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利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究
被引量：
1
1
作者
杨涛
李昕
+2 位作者
陶煜
陈良月
高怀
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期804-808,共5页
提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能。针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路...
提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能。针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路结构的测试板级电路,测试结果表明:两种ESD保护电路结构的抗静电能力均达到20 kV,现有ESD保护电路结构在0～4.3 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为4.3 GHz;新型ESD保护电路结构在0～5.6 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为5.6 GHz。
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关键词
ESD保护电路
键合线
新型结构
抗静电能力
射频性能
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职称材料
题名
利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究
被引量：
1
1
作者
杨涛
李昕
陶煜
陈良月
高怀
机构
东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心
东南大学国家ASIC系统工程中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期804-808,共5页
基金
江苏省科技支撑计划工业部分重点项目(BE2010129)
文摘
提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能。针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路结构的测试板级电路,测试结果表明:两种ESD保护电路结构的抗静电能力均达到20 kV,现有ESD保护电路结构在0～4.3 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为4.3 GHz;新型ESD保护电路结构在0～5.6 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为5.6 GHz。
关键词
ESD保护电路
键合线
新型结构
抗静电能力
射频性能
Keywords
ESD
protection
circuit
bonding
wire
novel
struct
ure
electrostatic
prevention
ability
radio-frequency
performance
分类号
TN305.96 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究
杨涛
李昕
陶煜
陈良月
高怀
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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