期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高速PCB的过孔设计
被引量:
14
1
作者
袁子建
吴志敏
高举
《电子工艺技术》
2002年第4期158-159,163,共3页
在高速PCB设计中 ,过孔设计是一个重要因素 ,它由孔、孔周围的焊盘区和POWER层隔离区组成 ,通常分为盲孔、埋孔和通孔三类。在PCB设计过程中通过对过孔的寄生电容和寄生电感分析 ,总结出高速PCB过孔设计中的一些注意事项。
关键词
过孔
寄生电容
寄生电感
非穿导孔技术
下载PDF
职称材料
IGBT模块应用中过电压的抑制
被引量:
4
2
作者
孙国印
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2002年第4期73-74,23,共3页
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰 ,通常抑制过电压的方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。
关键词
IGBT模块
过电压
绝缘栅双极晶体管
开关损耗
寄生电感
下载PDF
职称材料
题名
高速PCB的过孔设计
被引量:
14
1
作者
袁子建
吴志敏
高举
机构
飞燕电子技术中心
出处
《电子工艺技术》
2002年第4期158-159,163,共3页
文摘
在高速PCB设计中 ,过孔设计是一个重要因素 ,它由孔、孔周围的焊盘区和POWER层隔离区组成 ,通常分为盲孔、埋孔和通孔三类。在PCB设计过程中通过对过孔的寄生电容和寄生电感分析 ,总结出高速PCB过孔设计中的一些注意事项。
关键词
过孔
寄生电容
寄生电感
非穿导孔技术
Keywords
Via
parasite
capacity
parasite
inductance
Blind
and
buried
via
technology
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
IGBT模块应用中过电压的抑制
被引量:
4
2
作者
孙国印
机构
洛阳单晶硅有限责任公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2002年第4期73-74,23,共3页
文摘
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰 ,通常抑制过电压的方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。
关键词
IGBT模块
过电压
绝缘栅双极晶体管
开关损耗
寄生电感
Keywords
module
IGBT
over
voltage
switching
loss
parasite
inductance
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高速PCB的过孔设计
袁子建
吴志敏
高举
《电子工艺技术》
2002
14
下载PDF
职称材料
2
IGBT模块应用中过电压的抑制
孙国印
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2002
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部