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基于H参量模型的外腔激光器双稳特性分析 被引量：1
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作者 黄立平 潘炜 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期647-650,共4页
采用H参量模型,导出了外腔激光器(ECLD)调谐范围内双稳环的环宽解析式以及决定双稳环存在条件的倾斜因子表达式;数值模拟了剩余反射率对倾斜因子的影响,并比较了引入倾斜因子前后的环宽。结果表明,在调谐范围内偏离增益峰值的频率处不... 采用H参量模型,导出了外腔激光器(ECLD)调谐范围内双稳环的环宽解析式以及决定双稳环存在条件的倾斜因子表达式;数值模拟了剩余反射率对倾斜因子的影响,并比较了引入倾斜因子前后的环宽。结果表明,在调谐范围内偏离增益峰值的频率处不仅存在双稳环,而且环宽极大值可达以往计算结果的2倍,环宽极大值位于两种环宽相等的频率处;同时发现环宽极大值随剩余反射率减小向低频移动,频率大于增益峰值时双稳环因倾斜因子的影响可能提前消失。 展开更多
关键词 激光技术 H参量模型 双稳特性 归一化环宽 倾斜因子 剩余反射率
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