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一种新型2×2 SOI热光开关
被引量：
3
1
作者
杨笛
余金中
+1 位作者
陈少武
陈媛媛
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期1280-1282,1285,共4页
设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,...
设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs。
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关键词
热光开关
配对多模干涉耦合器
SOI
开关时间
原文传递
题名
一种新型2×2 SOI热光开关
被引量：
3
1
作者
杨笛
余金中
陈少武
陈媛媛
机构
中央民族大学物理与电子工程学院
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期1280-1282,1285,共4页
基金
国家科技部"973"计划资助项目(G2000-03-66)
中央民族大学青年教师科研基金资助项目(CUN07A)
文摘
设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs。
关键词
热光开关
配对多模干涉耦合器
SOI
开关时间
Keywords
thermo-optic
switch
paired
multimode
interference
coupler
silicon-on-insulator（SOl）
switching
time
分类号
TN253 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型2×2 SOI热光开关
杨笛
余金中
陈少武
陈媛媛
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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