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热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性 被引量:25
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作者 汪六九 朱美芳 +2 位作者 刘丰珍 刘金龙 韩一琴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2934-2938,共5页
以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 -... 以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 - 6 Ω- 1 cm- 1 ,激活能Ea=0 5eV ,光能隙Eopt≤ 1 3eV的多晶硅薄膜 . 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 多晶硅薄膜 光电特性 激活能 光能隙 薄膜结构 沉积气压 热丝温度
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Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2 p-n heterojunctions 被引量:19
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作者 Xiaoting Wang Le Huang +6 位作者 Yuting Peng Nengjie Huo Kedi Wu Congxin Xia Zhongming Wei Sefaattin Tongay Jingbo Li 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期507-516,共10页
Van der Waals (vdW) heterojunctions are equipped to avert dangling bonds due to weak, inter-layer vdW force, and ensure strong in-plane covalent bonding for two-dimensional layered structures. We fabricated four het... Van der Waals (vdW) heterojunctions are equipped to avert dangling bonds due to weak, inter-layer vdW force, and ensure strong in-plane covalent bonding for two-dimensional layered structures. We fabricated four heterojunctions devices of different layers based on p-type distorted 1T-MX2 ReSe2 and n-type hexagonal MoS2 nanoflakes, and measured their electronic and optoelectronic properties. The device showed a high rectification coefficient of 500 for the diode, a high ON/OFF ratio and higher electron mobility for the field-effect transistor (FET) compared with the individual components, and a high current responsivity (Rλ) and external quantum efficiency (EQE) of 6.75 A/W and 1,266%, respectively, for the photodetector. 展开更多
关键词 ReSe2/MoS2 van der Waals heterojuncfion RECTIFICATION optoelectronic properties
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全无机钙钛矿量子点的合成、性质及发光二极管应用进展 被引量:19
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作者 刘王宇 陈斐 +1 位作者 孔淑祺 唐爱伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期117-133,共17页
近年来,全无机铯铅卤素钙钛矿(CsPb X 3,X=Cl,Br,I)量子点由于其色纯度高、具有可调谐的发射波长(410~760 nm)、窄的半峰宽(12~42 nm)和较高的荧光量子产率(最高可达95%以上)以及可全溶液处理等优势而受到人们的高度关注,在显示和照明... 近年来,全无机铯铅卤素钙钛矿(CsPb X 3,X=Cl,Br,I)量子点由于其色纯度高、具有可调谐的发射波长(410~760 nm)、窄的半峰宽(12~42 nm)和较高的荧光量子产率(最高可达95%以上)以及可全溶液处理等优势而受到人们的高度关注,在显示和照明领域有着较为广阔的应用前景。本文首先介绍了近年来发展起来的全无机钙钛矿量子点的液相合成方法,如高温热注射法、一步反应法、阴离子交换法和过饱和重结晶法等;其次介绍了全无机钙钛矿量子点的形貌、尺寸和晶型调控及材料组分、反应温度和杂质离子对其发光性能的影响,进而总结了无铅全无机钙钛矿量子点的研究进展;然后介绍了全无机钙钛矿量子点在发光二极管方面的应用进展;最后概述了全无机钙钛矿量子点在未来发展中存在的挑战和机遇。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿 量子点 合成方法 光电性能 发光二极管
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AZO透明导电薄膜的结构与光电性能 被引量:8
4
作者 李金丽 邓宏 刘财坤 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期43-45,共3页
采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜。通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律。结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减... 采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜。通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律。结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减弱,x(Al)为15%掺杂极限浓度。x(Al)为2%时,薄膜电阻率是3.4×10–4Ω.cm。随着掺杂量x(Al)从0增加到20%,薄膜的禁带宽度从3.34 eV增加到4.0 eV。 展开更多
关键词 无机非金属材料 AZO薄膜 组织结构 光电性能
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透明电极用银纳米线尺寸与光电性能相关性综述 被引量:9
5
作者 张楷力 堵永国 王震 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期68-75,共8页
介绍了银纳米线透明电极光电性能的相关理论。根据国外研究团队建立的相应模型,结合目前透明电极主流应用对银纳米线的性能要求,阐释了银纳米线的尺寸与透明电极的光电性能之间的联系,给出了评判电极光电综合性能的重要参数和满足透明... 介绍了银纳米线透明电极光电性能的相关理论。根据国外研究团队建立的相应模型,结合目前透明电极主流应用对银纳米线的性能要求,阐释了银纳米线的尺寸与透明电极的光电性能之间的联系,给出了评判电极光电综合性能的重要参数和满足透明电极应用的银纳米线尺寸具体要求,为银纳米线的合成提供了理论参考。 展开更多
关键词 金属纳米材料 银纳米线 透明电极 尺寸 光电性能 理论
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二维钙钛矿材料及其在光电器件中的应用 被引量:7
6
作者 王宏磊 吕文珍 +3 位作者 唐星星 陈铃峰 陈润锋 黄维 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第8期859-869,共11页
二维钙钛矿作为一种新型光电材料,既具有二维材料的可溶液加工、柔性、可穿戴性以及廉价容易制备等特点,又具备钙钛矿材料结晶度高、载流子迁移率高、激子束缚能低、量子效率高、吸收光谱宽、光吸收系数高和能耗损失低等特性,已经成为... 二维钙钛矿作为一种新型光电材料,既具有二维材料的可溶液加工、柔性、可穿戴性以及廉价容易制备等特点,又具备钙钛矿材料结晶度高、载流子迁移率高、激子束缚能低、量子效率高、吸收光谱宽、光吸收系数高和能耗损失低等特性,已经成为材料研究领域的热点而受到广泛关注。本文深入分析了二维钙钛矿材料的组成特点及结构构建规则,探究了其光电特性、能带性质以及非线性光学性质等,对二维钙钛矿光电材料常见的两大类制备方法液相法和气相法进行了归纳,总结了二维钙钛矿材料在太阳能电池、光电探测器、发光二极管、场效应晶体管和激光等光电器件领域的应用现状,最后对该类材料目前存在的主要问题及未来发展前景进行了展望,以期为设计制备高性能二维钙钛矿光电材料提供参考。 展开更多
关键词 二维材料 钙钛矿 光电性质 光电器件 能带
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半导体纳米晶体的冷等离子体合成:原理、进展和展望 被引量:1
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作者 周述 母云城 +1 位作者 谢钰豪 高平奇 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期3000-3023,共24页
冷等离子体已发展成为纳米材料合成领域的重要技术途径.无需化学溶剂和配体,冷等离子体为高品质半导体纳米晶体的生长提供了独特的非热力学平衡环境:等离子体中的高能电子与纳米颗粒碰撞使得纳米颗粒带电,可降低或消除纳米颗粒之间的团... 冷等离子体已发展成为纳米材料合成领域的重要技术途径.无需化学溶剂和配体,冷等离子体为高品质半导体纳米晶体的生长提供了独特的非热力学平衡环境:等离子体中的高能电子与纳米颗粒碰撞使得纳米颗粒带电,可降低或消除纳米颗粒之间的团聚;高能表面化学反应能够选择性地将纳米颗粒加热到远超环境气体温度的温度;气相中生长物和固相纳米颗粒表面结合物之间化学势的巨大差异,有利于实现纳米晶体的超高浓度掺杂.本文综述了冷等离子体合成半导体纳米晶体的研究现状,详细讨论了冷等离子体中纳米颗粒形核、生长和晶化的基本原理,总结了冷等离子体在单元素、化合物和复杂核壳结构纳米晶体方面的研究进展,特别强调了冷等离子体在纳米颗粒尺寸、形貌、结晶状态、表面化学和组分等性能调变上的技术优势,概述了超掺杂纳米晶体呈现的新颖物性,展望了冷等离子体技术在纳米晶体合成领域的应用前景. 展开更多
关键词 冷等离子体 半导体纳米晶体 生长动力学 超掺杂 光电性能
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适用于光伏的新型窄带隙二维双钙钛矿光电性能的第一性原理研究
8
作者 王早兰 张伟 +1 位作者 张建宏 王蕾蕾 《电力学报》 2024年第1期45-51,共7页
二维Dion-Jacobson(DJ)型钙钛矿因其具有的优越的电荷输运特性和良好的稳定性而受到广泛关注。然而,二维钙钛矿中铅元素的毒性问题依然制约着钙钛矿太阳能电池的大范围推广应用。提出一种新的二维钙钛矿(BDA)2 AuBiI8,其用一个一价金属... 二维Dion-Jacobson(DJ)型钙钛矿因其具有的优越的电荷输运特性和良好的稳定性而受到广泛关注。然而,二维钙钛矿中铅元素的毒性问题依然制约着钙钛矿太阳能电池的大范围推广应用。提出一种新的二维钙钛矿(BDA)2 AuBiI8,其用一个一价金属Au+和一个三价金属Bi3+取代两个二价金属Pb2+,以获得无铅二维双钙钛矿材料。第一性原理计算证明:二维钙钛矿(BDA)2AuBiI8不仅具有优异的热力学稳定性,而且具有1.54 eV的直接带隙,适合太阳能电池,理论光谱极限最大效率超过30%。发现层间相互作用对能带边缘位置的确定起着重要作用。研究结果表明,DJ型结构和双取代为高效太阳能电池无铅钙钛矿的设计提供了新的方案。 展开更多
关键词 二维钙钛矿 元素替代 稳定性 光电特性 接触特性
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丙烯酸树脂添加剂对银纳米线透明导电膜的影响
9
作者 欧孝宇 张运生 +3 位作者 李旭 陈琛 黄鹏 祖成奎 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期192-198,209,共8页
目的通过丙烯酸树脂共混改性银纳米线溶液,弥补了银纳米线附着力差的缺点。方法采用不同槽深的线棒在玻璃基底上多次涂覆,制备了含不同丙烯酸树脂添加量的银纳米线透明导电膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透光率/雾度测定仪、非... 目的通过丙烯酸树脂共混改性银纳米线溶液,弥补了银纳米线附着力差的缺点。方法采用不同槽深的线棒在玻璃基底上多次涂覆,制备了含不同丙烯酸树脂添加量的银纳米线透明导电膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透光率/雾度测定仪、非接触式电阻测试仪和百格法分别对银纳米线透明导电膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率、雾度、方阻和附着力进行表征和测试,并通过最小二乘法将数据拟合得到银纳米线透明导电膜的透光率和方阻的关系。结果随着丙烯酸树脂添加量的增加,银纳米线透明导电膜的附着力增强。在线棒槽深相同、丙烯酸树脂溶液添加量≤6%时,随着涂覆次数的增加,银纳米线透明导电膜的透光性下降、雾度上升,方阻逐渐降低;通过数据拟合发现,透光率与方阻的平方呈负相关,采用更大线棒槽深制备的银纳米线透明导电膜有更高的品质因数,在丙烯酸树脂添加量为4%(体积分数)、线棒槽深20μm、涂覆12次时,制备了透光率为84.3%、雾度为2.81%、方阻为28Ω/的高品质因数银纳米线透明导电膜。结论丙烯酸树脂溶液可以有效提升银纳米线透明导电膜的附着力,而丙烯酸树脂具有绝缘性,过量添加会增大银纳米线的接触电阻,使银纳米线网络的导电性下降。 展开更多
关键词 银纳米线 丙烯酸树脂 棒涂 光电性能 品质因数 附着力
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原子层沉积Sn掺杂ZnO薄膜结构及光电性能的研究 被引量:6
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作者 袁海 刘正堂 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期240-245,共6页
采用原子层沉积方法以臭氧为氧源,分别在Si和K-9玻璃衬底沉积Sn掺杂ZnO薄膜。系统研究了Sn掺杂浓度对ZnO薄膜成分、晶体结构及光电性能的影响。XRD分析表明:所制备SnZO薄膜具有垂直于衬底表面的c轴择优取向。XPS分析表明:在ZnO中掺杂离... 采用原子层沉积方法以臭氧为氧源,分别在Si和K-9玻璃衬底沉积Sn掺杂ZnO薄膜。系统研究了Sn掺杂浓度对ZnO薄膜成分、晶体结构及光电性能的影响。XRD分析表明:所制备SnZO薄膜具有垂直于衬底表面的c轴择优取向。XPS分析表明:在ZnO中掺杂离子以Sn4+形式存在。Hall分析表明Sn是一种有效的施主掺杂元素,其通过置换Zn2+位置释放导电电子。当Sn掺杂浓度为1.8at%时,Hall测试表明ZnO薄膜具有最低电阻率为9.5×10-4Ω.cm,载流子浓度达到最高值为3.2×1020cm-3,进一步增加Sn浓度使得ZnO薄膜电学性能变差。SnZO薄膜在可见光区域的光透过率超过85%,光学带隙值由未掺杂ZnO的3.26 eV增加到5.7at%Sn掺杂时3.54 eV。 展开更多
关键词 Sn掺杂ZnO 原子层沉积 晶体结构 光电性能
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二芳基乙烯类光致变色化合物的合成及其光电性质研究 被引量:5
11
作者 蒲守智 游秀丽 +4 位作者 徐景坤 申亮 肖强 王丽华 刘刚 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期489-494,共6页
在氮气及-78℃条件下,合成了两种二芳基乙烯类光致变色化合物1,2-双(2-甲基-5-(4-N,N-二甲氨基苯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯(Ⅰa)和1,2-双(2-甲基-5-萘基噻吩-3-基)全氟环戊烯(Ⅱa),通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、循环伏安法对其光谱... 在氮气及-78℃条件下,合成了两种二芳基乙烯类光致变色化合物1,2-双(2-甲基-5-(4-N,N-二甲氨基苯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯(Ⅰa)和1,2-双(2-甲基-5-萘基噻吩-3-基)全氟环戊烯(Ⅱa),通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、循环伏安法对其光谱特性和电化学性质进行了初步研究。在254nm紫外光照射下,Ⅰa和Ⅱa的氯仿溶液均由无色变为蓝色,最大吸收峰分别为620和570nm,在适当波长可见光照射下,均从有色态返回到无色态。通过UV-Vis光谱考察了这两种二芳基乙烯类化合物在溶液中的光致变色反应的动力学特征,实验结果表明,二芳基乙烯类光致变色化合物的闭环反应属于零级反应,开环反应为一级。电化学研究表明,在溶液中,Ⅰa和Ⅱa可发生不可逆的阳极氧化反应。 展开更多
关键词 二芳基乙烯 光致变色 光电性质 反应动力学
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甲胺基金属卤化物MAPbX_(3)铁电半导体研究进展
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作者 南瑞华 刘腾 坚佳莹 《西安工业大学学报》 CAS 2024年第2期192-208,共17页
为了研究甲胺基金属卤化物MAPbX_(3)铁电半导体的铁电性对光伏性能的影响,文中梳理了近几年MAPbX_(3)的相关研究文献,分析了MAPbX_(3)晶体的光学吸收和载流子输运性能的影响因素,阐述了MAPbX_(3)铁电性的验证方法及铁电体中载流子的分... 为了研究甲胺基金属卤化物MAPbX_(3)铁电半导体的铁电性对光伏性能的影响,文中梳理了近几年MAPbX_(3)的相关研究文献,分析了MAPbX_(3)晶体的光学吸收和载流子输运性能的影响因素,阐述了MAPbX_(3)铁电性的验证方法及铁电体中载流子的分离机制,介绍了铁电半导体的应用,重点分析了MAPbX_(3)晶体结构方面的研究争议,讨论了MAPbX_(3)铁电性与铁弹性的关系,并对光伏器件的设计以及应用提出了新的研究思路。 展开更多
关键词 MAPbX_(3) 钙钛矿材料 光电性能 铁电性
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热蒸发沉积法制备硫化锌纳米材料的研究进展
13
作者 林佳纯 熊宸玮 +3 位作者 陶克文 马德才 林少鹏 王彪 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期37-42,共6页
硫化锌作为Ⅱ—Ⅵ族直接跃迁的宽带隙半导体发光材料,具有较大的禁带宽度、丰富的发光色彩和优异的红外透过性,广泛应用于光电器件、太阳能电池、红外窗和光催化降解,在光电传感、核辐射探测和医疗影像等领域有广阔的应用前景。热蒸发... 硫化锌作为Ⅱ—Ⅵ族直接跃迁的宽带隙半导体发光材料,具有较大的禁带宽度、丰富的发光色彩和优异的红外透过性,广泛应用于光电器件、太阳能电池、红外窗和光催化降解,在光电传感、核辐射探测和医疗影像等领域有广阔的应用前景。热蒸发沉积法是一种重要的制备纳米材料的方法,其灵活多样的实验条件为制备优良性能的纳米硫化锌提供了可能。对热蒸发沉积法制备硫化锌纳米材料的研究进行梳理和总结,主要介绍热蒸发沉积法的反应和生长机制,阐述了原料、衬底和催化剂种类,以及载气类型和流速等重要实验条件对硫化锌纳米材料结构和光学性能的影响。最后,对当前热蒸发法制备硫化锌纳米材料存在的问题及其发展方向进行展望,以期为硫化锌材料制备和研究提供参考。 展开更多
关键词 硫化锌纳米材料 热蒸发沉积法 光电特性 研究进展
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单端注入型LED的光电特性与灰度调制技术研究
14
作者 林珊玲 卢杰 +2 位作者 吴朝兴 林志贤 郭太良 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期521-527,共7页
Micro-LED拥有出色的亮度、高发光效率、低能耗、高反应速度、超高解析度与色彩饱和度等优势,且具备自发光和感测能力,是一项十分理想的显示技术。传统的直流灰度调控方法不再适用于驱动单端载流子注入结构的交流型LED,本文根据单端注入... Micro-LED拥有出色的亮度、高发光效率、低能耗、高反应速度、超高解析度与色彩饱和度等优势,且具备自发光和感测能力,是一项十分理想的显示技术。传统的直流灰度调控方法不再适用于驱动单端载流子注入结构的交流型LED,本文根据单端注入型LED器件在不同频率、幅度、占空比以及交流驱动模式下的光电特性,提出一种基于人眼视觉特性的相对占空比混合式灰度调制方案。结果表明,正负方波驱动模式下的器件在相同电压和频率下表现出更强的发光亮度,并且器件随着驱动频率的增加,发光亮度逐渐提升。最后,结合人眼视觉特性,验证了发光器件在不同相对占空比、幅度、频率的混合式调制方法下实现了由2个灰度到8个灰度等级的提升,为未来新型发光器件灰度调制提供新思路。 展开更多
关键词 LED 单端载流子注入 灰度调制 交流电 光电性能
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基于择优掺杂取向研究Y掺杂量对ZnTe电子结构和吸收光谱的影响
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作者 李昊男 李聪 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第6期139-146,共8页
Zn Te由于其特有的禁带宽度,光学性质以及可重掺杂等特性,使得众多学者对其进行了系列的相关研究,但关于Y掺杂浓度和掺杂方式对Zn Te性质的影响却鲜有报道.作者采用密度泛函理论框架下的广义梯度近似方法,分别计算了Y在掺杂浓度为1.56at... Zn Te由于其特有的禁带宽度,光学性质以及可重掺杂等特性,使得众多学者对其进行了系列的相关研究,但关于Y掺杂浓度和掺杂方式对Zn Te性质的影响却鲜有报道.作者采用密度泛函理论框架下的广义梯度近似方法,分别计算了Y在掺杂浓度为1.56at%、3.12at%、4.69at%下Zn Te的几何结构、能带结构、态密度分布、吸收光谱等性质,以及不同掺杂方式对体系的影响.结果表明:在掺杂浓度为3.12at%,掺杂方式不相同时,掺杂原子沿[111]晶向排布的形成能最低,即[111]晶向为择优晶向.当掺杂浓度为4.69at%时,择优晶面为(111)面.若要实现更高浓度的Y掺杂,沿(111)晶面掺杂更容易实现.对于实验而言,更高浓度的Y掺杂,掺杂原子在Zn Te体系中更容易沿(111)晶面进行集中排列. Y掺杂Zn Te后,体系的禁带宽度变大,吸收光谱发生蓝移,对可见光的吸收强度减小.在浓度为3.12at%时禁带宽度最大,蓝移现象最明显,吸收强度最小. Y掺杂后体系变为n型半导体,可以使用这种掺杂方式制作P-N结二极管. 展开更多
关键词 Y掺杂ZnTe 掺杂浓度与方式 第一性原理 电子结构 光电性质
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手性金属卤化物钙钛矿的设计合成及其圆偏振发光研究进展
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作者 丛莉 崔彬彬 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1194-1211,共18页
近年来,有机-无机杂化金属卤化物钙钛矿因其出色的光电性能成为最具吸引力的半导体材料之一,通过将“手性”分子引入到金属卤化物钙钛矿晶体材料中就可以得到“手性金属卤化物钙钛矿”.手性金属卤化物钙钛矿结合了钙钛矿的优良光电性质... 近年来,有机-无机杂化金属卤化物钙钛矿因其出色的光电性能成为最具吸引力的半导体材料之一,通过将“手性”分子引入到金属卤化物钙钛矿晶体材料中就可以得到“手性金属卤化物钙钛矿”.手性金属卤化物钙钛矿结合了钙钛矿的优良光电性质和手性特征,故产生了圆二色性(CD)、圆偏振发光(CPL)、非线性光学(NLO)、自旋电子学、铁电性和手性诱导自旋选择性(CISS)效应等独特光电功能的可能性,在光电子学、光学材料、光伏材料和自旋电子学等领域具有广阔的应用前景.本文综述了近年来手性金属卤化物钙钛矿的研究发展情况,如制备方法、晶体结构、手性产生机理、圆偏振发光和圆偏振光检测等;此外,总结了该类材料发展过程中所面临的挑战并展望了其发展前景.这对了解手性金属卤化物钙钛矿的光电性质和构建策略具有重要的理论意义,并为开发设计新型的手性金属卤化物钙钛矿提供了思路. 展开更多
关键词 手性 金属卤化物钙钛矿 光电性质 圆偏振发光 圆偏振光检测
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基于密度泛函理论的B、P掺杂MoS_(2)/Gr异质结光电性能增强的调制机理
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作者 李佳斌 刘明杨 +2 位作者 杨楠 范增辉 庞菲菲 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2024年第13期324-334,共11页
为了扩展能够提升光调制器性能的新型复合材料的相关理论,基于密度泛函理论,研究了B、P掺杂MoS_(2)/Gr异质结的光电性能的调制机理。结果表明:形成异质结后,异质结层间存在着由石墨烯层向MoS_(2)层表面的电子转移;掺杂原子后,异质结的... 为了扩展能够提升光调制器性能的新型复合材料的相关理论,基于密度泛函理论,研究了B、P掺杂MoS_(2)/Gr异质结的光电性能的调制机理。结果表明:形成异质结后,异质结层间存在着由石墨烯层向MoS_(2)层表面的电子转移;掺杂原子后,异质结的石墨烯层和二硫化钼层之间转移的电子进行了重分配,主要发生了B原子向C原子与P原子向S原子,以及B原子与P原子间的电子转移,导致掺杂P原子附近电子向层间聚集的现象。费米能级附近,掺杂原子和石墨烯与二硫化钼之间发生轨道杂化,产生杂化能级,使得载流子跃迁的能隙变窄,导致材料与光在近红外甚至以下的低能区作用增强,且部分光学吸收峰向低能区方向移动。此外,通过改变掺杂原子浓度和配比可以一定程度上实现对异质结低能区光学性能的调控。 展开更多
关键词 材料 MoS_(2)/Gr异质结 第一性原理 掺杂 光电特性
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低维钙钛矿太阳能电池的制备与光电性能研究——推荐一个综合化学实验
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作者 张家浩 李鹏伟 +2 位作者 李恺 张懿强 宋延林 《大学化学》 CAS 2024年第1期201-209,共9页
低维钙钛矿太阳能电池(Low-Dimensional Perovskite Solar Cells,LD PSCs)是一种稳定性好、疏水性强的新型钙钛矿光伏器件,在新能源领域受到了广泛的关注。本实验以领域内的前沿进展为出发点,提供丁胺(Butylammonium,BA)离子、半胱氨酸... 低维钙钛矿太阳能电池(Low-Dimensional Perovskite Solar Cells,LD PSCs)是一种稳定性好、疏水性强的新型钙钛矿光伏器件,在新能源领域受到了广泛的关注。本实验以领域内的前沿进展为出发点,提供丁胺(Butylammonium,BA)离子、半胱氨酸(2-氨基-3-巯基丙酸,Cysteine,Cys)离子作为有机间隔阳离子,合成了低维钙钛矿晶体并制备出以(BA)2(MA)n-1PbnI3n+1或(Cys)2(MA)n-1PbnI3n+1为活性层的钙钛矿太阳能电池,并通过X射线衍射检测、紫外-可见吸收检测等手段对产品进行表征,之后测定了钙钛矿器件的能量转换效率。本实验难度适中,涉及光伏器件的制备与表征,旨在激励本科生对前沿光电研究产生兴趣、培养其科研能力。 展开更多
关键词 低维钙钛矿 钙钛矿太阳能电池 综合化学实验 光电性能
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Comparative Performance Analysis of MAPbI3 and FAPbI3 Perovskites: Study of Optoelectronic Properties and Stability
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作者 Idrissa Diomandé Amal Bouich +2 位作者 Aka Aka Hyacinthe Bernabe Mari Soucasse Aka Boko 《Modeling and Numerical Simulation of Material Science》 2023年第4期51-67,共17页
The exploitation of fossil resources to meet humanity’s energy needs is the root cause of the climate warming phenomenon facing the planet. In this context, non-carbon-based energies, such as photovoltaic energy, are... The exploitation of fossil resources to meet humanity’s energy needs is the root cause of the climate warming phenomenon facing the planet. In this context, non-carbon-based energies, such as photovoltaic energy, are identified as crucial solutions. Organic perovskites MAPbI<sub>3</sub> and FAPbI<sub>3</sub>, characterized by their abundance, low cost, and ease of synthesis, are emerging as candidates for study to enhance their competitiveness. It is within this framework that this article presents a comparative analysis of the performances of MAPbI<sub>3</sub> and FAPbI<sub>3</sub> perovskites in the context of photovoltaic devices. The analysis focuses on the optoelectronic characteristics and stability of these high-potential materials. The optical properties of perovskites are rigorously evaluated, including band gaps, photoluminescence, and light absorption, using UV-Vis spectroscopy and photoluminescence techniques. The crystal structure is characterized by X-ray diffraction, while film morphology is examined through scanning electron microscopy. The results reveal significant variations between the two types of perovskites, directly impacting the performance of resulting solar devices. Simultaneously, the stability of perovskites is subjected to a thorough study, exposing the materials to various environmental conditions, highlighting key determinants of their durability. Films of MAPbI<sub>3</sub> and FAPbI<sub>3</sub> demonstrate distinct differences in terms of topography, optical performance, and stability. Research has unveiled that planar perovskite solar cells based on FAPbI<sub>3</sub> offer higher photoelectric conversion efficiency, surpassing their MAPbI<sub>3</sub>-based counterparts in terms of performance. These advancements aim to overcome stability constraints and enhance the long-term durability of perovskites, ultimately aiming for practical application of these materials. This comprehensive comparative analysis provides an enlightened understanding of the optoelectronic performance and 展开更多
关键词 Perovskites FAPbI3 MAPbI3 optoelectronic properties PERFORMANCE
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氧化锌薄膜的光电特性研究进展 被引量:4
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作者 张铭杨 李世帅 《菏泽学院学报》 2009年第5期83-86,共4页
由于氧化锌特殊的结构及在光电等方面的广泛应用,关于氧化锌的光电方面的研究引起了人们极大的兴趣.综述了氧化锌薄膜在短波激光、透过率、电子特性方面的研究进展,对今后的研究方向进行了展望.
关键词 氧化锌薄膜 光电特性 进展
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