起振的3个寄生腔,... 基于小信号增益公式、菲涅耳反射公式和判断内腔四程放大高功率激光系统寄生腔增益与损耗大小,研究了2个光路构型相似,寄生腔构成相近的高功率固体激光装置(装置A和装置B)的系统寄生振荡问题:首先指出了系统中存在可能起振的3个寄生腔,然后分析了3个寄生腔中影响损耗的各个因素,根据装置A上的实验结果,判断在仅通过钕玻璃片检偏的情况下,装置B的第3寄生腔存在产生寄生振荡的可能性,最后采取加入一组偏振片的方法抑制寄生振荡。 展开更多
关键词 高功率固体激光 内腔四程放大 寄生腔 寄生振荡
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基于开关瞬态高频振荡特征的寄生参数提取原理与实现方法研究
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作者 胡斯登 陈瑞文 +1 位作者 杨麒筹 杨仕友 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第12期4869-4877,I0022,共10页
寄生参数是影响电力电子系统安全运行与效率优化的重要因素。该文提出一种基于开关瞬态高频振荡特征的寄生参数提取方法。与利用开关瞬态中电压、电流变化斜率的现有方法相比,基于振荡特征的参数提取方法对开关瞬态波形幅值测量准确度... 寄生参数是影响电力电子系统安全运行与效率优化的重要因素。该文提出一种基于开关瞬态高频振荡特征的寄生参数提取方法。与利用开关瞬态中电压、电流变化斜率的现有方法相比,基于振荡特征的参数提取方法对开关瞬态波形幅值测量准确度以及通道采样同步等方面的要求低,因此对信号衰减与延迟等问题具有较高的鲁棒性。该文首先对器件关断激发的漏源极之间的瞬态振荡进行详细数学推导。然后,讨论由寄生电感、寄生电容与器件共同构成的二阶以及四阶电路的振荡行为,归纳出参数提取方法并详细讨论对应的硬件与算法设计。为验证所提方法的通用性与有效性,以电力电子全换流回路中各组成部件为对象进行验证。在铜片、叠层母排、母线支撑电容、汇流铜条以及半导体功率模块等部件进行寄生参数提取,实际效果表明该方法能提取10 nH数量级的微量寄生参数,且参数辨识的一致性高,具有操作简明、提取误差小等优势。 展开更多
关键词 寄生参数 瞬态特征 振荡 频谱分析
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板条激光放大器中寄生振荡的研究 被引量:6
6
作者 程小劲 徐剑秋 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1827-1830,共4页
寄生振荡的存在使得放大器在信号光到达之前消耗了大量的反转粒子数,降低了放大器的激光增益和储能效率,严重地影响了激光放大器的性能,尤其对高功率激光放大器。在理论分析和实验研究的基础上,以Nd∶YAG晶体板条为例,用8条半导体激光... 寄生振荡的存在使得放大器在信号光到达之前消耗了大量的反转粒子数,降低了放大器的激光增益和储能效率,严重地影响了激光放大器的性能,尤其对高功率激光放大器。在理论分析和实验研究的基础上,以Nd∶YAG晶体板条为例,用8条半导体激光阵列对晶体进行双侧抽运,研究了高功率激光放大器的寄生振荡现象,分析了板条晶体寄生振荡产生的原因,并详细比较了晶体在不同的抽运功率和表面处理下的放大效果,得到了2倍的单程放大,当输入能量为140 mJ时,获得了278 mJ的激光输出。 展开更多
关键词 固体激光器 半导体激光抽运 板条晶体 寄生振荡
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可实现辅助开关管准零电流开关的半无桥功率因数校正变换器 被引量:6
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作者 胡玮 康勇 +1 位作者 胡昊 周小宁 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第21期6390-6399,共10页
提出一种可实现辅助开关管准零电流开关的零电压转换半无桥功率因数校正变换器拓扑。通过增加一个有源辅助谐振支路,变换器实现了主开关管的零电压开关和升压二极管的自然开关,并且没有增加它们的电压应力。与此同时,它还进一步减小了... 提出一种可实现辅助开关管准零电流开关的零电压转换半无桥功率因数校正变换器拓扑。通过增加一个有源辅助谐振支路,变换器实现了主开关管的零电压开关和升压二极管的自然开关,并且没有增加它们的电压应力。与此同时,它还进一步减小了辅助开关管的开关损耗,而各连通二极管也均实现了自然开关。理论分析变换器的工作模态,详细讨论变换器软开关实现条件和控制策略,在此基础上给出有源辅助谐振支路参数设计。设计一台开关频率100kHz、额定输出400V/600W的原理样机,验证了变换器设计方案的可行性和理论分析的正确性。 展开更多
关键词 半无桥Boost PFC变换器 零电压转换 零电流开关 激磁电感 寄生振荡
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CuO,CuCl对P_2O_5-ZnO-Na_2O玻璃性质的影响 被引量:4
8
作者 赵凤刚 汪国年 胡丽丽 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1146-1150,共5页
包边技术是提高大尺寸激光玻璃饱和增益系数的关键.为获得优质包边玻璃,以CuO和CuCl分别作为Cu2+的引入物质,采用传统的玻璃熔制方法,研究了Cu2+掺杂量和不同引入物质对P2O5-ZnO-Na2O体系玻璃形成区、析晶稳定性、物化性能以及吸收系数... 包边技术是提高大尺寸激光玻璃饱和增益系数的关键.为获得优质包边玻璃,以CuO和CuCl分别作为Cu2+的引入物质,采用传统的玻璃熔制方法,研究了Cu2+掺杂量和不同引入物质对P2O5-ZnO-Na2O体系玻璃形成区、析晶稳定性、物化性能以及吸收系数的影响.研究结果表明,CuO和CuCl都能增大P2O5-ZnO-Na2O体系的玻璃形成区、提高玻璃样品的析晶稳定性.玻璃样品的吸收系数随Cu2+掺杂浓度的增加而明显增大,当Cu2+掺杂摩尔分数达到6%时,样品在1053 nm处的吸收系数为59.46 cm-1,基本上达到了饱和状态. 展开更多
关键词 材料 包边玻璃 磷酸盐玻璃 寄生振荡 吸收系数
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带箝位二极管移相全桥(PSFB)变换器整流二极管振荡研究 被引量:5
9
作者 李琳 《电子设计工程》 2014年第2期91-94,共4页
本文详细分析了原边带箝位二极管PSFB变换器抑制后级整流二极管振荡的工作原理,说明了箝位二极管的箝位作用,并研究了在CCM和DCM不同情况下的箝位效果,经过理论分析认为箝位效果是不一样的。并研制了一台1.5 kW的PSFB变换器进行了实验验... 本文详细分析了原边带箝位二极管PSFB变换器抑制后级整流二极管振荡的工作原理,说明了箝位二极管的箝位作用,并研究了在CCM和DCM不同情况下的箝位效果,经过理论分析认为箝位效果是不一样的。并研制了一台1.5 kW的PSFB变换器进行了实验验证,实验结果表明了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 移相全桥变换器 箝位二极管 寄生振荡 零电压开关
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一种原边带箝位二极管的ZVS移相全桥变换器 被引量:5
10
作者 皮之军 康勇 《通信电源技术》 2006年第2期23-26,29,共5页
移相全桥零电压变换器是中大功率直直变换场合的理想拓扑之一,但在其输出整流二极管反向恢复时,整流桥产生寄生振荡,二极管上存在很高的尖峰电压。这将带来电路损耗,并影响整流桥的使用寿命。本文介绍了一种原边带箝位二极管的电路形式... 移相全桥零电压变换器是中大功率直直变换场合的理想拓扑之一,但在其输出整流二极管反向恢复时,整流桥产生寄生振荡,二极管上存在很高的尖峰电压。这将带来电路损耗,并影响整流桥的使用寿命。本文介绍了一种原边带箝位二极管的电路形式,它能够很好地抑制寄生振荡,消除尖峰电压,分析了其工作原理,制作了一个5.5kW样机,并给出了加二极管前后的对比实验结果。 展开更多
关键词 籍位二极管 寄生振荡 尖峰电压
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固体激光器中热效应对晶体介质寄生振荡的影响 被引量:4
11
作者 程小劲 徐剑秋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期310-313,共4页
使用8条激光二极管(LD)阵列对Nd:YAG晶体进行双侧泵浦,分析晶体的温度、应力和热致折射率的变化。研究不同泵浦条件下放大器的放大系数,并在此基础上,重点讨论了热效应对晶体寄生振荡的影响。实验结果表明,在高功率泵浦的条件下,由晶体... 使用8条激光二极管(LD)阵列对Nd:YAG晶体进行双侧泵浦,分析晶体的温度、应力和热致折射率的变化。研究不同泵浦条件下放大器的放大系数,并在此基础上,重点讨论了热效应对晶体寄生振荡的影响。实验结果表明,在高功率泵浦的条件下,由晶体热效应引起的晶体变形及热致折射率变化可以在一定程度上抑制晶体的寄生振荡。不管振荡器输出光是直线通过放大器还是在放大器晶体表面反射一次通过晶体,均能得到2倍的单程放大系数。 展开更多
关键词 热效应 寄生振荡 双侧泵浦 固体激光器
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LC振荡器寄生振荡的分析和消除 被引量:2
12
作者 侯向东 《电讯技术》 北大核心 2004年第2期161-165,共5页
振荡器在不需要的频率发生的寄生振荡(不一定是由寄生参数引起,在这里暂且称其为寄生振荡),对振荡器的设计与调试带来了很大的困扰。本文对寄生振荡进行理论了分析,并提出避免寄生振荡的措施。
关键词 LC振荡器 寄生振荡 谐振频率 消除方法
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功率MOSFET寄生振荡的研究 被引量:4
13
作者 赵跃华 王凯 《电子设计工程》 2013年第24期118-120,123,共4页
针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行。该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点。经过1000W纯正弦... 针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行。该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点。经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性。 展开更多
关键词 功率MOSFET 等效电容 驱动电阻 寄生振荡
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输出镜透过率对半导体可饱和吸收镜锁模激光器的影响 被引量:3
14
作者 陈博伦 方晓惠 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2019年第19期137-141,共5页
对基于808nm端面抽运的半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模Nd…YVO4激光器的输出特性进行研究,通过选择不同透过率的输出镜,设计一套针对不同输出功率需求的锁模激光器方案。首先系统地研究输出镜透过率对激光锁模功率和阈值的影响,当输出... 对基于808nm端面抽运的半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模Nd…YVO4激光器的输出特性进行研究,通过选择不同透过率的输出镜,设计一套针对不同输出功率需求的锁模激光器方案。首先系统地研究输出镜透过率对激光锁模功率和阈值的影响,当输出镜透过率为10%,抽运功率为8W时,得到最高输出功率为2.58W的连续锁模脉冲输出,转换效率为32.3%。当输出镜透过率为0.1%,抽运功率为1W时,得到低阈值连续锁模脉冲输出,输出功率为0.58mW。然后自主搭建自相关光路测量锁模脉冲,结合自相关曲线分析锁模激光器的寄生振荡情况,通过优化输出镜抑制寄生振荡,获得纯净的锁模脉冲,其脉冲宽度为13ps,重复频率为150MHz。 展开更多
关键词 激光器 半导体可饱和吸收镜锁模 寄生振荡 输出镜透过率 低阈值 自相关
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寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响及其抑制 被引量:3
15
作者 伍理勋 韩洋 +1 位作者 陆海峰 陈磊 《汽车电器》 2018年第7期7-9,共3页
SiC器件具有高结温、高阻断电压、高热导、低损耗等特点,在电动汽车电机控制器方面具有巨大的应用前景。但由于SiC MOSFET的开关速度更快,在寄生参数的作用下,开关振荡比Si基器件严重很多。本文将研究寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影... SiC器件具有高结温、高阻断电压、高热导、低损耗等特点,在电动汽车电机控制器方面具有巨大的应用前景。但由于SiC MOSFET的开关速度更快,在寄生参数的作用下,开关振荡比Si基器件严重很多。本文将研究寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响,对基于SiC器件的变换电路PCB设计给予一定的指导,并给出了抑制SiC MOSFET开关振荡的建议。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 寄生电感 开关振荡
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一种抑制副边寄生振荡的宽范围软开关全桥变换器 被引量:3
16
作者 陈仲 刘沙沙 史良辰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第15期1-9,21,共9页
提出一种抑制副边寄生振荡的新型零电压开关(zerovoltage switching,ZVS)脉宽调制(pulse width modulation,PWM)移相全桥变换器。引入辅助变压器作为换流电压源强制原边超前换流,副边寄生振荡抑制效果明显,不存在占空比的丢失;该变换器... 提出一种抑制副边寄生振荡的新型零电压开关(zerovoltage switching,ZVS)脉宽调制(pulse width modulation,PWM)移相全桥变换器。引入辅助变压器作为换流电压源强制原边超前换流,副边寄生振荡抑制效果明显,不存在占空比的丢失;该变换器在较宽负载范围实现ZVS,原边在整个开关周期内不断向副边传递功率,不存在环流时间,输出滤波电感电流纹波得到大幅度削减。阐述该变换器的工作原理,给出关键特性的分析结果及参数设计原则,并通过一台480 W/48 V、开关频率为100 kHz的原理样机验证该变换器的优点。 展开更多
关键词 寄生振荡 零电压开关 全桥变换器 软开关
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圆片激光器中放大的自发辐射现象 被引量:3
17
作者 王小军 苏华 蔡震 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1998-2004,共7页
研究了谐振腔式圆片激光器中放大的自发辐射(ASE)和寄生振荡的物理特征及一些抑制措施的效果。使用解析方法分析了圆片介质中本征寄生模式,指出非平庸的色散关系只允许有限数目稳态纵寄生模存在,使其与主激光进行纵模竞争时处于不利地... 研究了谐振腔式圆片激光器中放大的自发辐射(ASE)和寄生振荡的物理特征及一些抑制措施的效果。使用解析方法分析了圆片介质中本征寄生模式,指出非平庸的色散关系只允许有限数目稳态纵寄生模存在,使其与主激光进行纵模竞争时处于不利地位。研发了一套数值模拟方法对ASE、寄生振荡和主激光的耦合成长特性进行理论研究,分析了它们之间横模竞争的特点,指出弛豫振荡在ASE效应中扮演重要的角色。并且从实验和理论两方面研究了ASE吸收包边导致的热加载不均匀问题。 展开更多
关键词 片状激光器 放大的自发辐射 谐振腔 寄生振荡
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寄生电感对于功率MOSFET开关特性的影响 被引量:3
18
作者 杨文杰 《电机与控制应用》 2021年第12期94-103,共10页
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性。通过仿真分析对比,指出MOSFET寄生电感存在如下特性:源极电感对栅极驱动形成负反馈,导致开关速度变慢,采用开尔文连接,可以将栅极回... 分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性。通过仿真分析对比,指出MOSFET寄生电感存在如下特性:源极电感对栅极驱动形成负反馈,导致开关速度变慢,采用开尔文连接,可以将栅极回路与功率回路解耦,提高驱动速度;在米勒效应发生时刻需要合理地降低栅极电感来降低栅极驱动电流;漏极电感通过米勒电容影响MOSFET的开通速度,在关断时刻导致电压应力增加;在并联的回路当中,非对称的布局将导致MOSFET之间的动态不均流;当MOSFET在开关过程中,环路电感与MOSFET自身的结电容产生振荡时,可以在电路增加吸收电容减小环路电感,改变振荡特性。 展开更多
关键词 寄生电感 MOSFET振荡 开关特性 并联 米勒效应
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基于超外差接收的宽带混频小信号放大器设计 被引量:3
19
作者 凌小莲 《科技通报》 北大核心 2015年第12期118-120,共3页
宽带混频小信号放大器是通过混频放大实现对微弱信号有效放大接收的装置,混频小信号放大器受到自激寄生振荡的影响,信号接收失真较大。提出一种基于超外差接收的受自激振荡的宽带混频小信号放大器电路设计方法。设计自激寄生振荡接收机... 宽带混频小信号放大器是通过混频放大实现对微弱信号有效放大接收的装置,混频小信号放大器受到自激寄生振荡的影响,信号接收失真较大。提出一种基于超外差接收的受自激振荡的宽带混频小信号放大器电路设计方法。设计自激寄生振荡接收机前置电路,根据不同的接收信号强度,选择最佳的增益,得到自激寄生振荡可变增益控制放大器电路,采用输入控制模块和节电控制模块组合设计,实现自激振荡的宽带混频小信号放大器改进。仿真结果表明,采用该电路设计方法能有效实现对宽带混频的小信号放大滤波,干扰较少,提高了信号的检测性能。 展开更多
关键词 信号放大器 寄生振荡 混频
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中红外室温大能量Fe^(2+)∶ZnSe激光器 被引量:3
20
作者 潘其坤 谢冀江 +7 位作者 陈飞 张阔 肖锋 于德洋 何洋 孙俊杰 张来明 郭劲 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期11-16,共6页
理论分析了室温条件下掺铁硒化锌(Fe^(2+)∶ZnSe)激光横向寄生振荡特性,结果显示通过减小抽运光斑尺寸可有效提升寄生振荡反转粒子数阈值,从而抑制Fe^(2+)∶ZnSe激光横向寄生振荡。以非链式脉冲氟化氢(HF)激光器为抽运源,搭建了Fe^(2+)... 理论分析了室温条件下掺铁硒化锌(Fe^(2+)∶ZnSe)激光横向寄生振荡特性,结果显示通过减小抽运光斑尺寸可有效提升寄生振荡反转粒子数阈值,从而抑制Fe^(2+)∶ZnSe激光横向寄生振荡。以非链式脉冲氟化氢(HF)激光器为抽运源,搭建了Fe^(2+)∶ZnSe激光器实验装置,通过插入不同孔径的光阑,实验研究了不同抽运光斑尺寸下的Fe^(2+)∶ZnSe激光输出特性。实验结果表明,对于端面尺寸为20 mm×20 mm的Fe^(2+)∶ZnSe激光晶体,当抽运光斑尺寸≤9.2 mm时,横向寄生振荡现象可得到有效抑制,与理论分析结果相符。室温条件下,所获得的最高Fe^(2+)∶ZnSe激光脉冲能量为136 mJ,斜效率为33.2%,相对于抽运激光能量的光-光转换效率为26.5%。 展开更多
关键词 激光器 中红外激光 Fe^2+∶ZnSe激光 寄生振荡 室温
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